| |
頁 |
第1章 生産プロセスにおける洗浄工程の位置付け |
1 |
第2章 洗浄技術の動向 |
4 |
| 2.1 初期の洗浄シーケンス |
8 |
| 2.2 黎明期の洗浄評価技術とプロセス材料の純化 |
8 |
| 2.3 SC-1、SC-2の登場 |
9 |
| 2.4 デバイスメーカにおけるRCA洗浄と超純水製造システムの展開 |
11 |
| 2.5 RCA洗浄の高度化と評価技術の進展 |
11 |
| 2.6 洗浄装置の動向 |
13 |
| 2.7 コリン洗浄への転換 |
13 |
| 2.8 SC-1洗浄見直しと学術的考察の進展 |
14 |
| 2.9 新しく登場した洗浄法 |
14 |
| 2.10 バックエンドプロセスでの洗浄 |
15 |
| 2.11 洗浄装置、洗浄環境ならびに洗浄用プロセス材料 |
15 |
| 2.12 今後のウェハ洗浄技術の課題と展望 |
16 |
| 2.12.1 許容汚染度のさらなる低下 |
16 |
| 2.12.2 超微細構造の表面洗浄 |
16 |
| 2.12.3 新材料の導入 |
17 |
| 2.12.4 新プロセスの導入 |
19 |
| 2.12.5 新乾燥技術の導入 |
21 |
| 2.12.6 高感度の表面汚染測定装置・評価技術の開発 |
22 |
第3章 洗浄技術 |
23 |
| 3.1 洗浄技術の分類 |
23 |
| 3.2 湿式洗浄 |
25 |
| 3.2.1 湿式物理洗浄 |
27 |
| (1) ブラシ(パッド)スクラビング |
27 |
| (2) 高圧液噴射洗浄 |
28 |
| (3) 超音波洗浄 |
31 |
| A.超音波の洗浄機能 |
31 |
| a.超音波の洗浄機構(キャビテーション) |
32 |
| b.キャビテーションの強さに対する発生条件の影響 |
34 |
| B.超音波洗浄装置 |
37 |
| a.浸漬式超音波洗浄装置 |
37 |
| b.シャワー式超音波洗浄装置 |
45 |
| C.メガヘルツ超音波(メガソニック)洗浄 |
49 |
| a.メガソニック洗浄装置の概要 |
49 |
| b.メガソニック洗浄装置の特徴と課題 |
53 |
| 3.2.2 湿式化学洗浄 |
62 |
| 3.3 乾式洗浄 |
64 |
| 3.3.1 不活性ガス噴射 |
66 |
| 3.3.2 蒸気噴射 |
71 |
| 3.3.3 イオンビームスパッタ |
71 |
| 3.3.4 レーザークリーニング |
72 |
| 3.3.5 気相反応(HF気相洗浄) |
73 |
| 3.3.6 プラズマクリーニング |
76 |
| (1) プラズマクリーニングの概要 |
76 |
| (2) 大気圧プラズマクリーニング |
81 |
| A.液晶パネルITO電極部のACF貼り付け前洗浄 |
82 |
| B.TCP用のポリイミドフィルムの表面改質 |
83 |
| C.電子部品のプラズマ洗浄 |
84 |
| 3.3.7 紫外線等の照射 |
84 |
| (1) 紫外線洗浄の概要 |
84 |
| (2) UV/O3洗浄 |
87 |
| A.洗浄原理とプラズマクリーニングとの比較 |
89 |
| B.濡れ性改善挙動 |
89 |
| C.有機物除去効果の挙動 |
90 |
| D.紫外線の効果 |
91 |
| 3.3.8 超音波乾式クリーナー |
96 |
| 3.3.9 電気炉焼成による乾式洗浄 |
99 |
第4章 洗浄の対象となる汚れとその除去 |
103 |
| 4.1 汚れの種類と発生源 |
103 |
| 4.1.1 汚れの分類 |
104 |
| 4.1.2 粒子汚れの種類と発生源 |
107 |
| 4.1.3 元素、イオンによる汚染と表面欠陥 |
108 |
| 4.2 有機薄膜状汚れ |
117 |
| 4.2.1 湿式洗浄による有機薄膜状汚れ除去 |
117 |
| 4.2.2 乾式洗浄による有機薄膜状汚れ除去 |
120 |
| 4.3 無機薄膜状汚れ |
120 |
| 4.3.1 湿式洗浄による無機薄膜状汚れ除去 |
120 |
| 4.3.2 乾式洗浄による無機薄膜状汚れ除去 |
122 |
| 4.4 金属汚れ |
123 |
| 4.4.1 湿式洗浄による金属汚れ除去 |
123 |
| 4.4.2 乾式洗浄による金属汚れ除去 |
126 |
| 4.5 粒子汚れ |
127 |
| 4.5.1 湿式洗浄による粒子汚れ除去 |
128 |
| 4.5.2 乾式洗浄による粒子汚れ除去 |
131 |
第5章 電子工業分野における洗浄の実際 |
134 |
| 5.1 半導体(ウェハ)製造 |
134 |
| 5.1.1 半導体製造工程と洗浄 |
134 |
| 5.1.2 半導体ロードマップにみる汚染物質低減の要求 |
138 |
| (1) 技術ノードの設定 |
139 |
| (2) 汚染の要因 |
139 |
| (3) 汚染物質の低滅要求値と計測精度に対する考え方 |
140 |
| (4) 汚染物質低減上の課題 |
142 |
| A.プロセスニーズの視点 |
142 |
| B.計測の視点 |
143 |
| (5) 汚染物質計測への要求 |
144 |
| (6) 今後の課題 |
144 |
| 5.1.3 半導体製造における洗浄技術とその動向 |
144 |
| (1) 半導体精密洗浄技術のレビュー |
145 |
| A.RCA洗浄法をベースにした現在の洗浄方法 |
145 |
| B.RCA洗浄法の見直し |
148 |
| C.Siウェハ大型化に伴う洗浄技術の変遷 |
150 |
| D.現洗浄法の課題 |
151 |
| (2) 半導体洗浄装置の動向 |
159 |
| A.技術ノードの進展に伴う動向 |
160 |
| B.ウォータマーク対策 |
160 |
| C.洗浄から表面制御ヘの動き |
160 |
| D.洗浄ラインの構成と洗浄方式 |
161 |
| E.裏面/エッジ洗浄 |
161 |
| F.ポリマー除去剤 |
161 |
| G.65nmデバイスのエッジクリーニング効果 |
162 |
| H.エッジクリーニングの潜在効果 |
163 |
| a.クリーニング効果のモデル化 |
163 |
| b.ウェハ汚染の経済的影響 |
166 |
| I.半導体CVD洗浄プロジェクト |
168 |
| J.枚葉洗浄 |
168 |
| a.洗浄の枚葉化への背景 |
169 |
| b.表面洗浄技術 |
170 |
| c.裏面洗浄技術 |
174 |
| d.周辺洗浄技術 |
176 |
| e.枚葉洗浄における乾燥技術 |
178 |
| f.枚葉洗浄の利点 |
178 |
| g.枚葉洗浄の課題 |
182 |
| (3) 新しい半導体洗浄装置 |
189 |
| A.バックエンドまで対応可能な単槽バッチ式スプレー洗浄装置 |
189 |
| B.バッチスプレー方式BEOL用洗浄装置 |
191 |
| C.多槽式超精密洗浄装置(マイクロファブ) |
192 |
| D.超音波洗浄装置 |
194 |
a.超音波を併用して薬液洗浄、短時間に均等に乾燥させる
300ミリウェハ対応高速洗浄装置 |
194 |
| b.エキシマ光励起オゾン水枚葉洗浄装置 |
194 |
| c.メタルマスク用非浸漬式超音波洗浄装置 |
196 |
| d.最終仕上げ工程用超音波枚葉式スピン洗浄装置 |
197 |
| E.極低温エアロゾル洗浄装置 |
199 |
| F.超高圧マイクロジェット洗浄装置 |
209 |
| G.オゾン水、希フッ酸の繰返し使用型枚葉スピン洗浄装置(SCROD法) |
211 |
| a.湿式洗浄の重要性 |
211 |
| b.SCROD洗浄法の特徴 |
213 |
| c.汚染除去効果の評価 |
215 |
| d.用途展開 |
225 |
| H.ウェハ薄膜化のためのウェハ裏面処理装置 |
229 |
| I.片面/裏面洗浄とベベル/両面洗浄が自由自在の枚葉式洗浄装置 |
230 |
| J.端面・裏面洗浄可能な枚葉式薬液洗浄装置 |
231 |
| K.メカチャック型枚葉式ウェハ処理装置(表面、裏面処理) |
234 |
| L.枚葉式ポリマー除去装置 |
234 |
| M.水素・ヘリウム混合プラズマガス使用65nmレジスト除去装置 |
240 |
| N.品種変更、変量生産に適したモジュール式ウェハ枚葉洗浄装置 |
241 |
| O.枚葉式CMP後洗浄装置 |
243 |
| P.割れやすい化合物や半導体ウェハなどの枚葉式両面洗浄装置 |
251 |
| Q.縦型スクラブ付枚葉式ウェハ処理装置(スピンプロセッサー) |
251 |
| R.300mm対応超臨界洗浄装置 |
253 |
| (4) 半導体製造用洗浄剤 |
254 |
| 5.2 実装基板の洗浄 |
255 |
| 5.2.1 プリント基板の製造工程と洗浄 |
256 |
| 5.2.2 実装基板洗浄 |
259 |
| 5.2.3 新しい実装基板洗浄装置 |
260 |
| (1) 実装基板のプラズマ洗浄装置 |
260 |
| A.新表面処理法の特徴 |
261 |
| B.Au表面分析(AUGER ELECTRON SPECTROSCOPE) |
261 |
| C.ワイヤボンディンクテスト |
262 |
| (2) リサイクル対応・超小型洗浄装置 |
264 |
| (3) 高密度IC用フラックス精密洗浄装置 |
266 |
| (4) フラックス洗浄用準水系バッチ式洗浄装置 |
267 |
| (5) メタルマスク潰れハンダ除去装置 |
268 |
| 5.3 磁気ディスク |
272 |
| 5.3.1 磁気ディスク製造工程と洗浄 |
272 |
| 5.3.2 磁気ディスクの洗浄技術 |
276 |
| 5.4 液晶、カラーフィルター |
279 |
| 5.4.1 液晶ディスプレイの技術動向と洗浄技術に対するニーズ |
279 |
| 5.4.2 液晶製品の製造技術動向 |
283 |
| (1) 液晶ディスプレイの製造技術動向と洗浄技術に対するニーズ |
283 |
| (2) 液晶パネル製造工程における汚染と洗浄 |
287 |
| A.汚染と洗浄 |
288 |
| B.有機物汚染 |
290 |
| C.微粒子汚染と歩留り |
291 |
| a.微粒子汚染による欠陥 |
291 |
| b.微粒子汚染の歩留りへの影響 |
292 |
| c.微粒子汚染の対策 |
294 |
| D.次世代対応洗浄機構 |
296 |
| a.ブラシ |
296 |
| b.高圧ノズル |
297 |
| c.気液混合吐出機構 |
298 |
| d.リンス機構 |
298 |
| 5.4.3 液晶製品製造工程用洗浄装置 |
299 |
| (1) 固定砥粒とクリーニングテープを利用したTFTパネル洗浄装置 |
300 |
| (2) 超音波洗浄装置 |
303 |
| A.LCD、PDP製造工程用非接触式超音波クリーナー |
304 |
| B.枚葉式シャワー型ハイメガソニック洗浄機(節水型SWUSシャワー) |
306 |
| a.液晶用ガラス洗浄シャワーシステムの技術的変遷 |
306 |
| b.節水型超音波洗浄シャワー(SWUS)の開発 |
309 |
| c.装置構成 |
312 |
| d.特徴 |
314 |
| e.洗浄効果 |
314 |
| C.ブラシとメガソニックを併用した大型液晶基板洗浄装置 |
316 |
| (3) LCD製造工程におけるVUV/O3洗浄 |
317 |
| (4) 大型サイズ対応ブラシ式フォトマスク洗浄装置 |
319 |
| (5) 超高圧マイクロジェット精密洗浄 |
320 |
| A.特徴と洗浄性能 |
320 |
| B.装置構成 |
324 |
| C.LCD製造工程とそれへの適用例 |
325 |
| D.ランニングコスト低減への取組み |
328 |
| E.装置の自己診断機能 |
329 |
| (6) 縦型多段式真空洗浄装置 |
329 |
| (7) ユニット設備を組み合わせた柔軟性の高いLCD枚葉洗浄装置 |
330 |
| (8) 液晶基板の乾式大気圧プラズマ洗浄技術 |
331 |
| A.特徴 |
332 |
| B.適用例 |
333 |
| 5.4.4 リンス、搬送などの付帯プロセス |
336 |
| (1) FPDのリンス、搬送装置 |
336 |
| A.リンス技術 |
336 |
| B.傾斜搬送処理技術(大サイズ化対応湿式処理) |
340 |
| (2) ガラス基板異物検査装置 |
352 |
| A.異物検査の必要性 |
352 |
| B.装置コンセプト |
353 |
| C.装置導入効果 |
354 |
| 5.4.5 液晶製品製造工程用洗浄剤 |
355 |
| (1) 液晶製品洗浄剤全般 |
355 |
| (2) 基板洗浄剤 |
359 |
| A.界面活性剤 |
360 |
| B.アルカリビルダ |
361 |
| C.キレート剤 |
361 |
| (3) LCDセル洗浄剤 |
362 |
| A.洗浄方式と装置の仕様 |
363 |
| B.セルの構造 |
363 |
| C.電極の材質・構造 |
363 |
| D.液晶の種類 |
364 |
| E.セル洗浄剤の種類と成分 |
365 |
| F.セル洗浄剤に求められる性能 |
374 |
| G.洗浄剤成分以外の要因 |
375 |
| (4) SFTアレイ工程洗浄剤 |
375 |
| 5.5 有機ELディスプレイ |
375 |
| 5.5.1 有機ELディスプレイ製造工程と洗浄 |
375 |
| 5.5.2 有機ELディスプレイの洗浄技術 |
376 |
| (1) コンべヤ型UV/O3洗浄装置 |
377 |
| A.ランプ仕様 |
377 |
| a.発光長 |
377 |
| b.ランプ本数 |
377 |
| B.コンベヤ装置の基本構成 |
378 |
| a.ランプハウス |
379 |
| b.搬送部 |
379 |
| c.アプリケーション |
380 |
| (2) VUV/O3を用いた有機ELガラス基板ITO膜洗浄改質技術 |
381 |
| (3) 常圧プラズマ洗浄技術 |
386 |
第6章 洗浄液、洗浄剤および洗浄器材 |
401 |
| 6.1 純水 |
401 |
| 6.1.1 超純水の技術動向 |
401 |
| 6.1.2 超純水製造技術 |
402 |
| (1) 超純水製造装置への要求 |
402 |
| (2) 超純水製造設備の構成 |
402 |
| (3) 超純水の評価・管理方法 |
406 |
| A.要求水質 |
406 |
| B.オンライン分析とオフライン分析 |
408 |
| C.新しい分析方法 |
409 |
| a.微粒子分析 |
409 |
| b.イオン、重金属分析 |
410 |
| (4) 超純水システムの新技術 |
412 |
| A.標準化とユニット化 |
412 |
| B.一次純水製造部分 |
413 |
| a.EDI |
413 |
| b.HERO |
414 |
| C.超純水製造部分 |
418 |
| a.極低濃度過酸化水素の制御 |
418 |
| b.リターン水の純度異常の検知 |
418 |
| D.回収水部分 |
420 |
| 6.1.3 イオン吸着による超々純水製造技術 |
420 |
| 6.1.4 中空糸膜を使った超純水の帯電防止技術 |
428 |
| (1) 超純水における帯電のメカニズム |
428 |
| (2) 超純水帯電防止装置 |
430 |
| A.炭酸ガス直接注入ミキシング装置 |
431 |
| B.中空糸膜給気装置 |
431 |
| 6.2 機能水 |
434 |
| 6.2.1 機能水の特性 |
434 |
| 6.2.2 機能水の製法 |
435 |
| 6.2.3 機能水の洗浄プロセスへの利用例 |
436 |
| (1) LSI製造工程におけるウェハ洗浄への適用 |
436 |
| (2) シリコンウェハ表面からの銅(金属汚染物質)の除去 |
437 |
| (3) 微粒子の除去 |
438 |
| (4) CMPプロセス後のシリコンウェハ表面からのシリカ粒子の除去 |
438 |
| (5) TFT・LCDプロセスにおける洗浄 |
439 |
| (6) 機能水を組合わせた新しい洗浄技術 |
439 |
| A.オゾン水、イオン水、希フッ酸、純水、光を組合せた洗浄方法 |
439 |
| B.脱気水、ガス溶解水、オゾン水製造装置を組合せた機能水製造システム |
441 |
| 6.2.4 各種機能水の特性 |
444 |
| (1) 水素水 |
444 |
| A.製造技術 |
444 |
| B.イオン吸着膜との組合せ |
446 |
| C.水素水供給技術 |
446 |
| D.洗浄効果 |
447 |
| a.水素水単独および、アルカリや超音波との併用による洗浄効果 |
447 |
| b.溶存ガスの影響 |
455 |
| (2) フッ素系イオン水 |
458 |
| (3) HFオゾンウォーター |
459 |
| (4) オゾン水 |
459 |
| A.オゾン水の特性 |
459 |
| B.オゾン水製造・供給技術 |
459 |
| C.オゾン水の洗浄への利用例と効果 |
461 |
| D.排オゾン水処理技術 |
464 |
| (5) 電解イオン水 |
464 |
| A.電解イオン水の特性 |
464 |
| B.電解イオン水の製造法 |
469 |
| C.アルカリ性電解水の洗浄への利用例と効果 |
471 |
| 6.3 超臨界流体 |
472 |
| 6.3.1 超臨界流体の特性 |
472 |
| 6.3.2 超臨界流体洗浄装置 |
475 |
| 6.3.3 超臨界流体の洗浄への利用例と効果 |
476 |
| (1) 超臨界流体洗浄の特徴 |
477 |
| (2) 超臨界流体洗浄の利用例 |
477 |
| A.超臨界二酸化炭素によるHEPAフィルターの洗浄・再生 |
477 |
| B.ジャイロスコープの洗浄 |
482 |
| C.ドライクリーニングへの利用 |
482 |
| 6.4 洗浄剤 |
483 |
| 6.4.1 洗浄剤の動向 |
485 |
| 6.4.2 水系洗浄剤 |
487 |
| (1) 水系洗浄液の動向 |
488 |
| A.界面活性剤の活用(粒子除去) |
490 |
| B.キレート剤の活用(微量金属の除去) |
491 |
| C.酸、アルカリの利用(CMP後洗浄剤、ポリマー除去液) |
491 |
| (2) 水系洗浄剤の液管理 |
494 |
| 6.4.3 準水系洗浄剤 |
497 |
| 6.4.4 有機系洗浄剤 |
498 |
| (1) 炭化水素系溶剤 |
499 |
| A.新規炭化水素系洗浄剤 |
500 |
| B.ロジン系フラックス洗浄用炭化水素系溶剤 |
500 |
| C.パラフィン系炭化水素ベースの高機能洗浄剤 |
501 |
| D.ノルマルパラフィン系炭化水素洗浄剤 |
503 |
| E.ナフテン(ナフテゾール)系炭化水素洗浄剤 |
504 |
| F.炭化水素系洗浄剤の液管理 |
505 |
| (2) 代替フロン洗浄剤 |
510 |
| A.HCFC系洗浄剤 |
510 |
| B.HCFC、塩素系洗浄剤の液管理 |
513 |
| (3) フッ素系洗浄剤 |
517 |
| A.環状フッ素化合物系洗浄剤 |
518 |
| B.HFC系溶剤とグリコールエーテルとの混合洗浄剤 |
519 |
| C.フッ化炭化水素系洗浄剤 |
519 |
| D.ハイドロフルオロエーテル系(HFE系)不活性液体洗浄剤 |
524 |
| E.HFE系洗浄剤の洗浄液管理 |
530 |
| (4) 臭素系洗浄剤 |
532 |
| (5) 可燃性溶剤対応の完全密閉型洗浄装置 |
535 |
| A.密閉機構 |
535 |
| B.浸漬洗浄 |
536 |
| C.蒸気洗浄 |
536 |
| D.乾燥 |
537 |
| E.溶剤再生(精製) |
537 |
| 6.5 洗浄器材 |
539 |
| 6.5.1 ポリッシングパッドの開発動向 |
540 |
| 6.5.2 CMP対応洗浄器材(精密洗浄用高清浄度PVAスポンジ) |
541 |
| 6.5.3 スパイラル構造のセリア固定砥粒パッド |
542 |
| (1) CMP加工中の総遊離砥粒濃度と加工レートの関係 |
544 |
| (2) パッド製造ロット間の安定性 |
546 |
| (3) 砥粒レス研磨液による研磨性能 |
547 |
第7章 リンス、乾燥 |
553 |
| 7.1 リンス |
553 |
| 7.2 乾燥 |
557 |
| 7.2.1 ウォーターマークの発生原因と対策 |
557 |
| 7.2.2 乾燥方法 |
560 |
| (1) スピン乾燥 |
560 |
| (2) LPA蒸気乾燥 |
561 |
| (3) マランゴニ乾燥法 |
562 |
| (4) ロタゴニ乾燥 |
563 |
| (5) 超臨界乾燥 |
564 |
| 7.2.3 新しい乾燥技術 |
564 |
| (1) 大型ガラス基板対応枚葉式縦型乾燥装置 |
565 |
| A.乾燥炉 |
565 |
| B.搬送装置 |
565 |
| (2) バッチ式洗浄装置用乾燥装置 |
566 |
| (3) 精密水切り乾燥剤(液晶パネルへの応用) |
567 |
| A.洗浄工程 |
570 |
| B.水切り工程 |
570 |
| C.乾燥工程 |
571 |
| (4) LCDなどのディスプレイ製造における熱処理装置 |
572 |
| (5) LCDディスプレイ製造用赤外線熱処理装置 |
574 |
第8章 洗浄効果の評価技術 |
577 |
| 8.1 表面の汚れ量を測定する方法 |
577 |
| 8.2 表面から汚れを抽出して調査する方法 |
578 |
| 8.3 新しい表面検査装置 |
578 |
| (1) レーザー散乱光式検査装置 |
578 |
| (2) 電気抵抗測定式清浄度測定器 |
579 |
Copyright 2012 TORAY RESEARCH CENTER, Inc.