| |
頁 |
| 第1章 フラットパネルディスプレイ(FPD)の概要と市場動向 |
|
| 1.1 各種FPDの特徴 |
1 |
| 1.1.1 FPDの種類 |
1 |
1.1.2 激化するFPDデバイス競争
(1) 大型液晶テレビ対PDPテレビ
(2) 次世代FPD技術
|
4 |
| 1.2 FPDの応用分野別市場の状況 |
6 |
| 1.2.1 世界のディスプレイ市場 |
7 |
1.2.2 テレビジョン(TV)分野
(1) 世界市場
A.液晶TV
B.PDP TV
(2) 国内市場 |
8 |
1.2.3 パソコン(PC)市場
(1) 世界パソコン市場
(2) デスクトップモニター用LCDの市場動向
(3) ノートPC市場動向 |
11 |
| 1.2.4 携帯電話の市場動向 |
16 |
| 1.2.5 データ対応プロジェクターの市場 |
18 |
| 1.2.6 その他PDA、車載用ディスプレイ市場 |
18 |
| 1.3 ディスプレイ別市場動向 |
20 |
1.3.1 LCDの市場
(1) LCDパネルの価格と生産額
(2) LCDパネル(10インチ以上)の用途別需要動向
(3) LCDパネル生産メーカー |
20 |
| 1.3.2 PDPの市場 |
23 |
| 1.3.3 有機ELディスプレイの市場 |
24 |
第2章 液晶ディスプレイ(LCD)の現状と最新技術動向 |
|
| 2.1 LCD(Liquid Crystal Display)の基本技術 |
27 |
| 2.1.1 LCDの種類 |
27 |
| 2.2 日本の液晶産業 |
31 |
| 2.2.1 わが国液晶産業の変遷と海外メーカーとの競合 |
32 |
2.2.2 液晶ディスプレイ産業の発展方向
(1) 基板サイズ拡大とTFT液晶生産ライン
(2) 携帯電話向け液晶の高付加価値化 |
33 |
| 2.3 大幅革新が続くa-Si TFT LCD製造プロセスの動向 |
37 |
| 2.3.1 TFT液晶パネルの製造工程 |
37 |
| 2.3.2 ガラス基板サイズ大型化の課題 |
38 |
2.3.3 TFTプロセスの技術革新動向
(1) 現状と課題
A.a-Si TFTの作製プロセス
B.TFTアレイ工程での課題 |
39 |
(2) プラズマCVDの高性能化
A.平行平板型PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
B.新しいCVD装置の試み
(イ) 表面波励起高密度プラズマCVD装置
(ロ) Cat-CVD(Catalytic Chemical Vapor Deposition)法
C.常圧プラズマCVD |
42 |
(3) 配線膜
A.ゲート配線膜の低抵抗化 B.銅配線形成技術 |
47 |
| 2.3.4 カラーフィルタ製造プロセスと低コスト化 |
49 |
| (1) カラーフィルタ製造法 |
49 |
(2) スピンコーティング方式
(3) スピンレスコータ方式
A.スリットコータ
B.キャピラリーコータ |
50 |
(4) 新しいカラーフィルタ製造方法
A.転写法
B.インクジェット法
C.光電着(Photovoltaic Electro-deposition)技術(富士ゼロックス)
D.新規インクジェット方式 |
53 |
| (5) 次世代TFTライン向けカラーフィルタメーカの取り組み |
55 |
| 2.3.5 セル工程の改革 |
57 |
(1) 配向膜塗布方法
A.フレキソ印刷を用いた塗布方式
B.インクジェットによる新しい塗布システム |
58 |
| (2) スペーサー |
59 |
(3) 液晶注入プロセス
A.液晶注入時間の短縮
B.液晶滴下法式
(イ) 特徴
(ロ) 滴下型枠シール剤(協立化学産業)
(ハ) 大型LCD用セル組み立て一貫製造システム(芝浦メカトロニクス) |
59 |
(4) ガラスの割断(スクライブ/ブレイク)
A.割断(スクライブ/ブレイク)技術
B.上下同時分断方式
C.レーザ照射による分断 |
61 |
| (5) 液晶注入孔封止 |
63 |
| 2.3.6 次世代液晶配向技術の動向 |
63 |
(1) 液晶配向方法
A.ラビング法
B.ラビングレス法(非接触配向) |
63 |
(2) 次世代液晶配向技術
A.イオンビーム照射によるDLC配向膜技術
B.光配向技術の開発動向
(イ) 現状
(ロ) 光配向法量産化への課題
(ハ) 光配向法の光源の開発
(ニ) 各社の光配向技術
a.アゾ色素光配向膜(大日本インキ化学工業)
b.カルコン系光配向膜(JSR) |
65 |
| 2.3.7 TFT-LCDの洗浄技術 |
72 |
(1) LCDの様々な製造工程で使用される洗浄と洗浄剤
(2) 薬液を使用しないLCD基板洗浄技術
A.機能水洗浄
B.洗浄ノズル |
72 |
| 2.4 LCDの技術開発動向 |
76 |
| 2.4.1 LCD全体(大型〜小型)の開発動向 |
76 |
| 2.4.2 LCDの高性能化に欠かせない低温ポリSi-TFT-LCDの技術動向 |
77 |
| (1) 低温ポリシリコン(p-Si)TFT-LCDの特徴 |
77 |
| (2) 低温p-Si TFT-LCDの展開 |
78 |
(3) 低温p-Si TFT製造技術の動向
A.ポリシリコン(p-Si)形成技術
B.低温ゲート酸化膜の形成技術
C.高品質ゲート絶縁膜の形成技術
(イ) プラズマを全く使用しないゲート絶縁膜の形成
(ロ) 多層構造ゲート絶縁膜による清浄な界面形成
D.不純物制御技術
(イ) FPD用イオン注入装置
a.質量分離機能を備えたイオン注入装置「MDI-100」(三井造船) |
79 |
(4) シートディスプレイを狙う低温p-Si TFT-LCD
A.ポリシリコン結晶化技術の動向
(イ) 位相シフトマスクを用いたELA結晶化
(ロ) パルス変調固体レーザーアニール結晶化法(日立製作所)
(ハ) 連続発振(CW)固体レーザを用いるラテラル結晶化技術
(CLC：CW Lateral Crystallization)(富士通研究所)
(ニ) CGSシリコン(Continuous Grain Silicon)
(ホ) 金属インプリント法
(ヘ) 直接堆積
B.低温p-Si TFT-LCD製造各社の製品と戦略
(イ) 東芝松下ディスプレイテクノロジー
a.インプットディスプレイ
(ロ) シャープ
a.システム液晶の量産
b.オーディオ回路内蔵のシステム液晶パネルを開発
c.LTPS上にCPUへの道
(ハ) Toppoly Optelectronics(台湾)
(ニ) STLCD
(ホ) NEC |
84 |
(5) PMOS低温ポリシリコン適用による大型高精細低価格の実現
(LG.Philips LCD) |
97 |
| 2.4.3 反射型カラーLCDの技術動向 |
97 |
| (1) LCDの表示方式 |
97 |
| (2) 反射型LCDの表示モード |
99 |
| (3) 反射型LCDの高開口率化技術 |
100 |
(4) 一枚偏光板方式反射型カラーLCD
A.前方散乱フィルム方式反射型カラーLCD
B.内面拡散反射板を用いた反射型カラーLCD
(イ) 内面拡散反射板の表面形状
a.光干渉の防止技術
b.指向性反射の微小反射電極構造(Micro Renective Structure：MRS)
(ロ) 内面散乱を用いたTN反射型カラーLCD |
100 |
C.その他の反射型LCD
(イ) 電界制御複屈折
(ECB方式：Electrically Controlled Birefrigence)方式
(ロ) R-OCB(Reflective Optically Compensated Bend Cell) |
105 |
(5) 半透過型LCDにおける光の利用効率向上
A.半透過型LCD「高透過アドバンストTFT-LCD」(シャープ)
B.半透過型LCD用カラーフィルタ
C.高透過アドバンストTFT-LCDの表示性能
|
106 |
(6) フロントライトの高性能化技術動向
A.フロントライト(FL)の高輝度化技術
B.高コントラスト化技術
(イ) 反射防止技術 |
110 |
(7) 新規反射型LCDの開発動向
A.反射型LCDの課題
B.偏光板を用いない反射型カラーLCD
(イ) 高分子(ポリマー)分散型液晶
(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal)
(ロ) ゲストホスト方式(GH：GuestHost)
(ハ) ホログラフィック高分子分散型液晶
(HPDLC：Holographic Polymer Dispersed Liquid Crystal)
C.偏光板、カラーフィルタを用いない反射型LCDカラー表示
(イ) 波長選択反射方式
a.HPDLC LCD
b.コレステリック液晶を用いる方法
(ロ) 波長選択吸収方式
a.ゲストホスト法
b.コレステリック・ネマティック相転移型GH方式
(PCGH方式：Phase Change Guest Host)
(ハ) フィールドシーケンシャル(FS：Field Sequential)表示 |
112 |
| 2.4.4 LCDの大画面化と表示性能の向上 |
121 |
(1) 広視野角技術
A.TNモードの視野角依存性
B.光学補償フィルム方式
(イ) 屈折率楕円体が傾斜した光学補償フィルム(富士写真フィルム)
(ロ) 重合性モノマー液晶を用いた光学補償板「NHフィルム」(新日本石油)
C.液晶配向制御法
D.マルチドメイン法
E.垂直配向LCDによる広視野角技術
(イ) VA方式
(ロ) MVA(Multi Domain Vertically Alignment)法(富士通)
(ハ) MVA-PREMIUM(富士通)
(ニ) PVA(Patterned Vertical Alignment)モード(三星電子)
(ホ) Survival(Super ranged viewing by vertical alignment)(三洋電機)
(ヘ) ASV(Advanced Super Vew)方式(シャープ)
F.横電界よる広視野角技術
(イ) 横電界(IPS：In Plane Switching)方式(日立製作所他)
(ロ) Super-IPS方式(日立製作所)
G.OCB(Optically Compensated Birefringence)方式(東芝松下テクノロジー)
H.新しい表示モードの提案
(イ) 高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal)
(ロ) ASM(Axial Symmetric Micro-cell)法
(ハ) 強誘電性液晶(FLC：Ferroelectric Liquid Crystal)を用いる方法
(ニ) 反強誘電性液晶(AFLC：Anti Ferroelectric Liquid)を用いる方法 |
121 |
(2) 応答性改善と動画特性改善技術
A.応答速度の基礎
B.高速応答性の改善
(イ) FFD(Feedfoward driving)
(ロ) 高速液晶モードの採用
C.動画特性(視覚特性改善)
(イ) バックライトを使用する方法
(ロ) 黒挿入駆動技術
(ハ) 液晶AI(Artifical Intelligence)法
(ニ) 動き適応インターレース プログレッシブ(IP)変換(シャープ) |
138 |
(3) 広色再現性技術
A.広色再現性の課題
B.広色再現性の方法
(イ) LEDバックライトによる広色再現性 |
146 |
(4) 低消費電力技術
A.光利用効率向上の考え方
B.TFTアレイの高開口率化(有効表示面積率) |
148 |
(5) 反射率の低下技術
A.アンチグレアコート
B.ローリフレクションコート |
149 |
| 2.5 液晶部材の最新開発動向 |
151 |
2.5.1 カラーフィルタの開発動向
(1) カラー化の種類 |
151 |
(2) カラーフィルタ(CF)の課題と開発動向
A.ブラックマトリクス(BM)
B.着色層
(イ) モニター・TV用カラーフィルタ
a.EBU規格対応のカラーフィルタ
b.NTSC色カラーフィルタ
(ロ) モバイル用(反射型・反透過型CD用)途用カラーフィルタ
C.オーバーコート材
D.ポスト(柱状)スペーサー |
152 |
| (3) 将来求められるCF新技術 |
158 |
| 2.5.2 大幅に変革するバックライトシステム技術 |
159 |
| (1) 液晶パネル用バックライトの構造 |
159 |
(2) サイドライト方式の高輝度、高効率化技術
A.高輝度細管冷陰極水銀蛍光ランプ
(CCFL：Cold Cathode Fluorecent Lamp)
(イ) 外部電極蛍光ランプ
(EEFL：External Electrode Fluorescent Lamp)
(ロ) コンデンサーの削除によるコスト低減
B.キセノン蛍光ランプ(水銀レスランプ)
(イ) キセノン蛍光ランプの特徴
(ロ) キセノン蛍光ランプの種類
a.管型
b.平面放電型
c.微細放電型
C.新光源白色LED(Light Emitting Diod)の開発と応用動向
(イ) 白色LEDの構造、パッケージ
(ロ) 白色LEDの原理と種類
(ハ) 高効率LEDの開発
a.砲弾型の改良
b.高効率反射型LED
(ニ) 白色LEDの応用範囲の拡大
D.ELパネル光源
(イ) 無機EL
(ロ) 白色発光有機ELバックライト
E.導光板の新しい高輝度化技術
(イ) 従来方式
(ロ) 新方式の高輝度・高効率化バックライト技術
a.微小光学素子一体型導光板(日本ライツ)
b.正反射成分光の利用
c.ホログラムを形成した導光体技術
d.偏光出射技術
e.ベクター放射結合方式LEDバックライト(オムロン)
f.フロントライト導光板反転型バックライト(富士通化成)
g.両面出光バックライト「ボスライト」(富士通化成)
(ハ) 導光体用樹脂 |
160 |
(3) 液晶TV用バックライト技術の動向
A.ランプ輝度低下を抑制する保護膜技術
(イ) CCFL輝度低下の原因
(ロ) CCFL輝度低下抑制技術
(ハ) バックライトユニットのUV劣化抑制技術
B.新光源パワーLED
C.コスト削減対策
(イ) ランプ本数の削減
(ロ) インバータの削減
(ハ) 拡散板の高効率化 |
179 |
| 2.5.3 その他の周辺光学部材の最新動向 |
185 |
(1) 偏光板(フィルム)
A.吸収型偏光板の効率改善
B.偏光板の動向
(イ) 印刷方式の偏光板“Optiva TCF”
(ロ) 偏光板一体型フィルム
C.非吸収型偏光板による輝度向上技術
(イ) 反射偏光板「NIPOCS」(日東電工)
(ロ) 輝度向上フィルム「DBEF」(住友スリーエム) |
185 |
(2) 光学補償板(位相差板)
A.3次元屈折率の制御と視野角特性の最適化技術
B.光学補償板の種類
(イ) ポリカーボネート一軸延伸フィルム
(ロ) 温度補償型位相差フィルム(TCRF)(住友化学工業)
(ハ) 「VACフィルム」(住友化学工業)
(ニ) 「LCフィルム」(新日本石油)
(ホ) 「NHフィルム」(新日本石油)
(ヘ) 「偏光板一体型WVフィルム」(富士写真フィルム)
(ト) 1/4λ位相差フィルム
(チ) 複屈折温度追従型位相差フィルムツイスター(ポラテクノ) |
189 |
(3) 光拡散フィルム、プリズムシート等
A.光拡散フィルム(前方散乱フィルム)
(イ) 光制御板「ルミスティー」(住友化学工業)
B.プリズムシート |
194 |
| 2.6 新ディスプレイの開発動向 |
196 |
| 2.6.1 高付加価値フレキシブルLCDの開発動向 |
196 |
(1) モバイル向けプラスチックLCDの開発状況
A.プラスチック基板を用いた反射型カラーTFT液晶ディスプレイ(シャープ)
B.プラスチック基板に転写法で作製した低温多結晶Si-TFTパネル(ソニー)
C.曲がる大型液晶ディスプレイ(東芝松下ディスプレイテクノロジー)
D.セイコーエプソン |
198 |
(2) プラスチック基板材料の開発
A.プラスチック基板の要求性能
B.新規フレキシブル基板材料の開発動向
(イ) ポリエーテルサルホン(PES)、ノルボルネン樹脂(住友ベークライト)
(ロ) ポリカーボネート(PC)(帝人)
(ハ) 日東電工
(ニ) 超高耐熱プラセル基板「THシリーズ」(新日鐵化学) |
205 |
(3) プラスチックLCD用TFTの研究
A.多結晶シリコン薄膜の低温作製技術
B.有機TFTの試作状況
(4) フレキシブル液晶ディスプレイの新技術 |
208 |
── 強誘電性液晶を用いたフレキシブル素子
A.要求事項
B.新しい液晶素子構造(NHK放送技術研究所)
(イ) 繊維と強誘電性液晶の複合膜を用いたフレキシブル素子
(ロ) ポリマー壁を用いたフレキシブル強誘電性液晶素子 |
211 |
| 2.6.2 3Dディスプレイ |
217 |
(1) 立体視の原理と方法
A.立体視の原理と種類
(イ) 人の知覚
(ロ) 3Dディスプレイの種類と特徴
B.3Dディスプレイの原理
(イ) レンチキュラー方式
(ロ) パララックスバリア方式
(2) 各社の3Dディスプレイ方式 |
217 |
A.三洋電機
B.シャープ
C.ナムコ |
221 |
第3章 EL(Electroluminescent)ディスプレイの現状と最新技術動向 |
228 |
| 3.1 有機ELディスプレイの開発動向 |
228 |
| 3.1.1 有機EL素子の基本構造と動作原理 |
229 |
(1) 基本構造
(2) 有機ELの発光
A.発光原理 |
229 |
B.発光効率
(3) 有機ELのカラー化方式
(4) 有機ELの駆動方式 |
230 |
(5) 有機ELディスプレイの特徴
A.ディスプレイとしての性能
B.LCDとの競合 |
234 |
| 3.1.2 有機ELディスプレイの要素技術 |
236 |
| (1) 有機ELディスプレイの課題 |
236 |
| (2) 有機ELディスプレイの発光効率の改善技術 |
237 |
| (3) 有機ELの素子構造 |
237 |
(4) 電極部近傍の改善
A.電子注入層へのドーピング技術
B.ホール注入層へのドーピング技術
C.LiF(弗化リチウム)を挿入した低仕事関数の電極
D.超高効率マルチフォトエミション(MPE：Multi-Photon Emission)素子
|
240 |
(5) 発光材料
A.低分子系有機EL材料の種類と特徴
B.高分子系有機EL材料の種類と特徴
(イ) 高分子系発光材料の代表例
(ロ) 積層構造 |
243 |
| (6) 高分子系及び低分子系有機ELディスプレイの特性 |
247 |
| 3.1.3 高効率発光材料の開発 |
249 |
(1) 低分子系(蛍光、燐光)有機EL素子の発光効率と寿命
(2) 燐光材料の発光効率と寿命
A.燐光材料の発光効率
(イ) 緑色燐光材料
(ロ) 黄、橙、赤色燐光材料
(ハ) 青色燐光材料
B.効率と駆動寿命の両立
(イ) 緑色燐光素子
(ロ) 赤色燐光素子
(ハ) 燐光デンドリーマ |
249 |
(3) 蛍光材料の開発
A.青色発光材料
B.赤色、橙色発光材料
C.白色発光材料 |
256 |
| 3.1.4 パッシブマトリクス型有機ELディスプレイの将来動向 |
259 |
| 3.1.5 アクティブフルカラー有機ELディスプレイの開発 |
263 |
| (1) アクティブマトリクス型ELディスプレイのプロセスと技術課題 |
263 |
(2) 有機EL用TFT基板の動向
A.アモルファスSiか多結晶Siか
(イ) 多結晶Si-TFT
(ロ) アモルファスSi-TFT
B.TFT特性の補正方法
(イ) 輝度特性の補正
(ロ) TFTばらつき補正
C.TFTの駆動方式
D.画素構造と高開口率 |
264 |
(3) フルカラー化技術の本命
A.3色塗り分け法
(イ) 3色塗り分け法の課題
(ロ) 色バランスと補正法
B.カラーフィルタ(CF)方式
C.色変換法(CCM)
(イ) CCM方式の原理
(ロ) CCM方式の利点
(ハ) CCM方式の課題
(ニ) 白色EL色素を用いた色変換技術(出光興産) |
268 |
(4) フルカラー中型有機ELディスプレイの試作状況
A.試作状況の推移
B.白色発光とカラーフィルタを用いた14.7型TV用ディスプレイ(三洋電機)
C.インクジェット法による17インチ型有機ELディスプレイ(東芝松下ディスプレイテクノロジー) |
272 |
| 3.2 有機ELディスプレイの製造技術の動向 |
275 |
3.2.1 有機EL用透明導電膜と作製方法
(1) 透明導電膜の種類 |
275 |
| (2) 透明導電膜の作製方法 |
275 |
(3) 有機EL用透明電極膜の要求性能と製法
A.表面平滑性
B.低抵抗化技術(低電圧スパッター法)(アルバック)
C.H20添加による非晶質透明導電膜(アルバック)
D.OLED用透明導電(Super ITO)膜(アルバック)
E.イオンプレーティング法(住友重機械工業)
F.ITO-SL(東ソー)
G.IZO(Indium Zinc Oxide)(出光興産) |
276 |
| 3.2.2 有機EL膜成膜技術 |
280 |
| (1) フルカラー有機EL成膜の現状と課題 |
280 |
(2) 低分子有機EL膜の成膜技術の開発
A.中小型インライン型有機EL膜蒸着装置(アルバック)
B.低分子有機EL膜の新成膜技術
(イ) セル型蒸発源の課題
(ロ) 大型基板対応のリニアソース蒸着源 |
281 |
(3) 高分子有機EL膜の成膜技術の開発
A.インクジェット法を用いた高分子有機EL膜
(イ) インクジェット法の利点
(ロ) インクジェット法における基板大型化に伴う課題と対策
B.大型基板に対応可能な新パターニング技術
「LITI(Light Induced Thermal Imaging)法」
C.印刷法式
(イ) 印刷方式の種類
(ロ) 印刷法の新しい取組、グラビア印刷法(大日本印刷)
D.スプレイ法(富山大学) |
284 |
| 3.2.3 封止とシール材 |
289 |
| (1) キャップ封止 |
289 |
| (2) 膜封止技術「Barix Coating」(トッキ) |
291 |
(3) シール材
A.シール材への要求特性
B.シール材の種類と特性
(イ) 紫外線硬化型接着剤
(ロ) 可視光硬化型シール剤(日本ペイント) |
292 |
| (4) 水分ゲッターシート |
294 |
| (5) 成膜・封止の一体化(トッキ) |
296 |
| 3.3 有機ELディスプレイの市場と各社の動向 |
297 |
| 3.3.1 有機ELディスプレイの市場 |
298 |
| (1) 携帯用途 |
299 |
| (2) 携帯電話を除く小型用途 |
300 |
| (3) TV用途 |
300 |
| 3.3.2 各社の有機ELディスプレイの開発と生産体制 |
301 |
| (1) 三洋電機、米Eastman Kodak、SKディスプレイグループ |
301 |
| (2) NEC、サムスンSDI、サムスンNECモバイルディスプレイ (SNMD)グループ |
302 |
| (3) 東北パイオニア |
303 |
| (4) TDK、出光興産グループ |
304 |
| (5) RiTdisplay |
305 |
| (6) ソニー、エスティーエルシーディグループ |
305 |
(7) IDT(International Display Technology)、
Chi Mei Optoelectronics Corporation(CMO)、IBMグループ |
306 |
| (8) セイコーエプソン |
307 |
| (9) 凸版印刷 |
307 |
| (10) 東芝松下ディスプレイテクノロジー |
307 |
| 3.4 有機ELはFPDの主役ディスプレイの1つに成り得るか |
308 |
| 3.4.1 信頼性の達成時期が有機ELの未来を決める |
308 |
| (1) 有機ELの劣化要因 |
308 |
(2) デバイス本体の劣化要因
A.電極に起因する劣化と対策
B.有機EL材料の熱的劣化と対策
C.有機EL材料の電気化学的劣化と対策
D.発光層界面の劣化対策 |
308 |
(3) 外的要因の対策
A.素子作製プロセス |
312 |
| B.シール材 |
312 |
(4) 発光効率アップ
A.内部量子効率向上
(イ) 燐光発光材料による量子効率向上
(ロ) 燐光発光材料のドーピングと寿命
B.光取り出し効率(ηexet)の改善
(イ) 光取り出し効率の改善方法
(ロ) 開口率の向上 |
312 |
| (5) 改善は可能との結論 |
315 |
| 3.4.2 燐光性材料導入による高分子ELの高効率化 |
316 |
(1) 隣光材料を導入した高分子材料開発
A.イリジウム錯体を発光中心部(コア)にしたデンドリマー
(イ) イリジウム錯体を導入したデンドリマーの特性
(ロ) デンドリマー燐光発光材料の企業化の動向
B.燐光性高分子材料(NHK放送技術研究所) |
316 |
| 3.5 無機ELのFPD市場本格参入の可能性を考える |
324 |
| 3.5.1 無機ELの発光原理と材料 |
324 |
| 3.5.2 無機ELの特徴 |
325 |
| 3.5.3 無機ELの将来性 |
328 |
第4章 プラズマディスプレイ(PDP)の現状と最新技術動向 |
|
| 4.1 PDP(プラズマディスプレイ)の基本技術 |
333 |
| 4.1.1 PDPの構造 |
334 |
| (1) 3電極構造 |
|
| (2) 反射型構造 |
|
| (3) ストライプ隔壁構造 |
|
| 4.1.2 発光の原理と表示方法 |
336 |
(1) 発光の原理
(2) 動作原理
A.セル構造
B.駆動電圧印加と壁電荷
C.階調と駆動法 |
336 |
| 4.2 PDPの高性能化技術 |
339 |
| 4.2.1 特性改善技術 |
339 |
(1) 動画擬似輪郭ノイズの解消と階調表示の改善
A.擬似輪郭障害発生のメカニズム
B.階調性の改善と擬似輪郭障害の解消
── 新駆動法CLEAR方式(パイオニア)
C.低レベル輝度の改善
(イ) γ-10(NEC)
(ロ) 新リアルガンマ技術(松下電器産業) |
339 |
(2) 発光効率の改善、高輝度化
A.セル構造の改善等による高輝度化、高発光効率化
(イ) パイオニアのセル構造
(ロ) NECの「プラズマX」
B.封入ガスによる輝度および発光効率改善
C.駆動方式改善による輝度向上(富士通日立プラズマディスプレイ) |
343 |
(3) 高コントラスト
A.暗所での高コントラスト化
(イ) 低輝度の実現、リアルブラック駆動方式(松下電器産業)
(ロ) 予備放電(NEC)
B.明所での高コントラスト化
(イ) プラズマパネル本体からの反射率の低減(NEC)
(ロ) 画素配列による効率化、高コントラスト(三菱電機) |
346 |
(4) 高解像度化
A.セル寸法の微細化
B.ALIS(Alternate Lighting Surface Method)駆動法
(富士通日立プラズマディスプレイ)
C.サブピクセルと駆動法の改善 |
349 |
(5) 色再現性
A.CCF：Capsulated Color Filterとアキュクリムゾン(NEC)
B.新ネオンカットフィルター(松下電器産業) |
352 |
(6) 画像処理
A.I-P(Interlace-Progressive)変換など
(イ) I-P変換(NEC)
(ロ) DIPP(デジタルイメージピクセルプロセッサ)(日立製作所)
(ハ) デジタルシネマリアリティ(松下電器産業)
(ニ) DET：Digital Emotional Technology(日本ビクター)
(ホ) ベガエンジン(ソニー)
B.その他の画像処理
(イ) パネルドライバー(ソニー)
(ロ) 2次元エンハンサー(松下電器産業) |
353 |
| 4.2.2 各社パネルメーカーの製品動向 |
358 |
| (1) 松下電器産業、松下プラズマディスプレイ(MPDP) |
359 |
| (2) 富士通日立プラズマディスプレイ、日立製作所、富士通 |
360 |
| (3) NEC、NECプラズマディスプレイ |
360 |
| (4) パイオニア |
361 |
| (5) 国内5社次世代PDP開発センター(APDC)の設立 |
361 |
(6) 韓国企業の動向
A.サムスンSDI
B.LG電子 |
361 |
| 4.3 新しいPDP開発動向 |
361 |
| 4.3.1 新しい方式のカラーPDP、プラズマチューブアレイ(Fine Plasma Tube Array) |
362 |
| 4.3.2 PDPの製造方式におけるコストダウン |
367 |
(1) PDPの基本構造
A.リブ(隔壁)の形成
B.新しいリブ製造法
(イ) 印刷積層法
(ロ) 加圧型押法
(ハ) エンボス法LTCC-M技術
(ニ) ブレード成形法(三菱マテリアル)
(ホ) 転写法(凸版印刷)
C.シャドーマスクを用いた新しいカラーPDP
D.注入モールド法による障壁作製 |
367 |
(2) 回路コストの低減
A.回路コストの内訳
B.サステティン回路の改善によるコスト低減
(イ) TERES方式回路
(ロ) 電圧低減による利点
C.将来の駆動回路 |
374 |
(3) 電極形成法
A.インクジェット印刷技術による電極形成
(イ) インクジェット法の特徴
(ロ) 超微粒子を用いた導電性インク
(ハ) MACHプリントヘッド
B.Cr-Cu合金膜によるバス・アドレス電極形成法(日立金属) |
376 |
第5章 新しいFPD開発の最新技術動向 |
|
| 5.1 フィールドエミッションディスプレイ(FED)技術の最新動向 |
380 |
5.1.1 FEDの要素技術
(1) FEDの構造と動作原理
(2) FEDの種類と特徴
(3) 駆動方式、階調、スペーサー
(4) FED開発の課題 |
381 |
| 5.1.2 FED開発の現状 |
385 |
| (1) 様々な電子源を用いたFEDの開発状況 |
385 |
(2) スピント(Spindt)型FED
A.スピント型の表示原理
B.スピント型エミッタの製造プロセス
C.スピント型の特徴
D.スピント型FEDの開発状況
(イ) 双葉電子工業
(ロ) ソニー、キャンディセント(Candescent)
(ハ) 韓国電子通信研究所(ETRI) |
387 |
(3) カーボンナノチューブ(CNT)を用いたFEDの開発
A.CNT FEAの特徴
B.CNTを用いたFEDの試作状況
(イ) 高輝度FED表示エレメント(ノリタケ伊勢電子)
(ロ) NEC
(ハ) Samsung(SAIT)
(ニ) 産業技術研究所
(ホ) LGフィリップス |
390 |
(4) 弾道電子面放出型FED
(BSD：Ballistic electron Surface-emitting Device)
A.BSDの構造と動作原理
B.BSDエミッタ(松下電工) |
398 |
(5) 表面伝導素子(SCE：Surface Conduction Electron Emitter)FED
|
400 |
(6) 蛍光体の開発状況
A.低電圧FED用蛍光体
B.高電圧FED用蛍光体
C.高電圧型蛍光体の改善
(7) FEDのディスプレイとしての可能性 |
401 |
| 5.2 電子ペーパーの開発動向 |
403 |
| 5.2.1 電子ペーパーの定義と種類 |
403 |
(1) 電子ペーパーの概念
(2) 電子ペーパーのコンセプト |
403 |
(3) 電子ペーパーの実現形態
|
405 |
| 5.2.2 電子ペーパーの表示方式 |
406 |
(1) 電気泳動ディスプレイ(EPD：Electrophoretic Display)
A.電気泳動ディスプレイの基本原理
B.代表的な電気泳動ディスプレイ
(イ) マイクロカプセル型電気泳動方式表示(E Ink、凸版印刷)
(ロ) マイクロレンズアレイ電気泳動ディスプレイ
(ハ) インプレーン(In-Plane)型電気泳動ディスプレイ(キャノン)
(ニ) 可動性微粒子拡散型液晶ディスプレイ
(MFPD：Mobile Particle Display) ── (スタンレー電気)
(2) ツイストボール方式 |
406 |
| (3) 電解析出方式(ソニー) |
409 |
(4) 液晶方式
A.分離型LCD
B.ポリマーネットワーク型LCD
(PNLCD：Polymer Network Liquid Crystal Display)(大日本インク)
C.コレステリック液晶を用いた光書き込み型電子ペーパー
(富士ゼロックス)
D.カイラルネマティック(CN)液晶を用いたデジタルペーパー(ミノルタ) |
411 |
(5) サーマルリライタブル方式
A.サーマルリライタブル方式の概要
B.ロイコ染料を利用したサーマルリライタブル電子ペーパー(リコー) |
417 |
5.2.3 電子ペーパーの技術動向と将来性
(1) 用途の具体化と性能別分類 |
419 |
| (2) アプリケーション別市場予測 |
419 |
| 5.3 その他のディスプレイ技術 |
422 |
5.3.1 圧電セラミックディスプレイ
(1) 発光原理と構造
(2) 圧電セラミックディスプレイの特徴 |
423 |
| 5.3.2 プロジェクターの動向 |
427 |
| (1) プロジェクターの概要 |
427 |
(2) プロジェクターの種類
A.発光型
B.透過型
C.反射型
(イ) 反射型液晶素子型(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)
(ロ) 光制御型
(ハ) DLP(Digital Light Processing)方式
D.新方式GLV(Grating Light Valve)(ソニー) |
427 |
| (3) プロジェクター市場の概況 |
431 |
| 5.3.3 その他の表示機器の動向 |
433 |
(1) ウェアラブルコンピュータ用モニター
A.ウェアラブルディスプレイの条件
B.マイクロリフレクティブ・カラーディスプレイ
(Micro Reflective Color Display)(セイコーエプソン) |
433 |
(2) 新方式の立体映像(3D)ディスプレイ
A.新しい重ね合わせ方式の3D表示
(NTTサイバーコミュニケーション総合研究所)
B.ホログラフィー技術の動向
C.指向性画像の高密度表示 |
435 |
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