| |
頁 |
| 第１章 薄膜形成技術と応用 |
1 |
| 1.1 薄膜形成技術の概要 |
1 |
| 1.2 物理気相成長法（PVD：Physical
Vapor Deposition） |
8 |
| 1.2.1 真空蒸着法 |
9 |
| (1) 蒸着装置と蒸発源 |
10 |
| (2) 露点（レトルト）法 |
12 |
| 1.2.2 レーザアブレーション法（Laser
Ablation） |
13 |
| 1.2.3 分子線エピタキシー法（MBE：Molecular
Beam Epitaxy） |
15 |
| 1.2.4 イオンプレーティング（Ion
Plating）法 |
16 |
| (1) プラズマ方式とイオンビーム方式 |
17 |
| (2) 反応性イオンプレーティング |
17 |
| (3) プラズマ方式イオンプレーティング装置 |
18 |
| Ａ．直流（DC）法（Mattox法） |
18 |
| Ｂ．多陰極熱電子照射法 |
18 |
| Ｃ．高周波励起（RF）法（Radio
Frequency） |
19 |
| Ｄ．ホローカソード（HCD）放電法 （Hollow
Cathode Discharge） |
20 |
| Ｅ．ホローカソード活性化高速蒸着（HAD）法 |
21 |
| Ｆ．アークイオンプレーティング（AIP）法（Arc
Ion Plating） |
21 |
| Ｇ．活性化反応蒸着（ARE）法（Activated
Reactive Evaporation） |
22 |
| Ｈ．電子ビーム励起プラズマ（EBEP）法（Electron
Beam Enhanced Plasma） |
23 |
| (4) イオンビーム法 |
23 |
| 1.2.5 蒸着重合法を用いた高分子薄膜の作製 |
25 |
| 1.2.6 スパッタリング法（Sputtering） |
26 |
| (1) 特徴と用途 |
27 |
| (2) 非反応性スパッタリングと反応性スパッタリング |
30 |
| (3) プラズマ方式 |
31 |
| Ａ．２極型スパッタ |
31 |
| Ｂ．３極・４極スパッタ法 |
31 |
| Ｃ．高周波（RF）スパッタ法 |
32 |
| Ｄ．対向ターゲットスパッタ法 |
32 |
| Ｅ．マグネトロンスパッタ（Magnetron）法 |
33 |
| (4) イオンビーム方式 |
34 |
| Ａ．イオンビームスパッタ |
34 |
| Ｂ．ECRスパッタ法（Electron
Cyclotron Resonance；電子サイクロトロン共鳴） |
35 |
| Ｃ．固体ソースECRプラズマ成膜 |
36 |
| (5) その他のスパッタ法 |
38 |
| 1.3 化学的気相成長（CVD）法（Chemical
Vapor Deposition） |
39 |
| 1.3.1 CVD技術の概要 |
39 |
| 1.3.1 熱CVD法 |
41 |
| (1) 常圧CVD法（APCVD：Atmospheric
Pressure CVD） |
43 |
| (2) 減圧CVD法（LPCVD：Low
Pressure CVD） |
43 |
| (3) 有機金属CVD（MOCVD）法（Metal
Organic CVD） |
44 |
| (4) Cat-CVD法（Catalytic
Chemical Vapor Deposition） |
44 |
| 1.3.2 プラズマCVD法 |
46 |
| (1) 高周波(RF)プラズマCVD（Radio
Frequency Plasma CVD） |
47 |
| Ａ．容量結合型プラズマCVD |
47 |
| Ｂ．誘導結合型プラズマ（ICP）CVD （Inductively
Coupled Plasma、略称ICP） |
49 |
| Ｃ．RFプラズマCVDによるa-Si:H（非晶質水素化シリコン）薄膜の形成 |
50 |
| (2) UHF帯RFプラズマCVDによ多結晶シリコン薄膜形成（名古屋大学） |
51 |
| (3) ECRプラズマCVD |
55 |
| (4) ヘリコン波プラズマCVD（Helicon
Waves Plasma CVD） |
56 |
| 1.3.3 光CVD |
57 |
| 1.3.4 スプレーCVD法 |
60 |
| 1.3.5 大気圧プラズマ生成制御と応用動向 |
61 |
| (1) 大気圧グロープラズマの特徴 |
61 |
| (2) 大気圧プラズマによる電子材料洗浄プロセス（積水化学工業） |
63 |
(3) 大気圧プラズマCVDによる高ガスバリアDLC薄膜の合成
（神奈川科学技術アカデミー） |
65 |
| (4) 大気圧プラズマによるマスクレス微細線エッチング技術（松下電器産業） |
67 |
| (5) 大気圧プラズマCVDによる配向カーボンナノチューブの合成（東工大） |
71 |
| 1.4 液相成長法 |
74 |
| 1.4.1 めっき法 |
75 |
| 1.4.2 陽極酸化法 |
75 |
| 1.4.3 化成処理法 |
75 |
| 1.4.4 液相エピタキシー法（Liquid Phase
Epitaxy） |
76 |
| 1.4.5 溶射法（Thermal Spraying） |
76 |
| 1.4.6 塗装法 |
77 |
| 1.4.7 塗工法 |
77 |
| (1) 塗工装置 |
78 |
| (2) コーティング方式の分類 |
85 |
| 1.4.8 塗布成膜法 |
86 |
| (1) ゾル−ゲル法（Sol-Gel
Processing）、光アシストゾル−ゲル法 |
86 |
| (2) 塗布熱分解法 |
87 |
| (3) 微粒子分散法 |
87 |
| 1.4.9 印刷法 |
87 |
| (1) 凸版印刷法 |
88 |
| (2) 凹版印刷法 |
90 |
| (3) 平版印刷法 |
90 |
| (4) 孔版（スクリーン）印刷法 |
91 |
| (5) 電子写真法 |
92 |
| (6) インクジェット法 |
93 |
| Ａ．オンデマンド式インクジェット法 |
94 |
| Ｂ．連続式インクジェット法 |
96 |
| Ｃ．微細インクジェット |
97 |
| 1.4.10 ソフト溶液プロセスによる高機能薄膜形成技術の例 |
98 |
| (1) 究極の薄さを持つ高誘電体ナノ材料（独立行政法人物質・材料研究機構） |
98 |
| (2) 電気化学を用いる高機能セラミックス膜の直接合成 |
100 |
| (3) 水熱化学、光化学、マイクロ波化学などによる高機能セラミックスの作製 |
101 |
| (4) 溶液噴霧を利用した薄膜形成技術の動向 |
101 |
| Ａ．静電噴霧熱分解法 Ｂ．エアロゾル堆積法 |
101 |
| Ｃ．ミスト堆積法（Mist
Deposition；MD） |
102 |
| (5) マイクロ流体プロセスによる微細配線技術 |
103 |
| Ａ．自己組織化単分子膜（SAM）によるパターニング |
103 |
| Ｂ．インジェット法による自己組織的パターニング |
103 |
| Ｃ．ミスト堆積薄膜作製法の有機EL素子への応用 |
104 |
| Ｄ．微小流れによる微細化 |
105 |
| 1.5 ナノインプリント法による樹脂の新規ナノ加工 |
106 |
| |
| 第２章 光学用薄膜 |
115 |
| 2.1 光学用薄膜の概要 |
115 |
| 2.1.1 光学用薄膜の種類 |
115 |
| (1) 反射防止膜（AR：Anti-Reflection） |
115 |
| (2) 増反射膜（Mirror Coating） |
117 |
| 2.1.2 光学用薄膜の材料と成膜法 |
119 |
| 2.2 光学薄膜の作成と応用（ガラス基板上） |
122 |
| 2.2.1 ドライ成膜方法と特徴 |
122 |
| (1) 真空蒸着法（抵抗加熱、電子ビーム（EB）加熱） |
122 |
| (2) スパッタリング |
123 |
| (3) イオンアシストプロセス（IAD、IBSD、IPD） |
123 |
| 2.2.2 イオンアシスト蒸着による光学薄膜の作成 |
124 |
| (1) イオンアシスト蒸着法を用いたDWDM用狭帯域フィルタ（シンクロン） |
124 |
| (2) イオンアシスト蒸着（IAD）による光通信用光学フィルタ（オプトラン） |
126 |
(3) EB（電子ビーム）蒸着法とIAD（イオンアシスト）蒸着法を用いた
YAGレーザ用AR膜 |
127 |
| 2.2.3 新規スパッタリングによる光学薄膜の作成 |
127 |
| (1) デュアルマグネトロンスパッタ法（DMS） |
127 |
Ａ．反応性マグネトロンスパッタリングによる赤外線（IR）カットフィルタの作成
（コニカミノルタオプト） |
128 |
| (2) イオンビームスパッタ法を用いたフッ化物成膜（日本航空電子工業） |
131 |
(3) 高速・高品質スパッタ成膜装置「ラジカルアシストスパッタリング（RAS）」
（シンクロン） |
133 |
| (4) デジタルスパッタ法を用いた光学膜成膜装置（アルバック） |
137 |
| 2.2.4 固体ソースECRプラズマ法 |
138 |
| 2.3 プラスチック基材用光学薄膜の形成技術 |
141 |
| 2.3.1 プラスチック基板光学薄膜の密着強度、耐久性向上 |
141 |
| 2.3.2 ドライ法によるプラスチッック基板上光学薄膜の作成 |
144 |
(1) 酸素イオン照射注入（MOI法：Metal
Deposition and Oxygen-ion
Implantation）によるARコーティング（CBCイングス） |
144 |
(2) 電子ビーム蒸着法によるアクリル樹脂への高付着力反射防止膜形成技術
（豊橋技術科学大学） |
146 |
(3) 矩形波パルスマグネトロンスパッタによるプラスチックレンズの表面処理
（FEP） |
148 |
(4) ロールツーロールデジタルスパッタリング（メタモード）によるディスプレイ用
プラスチック基板への光学薄膜コーティング技術（タイゴールド） |
151 |
| (5) 機能性フィルム用ロールコータ（アルデンヌジャパン） |
154 |
| (6) イオンプレーティングを利用した無加熱成膜装置（新明和工業） |
158 |
| 2.3.3 ウェット法による反射防止膜の作成 |
159 |
| (1) ウェット法による反射防止フィルム要求 |
159 |
| (2) 光学用低屈折率コーティング材（松下電工） |
160 |
| (3) PDP用反射防止フィルム（住友大阪セメント） |
161 |
| (4) 薄型ディスプレイ用低コスト反射防止フィルタ（大日本印刷） |
162 |
| (5) キズが付き難い反射防止コーティング（日産化学工業） |
162 |
| (6) プラズマパネル用反射防止フィルム（日本油脂） |
162 |
| (7) 新規光学膜（NIDEK） |
162 |
| (8) 眼鏡用樹脂製レンズ（セイコーオプティカルプロダクツ） |
164 |
| 2.3.4 ナノインプリント技術を利用した広帯域1/4波長板 |
164 |
| |
| 第３章 FPDの大型化・低コスト化・高機能化を支える薄膜技術の動向 |
169 |
| 3.1 液晶ディスプレイ（LCD）における薄膜技術 |
169 |
| 3.1.1 LCDの構造・動作と製造プロセス |
170 |
| 3.1.2 液晶ディスプレイの課題 |
176 |
| (1) 大型ディスプレイの表示品位の向上 |
177 |
| Ａ．輝度 |
177 |
| Ｂ．コントラスト |
177 |
| Ｃ．視野角の改善 |
178 |
| Ｄ．応答速度 |
179 |
| (2) 大型化とコスト低減対策 |
181 |
| (3) 低温ポリシリコン液晶 |
184 |
| (4) 将来の液晶ディスプレイ-フレキシブルディスプレイ |
184 |
| 3.1.3 アレイ製造工程と薄膜技術 |
184 |
| (1) a-SiTFTの構造 |
185 |
| (2) a-Si非晶質シリコン薄膜の成膜技術 |
186 |
| Ａ．大型基板対応平行平板プラズマCVD装置（AKT） |
186 |
Ｂ．Cat-CVD技術の大型基板への適用
（北陸先端科学技術大学院／アルバック） |
187 |
| (3) ゲート配線用金属の成膜技術（コベルコ科研） |
193 |
| 3.1.4 カラーフィルタの製膜技術 |
193 |
| (1) カラーフィルタの基本構成 |
193 |
| (2) カラーフィルタの非スピンコート法 |
196 |
| Ａ．非スピン塗布装置（東京応化工業） |
196 |
| Ｂ．スリットコータ塗布技術（東レ） |
198 |
| Ｃ．精密ノズル塗布装置（東レ） |
199 |
| (3) カラーフィルタ形成方法 |
199 |
| Ａ．フォトリソ法 |
199 |
| イ PDCR法（Pigment Dispersed
Color Resist） |
199 |
| ロ エッチング法（東レ） |
200 |
| ハ FMT法（Filmed Mass
Transfer）（富士フイルム） |
201 |
| Ｂ．印刷法 |
201 |
| イ 凹版法（東洋紙業） |
201 |
| ロ 高解像度レーザグラビア印刷法（シンク・ラボラトリー） |
201 |
| Ｃ．「新規印刷法・反転印刷法」（光村印刷） |
202 |
| Ｄ．電着法 |
202 |
| Ｅ．レーザ転写法 |
203 |
| Ｆ．インクジェット法 |
203 |
| イ インクジェット法によるカラーフィルタ生産（大日本印刷） |
204 |
| ロ インクジェット法によるカラーフィルタ（韓国・LG化学） |
205 |
ハ 金型成型＋インクジェット法によるカラーフィルタ
（フューチャービジョン／シャープ） |
205 |
| Ｇ．レーザ直接描画法 |
205 |
| イ レーザ直接描画技術（エキシテック） |
205 |
| ロ レーザ直接描画技術（オプセル） |
207 |
| Ｈ．電子写真法 |
208 |
| Ｉ．染料 |
208 |
| (4) フィルム基板カラーフィルタの開発 |
208 |
| Ａ．フィルムカラーフィルタ（ミクロ技術研究所） |
208 |
| Ｂ．ロール・ツー・ロール方式のカラーフィルタ（TRADIM） |
209 |
| (5) カラーフィルタ用材料 |
209 |
| Ａ．カラーレジスト材料（新エスティーアイテクノロジー） |
210 |
| Ｂ．液晶TV用高コントラストカラーレジスト（日立化成） |
211 |
| 3.1.5 液晶セル製造工程 |
212 |
| (1) 液晶配向膜 |
212 |
| (2) 各社の液晶配向装置・材料開発 |
214 |
| Ａ．ラビング装置（常陽工学） |
214 |
| Ｂ．大型液晶パネル用PIインクジェット塗布装置（芝浦メカトロニクス） |
215 |
Ｃ．インクジェット法による高温多結晶シリコンTFT液晶パネルの
配向膜形成（セイコーエプソン） |
216 |
Ｄ．高温ポリシリコン液晶パネル向けの無機配向処理
（セイコーエプソン、ソニー） |
217 |
| Ｅ．光配向材料（大日本インキ化学工業） |
218 |
| (3) 柱状スペーサの成膜法 |
221 |
| Ａ．フォトスペーサ（新エスティーアイテクノロジー） |
222 |
| Ｂ．フォトスペーサ（京セラケミカル） |
223 |
| Ｃ．インクジェットによるスペーサの形成（アルバック） |
223 |
| (4) シール剤の成膜（プリマックス） |
224 |
| 3.1.6 光学用フィルム |
225 |
| (1) 偏光板 |
225 |
| Ａ．非吸収型偏光板（日東電工） |
227 |
| Ｂ．反射防止偏光フィルム |
228 |
| Ｃ．高耐久染料系偏光フィルム（住友化学工業） |
228 |
| Ｄ．ナノインプリントによるワイヤー・グリッド型偏光フィルム（旭化成） |
229 |
| Ｅ．イン・セル偏光板方式（ソニー） |
231 |
| Ｆ．溶融押出し法によるTAC代替フィルム（慶應大学／科学技術振興機構） |
232 |
| Ｇ．VA型液晶用低コスト・視野角拡大機能付きTACフィルム（コニカミノルタ） |
234 |
| (2) 位相差板 |
235 |
| Ａ．位相差板の種類と機能 |
235 |
| Ｂ．位相差板の製造工程 |
237 |
| Ｃ．広視野角位相差フィルム |
239 |
| Ｄ．高速応答液晶OCB用視野角拡大フィルム
（富士写真フィルム） |
241 |
| (3) 偏光板・位相差板の一体化 |
242 |
| Ａ．偏光板・位相差板の一体化（フューチャービジョン／シャープ） |
242 |
Ｂ．大型液晶テレビ用低コスト広幅位相差フィルム「新ゼオノアフィルム」
(日本ゼオン) |
243 |
| Ｃ．塗布型補償板付き偏光板（日東電工） |
244 |
| 3.1.7 バックライト |
245 |
| (1) バックライトの構造と構成 |
245 |
| (2) 導光板の製造技術開発 |
246 |
| Ａ．射出プレス真空成型法（名機製作所） |
247 |
| Ｂ．インクジェット方式バックライト導光板（ミヤカワ） |
247 |
| Ｃ．インプリント技術による薄型導光板（Modilis） |
248 |
| (3) 拡散板の成膜技術 |
249 |
| Ａ．拡散フィルム「レキサン
イルミネックス」（GEプラスチックス） |
249 |
| Ｂ．ナノインプリントによる拡散シート（アイトリックス） |
250 |
| (4) プリズムシート |
251 |
| Ａ．下向きプリズムシート「ダイヤアート」（三菱レイヨン） |
252 |
| Ｂ．非球面集光型高輝度プリズムシート（三菱レイヨン） |
253 |
| Ｃ．金コロイド使用プリズムアレイ（オムロン） |
254 |
| (5) 機能一体化シートおよび導光板 |
255 |
| Ａ．拡散・集光機能の一体化フィルム（東レ) |
255 |
| Ｂ．拡散シート機能を付与したプリズムシート（三菱レイヨン） |
255 |
| (6) バックライトの高効率化・低コスト化を実現する拡散機能複合導光板 |
256 |
| Ａ．機能複合型導光板「ミラブライト」（クラレ） |
256 |
Ｂ．ロール・ツー・ロールで製造できる厚さ0.6mmの超薄型バックライト
光学系（TRADIM） |
258 |
| Ｃ．偏光フィルタ不要の偏光発光有機EL応用のバックライト（産総研） |
258 |
| Ｄ．拡散板を使用しない直下型バックライト（多摩ファインオプト） |
259 |
| Ｅ．携帯電話向けの点光源型リバーシブルライト（オムロン） |
259 |
(7) 液晶テレビ向けの直下型新LED-バックライトユニット
（オムロン/多摩ファインオプト） |
262 |
| 3.1.8 LCD用反射防止膜の開発 |
262 |
| (1) 低屈折率材料 |
263 |
| Ａ．低屈折率材料「オプスター」（JSR） |
263 |
| Ｂ．低／高屈折率複合反射防止膜「デソライト」（JSR） |
263 |
| Ｃ．特殊低反射フィルム「ReaLook」（日本油脂） |
265 |
| Ｄ．転写用反射防止フィルム（住友大阪セメント） |
265 |
| (2) 新規光学フィルム |
266 |
| Ａ．透過光制御フィルム「LightNavi」（日本油脂） |
266 |
| Ｂ．視野コントロールフィルム（信越ポリマー） |
267 |
| 3.2 PDPにおける薄膜技術 |
268 |
| 3.2.1 PDPとLCDとの特性比較 |
268 |
| 3.2.2 PDPの構造・動作 |
269 |
| 3.2.3 PDPの製造プロセス |
270 |
| 3.2.4 次世代低コスト製造プロセス |
276 |
| (1) 低コストリブ形成技術 |
276 |
| (2) テープ転写技術応用の低コスト電極形成法（デュポン） |
277 |
| 3.2.5 発光効率の改善技術 |
279 |
| (1) 高純度クリスタル層（パイオニア） |
279 |
| (2) 電極保護膜（NHK放送技研） |
280 |
| 3.2.6 PDP前面光学フィルタの開発 |
281 |
| (1) PDP光学フィルタの要求特性 |
281 |
| (2) スパッタ／メッシュタイプ光学フィルタの構成と特徴 |
281 |
| (3) 新規低コスト光学フィルタの開発 |
282 |
| Ａ．銀塩技術応用の電磁波シールドフィルタ（富士フイルム） |
282 |
| Ｂ．銀塩写真技術応用光学フィルタ「ピュアオプト」（藤森工業） |
284 |
| Ｃ．高透明性金属メッシュフィルタ（住友大阪セメント） |
284 |
| Ｄ．新型EMIメッシュ直貼り前面フィルタ（凸版印刷） |
285 |
| Ｅ．単一基材直貼り前面フィルタ（住友大阪セメント） |
286 |
| 3.3 有機ELにおける薄膜技術 |
286 |
| 3.3.1 有機ELディスプレイの概要 |
287 |
| 3.3.2 有機ELの課題 |
295 |
| 3.3.3 低分子有機EL薄膜の製造方法 |
295 |
| (1) 製造プロセス |
295 |
| (2) 蒸着源の改良 |
298 |
| Ａ．熱伝導性蒸発源「サーモボールバルブドセル」（日本ビーテック） |
298 |
| Ｂ．面蒸発源を用いた有機蒸着装置（日立造船） |
299 |
| Ｃ．ホットウォール蒸着技術（トッキ／山形大学／松下電工） |
300 |
| 3.3.4 高分子有機ELのウェット製膜技術 |
301 |
(1) インクジェット技術応用の大型フルカラー有機ELディスプレイ
（セイコーエプソン） |
301 |
| (2) 光触媒利用インクジェット塗布法（大日本印刷） |
302 |
| (3) 印刷法 |
302 |
| Ａ．凸版印刷法（凸版印刷） |
302 |
| Ｂ．グラビア印刷法（大日本印刷） |
303 |
| Ｃ．ノズルプリンティング法（大日本スクリーン製造） |
304 |
(4) 電子アシスト型蒸着重合法による有機EL素子の特性向上技術
（東京農工大） |
304 |
| 3.3.5 封止膜技術の開発 |
307 |
| (1) 低酸素・水蒸気透過性プラスチック基板（大日本印刷） |
307 |
| (2) 薄膜封止技術（トッキ） |
308 |
| (3) ECRプラズマスパッタによる高品質SiON保護膜（九州大学） |
308 |
| (4) 有機EL素子の封止厚みを10〜20μmにできるフィルム（小松精練） |
308 |
| 3.3.6 高性能有機材料の開発 |
309 |
(1) 有機EL全湿式成膜を可能にする電子輸送材料「DYETM-4」
（九州電力／大電／佐賀大学） |
309 |
| (2) Alq3の可溶性高分子錯体化（東大生研／日本軽金属） |
309 |
| (3) 正孔輸送材料「ナノ分散PPy液」（アキレス） |
310 |
| (4) 塗布型低分子有機半導体（MCRC／愛媛大学／九州大学） |
310 |
| (5) DNA発光層（東京工業大学） |
310 |
| (6) ゾルゲル法を用いた有機無機ハイブリッドEL薄膜（三重大学） |
311 |
(7) ナタデココ利用の低熱膨張透明基板
（パアイオニア／京都大学／三菱化学） |
312 |
| (8) ナノインプリント技術応用フォトニック結晶（京都大学） |
312 |
| (10)
りん光高分子発光材料を使用した単層型高分子有機EL（昭和電工） |
313 |
| 3.3.7 有機EL次世代テレビの試作（ソニー） |
314 |
| 3.4 透明導電膜 |
316 |
| 3.4.1 ITO膜 |
317 |
| (1) 成膜技術 |
317 |
| (2) スパッタリング法および装置 |
318 |
| (3) 大面積（第7世代以降基板）対応のACスパッタ方式（アルバック） |
319 |
| (4) TFT画素用非晶質ITO膜 |
322 |
| Ａ．H2O添加による非晶性ITO膜（アルバック） |
322 |
| Ｂ．In-Zn-O系非晶質透明導電膜（IZO膜） |
322 |
| (5) 低ダメージ・低温ITO膜成膜技術 |
323 |
| Ａ．低電圧スパッタ法（アルバック） |
323 |
| Ｂ．対向ターゲット方式スパッタ法（エフ・ティ・エス） |
325 |
| Ｃ．対向ターゲット式スパッタ法によるITO膜の低温高速成膜（東京工芸大） |
326 |
Ｄ．対向ターゲット方式／平行平板マグネトロンスパッタ方式スパッタ法
（アルバック） |
327 |
| Ｅ．PENベースのロール・ツー・ロールイオンプレーティング技術（トービ） |
328 |
| Ｆ．非晶質ITO薄膜の常温RFプラズマ結晶化技術（東京大学） |
330 |
| (6) ITO塗布法 |
330 |
| Ａ．透明導電塗料（住友金属鉱山） |
331 |
| Ｂ．板状ナノサイズ微粒子（日立マクセル） |
332 |
| Ｃ．「ITOインク」による透明電極の試作（アルバック） |
332 |
| Ｄ．光アシストゾル−ゲル法によるPET上ITO透明導電膜（KRI） |
332 |
| Ｅ．塗布法による透明導電膜（住友商事/Cambrios） |
333 |
| 3.4.2 ITO代替新透明導電膜 |
333 |
| (1) ZnO透明導電膜の成膜技術 |
333 |
| Ａ．マグネトロンスパッタ法ZnO透明導電膜 |
334 |
| Ｂ．反応性プラズマ蒸着によるZnO薄膜（高知工科大学） |
334 |
| Ｃ．大気圧低温プラズマによるZnO薄膜（香川大学） |
336 |
(2) スパッタ法による二酸化チタン系透明導電膜
（神奈川科学技術アカデミー／旭硝子） |
338 |
| 3.5 低温ポリシリコンTFT（Poly-Si Thin
Film Transistor）LCD技術 |
339 |
| 3.5.1 低温Poly-Si TFT技術の概要 |
340 |
| 3.5.2 低温p-Siの低温結晶化とTFT特性向上技術（ガラス基板上） |
342 |
| (1) 非晶質Si薄膜の結晶化技術の現状と課題 |
342 |
| (2) ELAの改良 |
343 |
Ａ．パルス変調固体レーザ結晶化（Selectively
Enlarging Laser
Crystallization）法による高移動度低温ポリSi−TFT（日立製作所） |
343 |
Ｂ．ダブルパルスレーザ走査法によるp-Si結晶粒の横方向成長
（九州工業大学／住友重機械工業） |
346 |
| Ｃ．Cat-CVD
a-Si：H膜/ELAによるp-Si成膜（北陸先端科技院大） |
349 |
Ｄ．多パルスELAによるポリシリコン薄膜の大粒径化
（山口大学／北陸先端科技院大） |
352 |
| (3) 固相成長法の改良 |
353 |
| Ａ．連続粒界結晶Si（シャープ／半導体エネルギー研究所） |
353 |
| Ｂ．SGS技術応用の有機EL（Samsung
SDI） |
353 |
Ｃ．Ni触媒誘起固相成長法による高品質Si1-xGex（0≦x≦1）
結晶薄膜の低温（≦550℃）形成（九州大学） |
353 |
Ｄ．フェリチンタンパク質を使用したa-Si膜の低温結晶化法
（奈良先端科学技院大／松下電器） |
360 |
| (4) CVD直接堆積法 |
363 |
| Ａ．熱プラズマジェットを用いたa-Si：H膜の結晶化技術（広島大学） |
363 |
Ｂ．大気圧アルゴンプラズマジェット照射によるa-Siの短時間結晶化
（埼玉大学） |
365 |
| Ｃ．大気圧プラズマCVDによる高速・低温p-Si形成（大阪大学） |
365 |
| Ｄ．電荷によるSi薄膜の低温結晶化（北陸先端科学技術院大） |
368 |
(5) 反応性熱CVDによる多結晶シリコンゲルマニウム薄膜の低温成長
（東京工業大学） |
368 |
| (6) 液体インクジェット技術を用いた新規低温多結晶Si-TFT作成技術 |
370 |
Ａ．液体Siとインクジェット法による低コスト低温多結晶Si製造技術
（セイコーエプソン/JSR） |
371 |
| Ｂ．インクジェット法による低温多結晶Si-TFTの金属配線（セイコーエプソン） |
372 |
| (7) p-Si TFTの特性改善（東京農工大学） |
372 |
| 3.6 プラスチックフィルム基板へのTFT成膜技術 |
374 |
| 3.6.1 プラスチックフィルム上の有機TFT |
374 |
| (1) 有機TFTの現状 |
374 |
| (2) 有機TFT駆動カラー液晶ディスプレイの試作（産総研、日立製作所） |
376 |
| (3) 塗布製法を用いた有機薄膜トランジスタのアレイ形成技術 |
377 |
| (4) 有機TFT駆動フルカラー有機ELディスプレイ（ソニー） |
378 |
| 3.6.2 プラスチックフィルム上のアモルファス透明酸化物半導体TFT |
380 |
| 3.6.3 プラスチックフィルム上の低温p-Si TFT |
381 |
| (1) 転写法 |
381 |
| Ａ．転写方式による曲がるCPU（半導体エネルギー研究所／TDK） |
381 |
| Ｂ．SUFTLA方式によるフレキシブルLCD（セイコーエプソン） |
381 |
| (2) 低温p-Si低温直接成膜 |
383 |
| Ａ．200℃以下で直接形成できるULTPS
TFT技術（SAIT） |
383 |
Ｂ．UHF
SiH4・H2プラズマによる高品質微結晶シリコン膜の低温形成
（名古屋大学） |
383 |
Ｃ．ICP−CVD法による150℃での高品質微結晶シリコン膜の低温形成
（ソウル大学） |
383 |
| Ｄ．a-Si非晶質のプラズマ処理による常温結晶化（東大先端研） |
384 |
