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頁 |
第1章 光通信と光デバイス |
1 |
| 1.1 光通信ネットワークの状況 |
1 |
| 1.1.1 大容量・高速ネットワークの実現に向けて |
2 |
| (1) アクセス系はFTTHネットワークへ |
3 |
| (2) 基幹系はWDMネットワークからフォトニックネットワークへ |
4 |
| A.WDMネットワーク |
4 |
| B.フォトニックネットワーク |
6 |
| C.「オール光化」の実用化への取り組み |
7 |
| 1.2 光デバイスの種類 |
9 |
| 1.3 波長可変レーザ |
10 |
| 1.3.1 温度同調DFBレーザとDFBレーザーアレイ |
10 |
| 1.3.2 DBRレーザ |
11 |
| 1.3.3 広帯域波長可変DBRレーザ |
12 |
| 1.3.4 マイクロマシン面発光レーザ |
13 |
| 1.3.5 マイクロマシン外部鏡型レーザ |
13 |
| 1.4 光ファイバ |
14 |
| 1.4.1 光ファイバの種類 |
14 |
| (1) ステップインデックス・マルチモード光ファイバ(SI) |
15 |
| (2) グレーデッドインデックス・マルチモード光ファイバ(GI) |
15 |
| (3) 汎用シングルモード光ファイバ(SM) |
15 |
| (4) 分散シフト・シングルモード光ファイバ(DSF) |
16 |
| (5) 非零分散シフト・シングルモード光ファイバ(NZ−DSF) |
16 |
| 1.4.2 フォトニック結晶ファイバ(PCF) |
16 |
| (1) フォトニック結晶ファイバの種類 |
16 |
| (2) フォトニック結晶ファイバの構造 |
17 |
| (3) フォトニック結晶ファイバの応用 |
18 |
| A.レーザーガイドスター用ケーブル |
19 |
| B.フォトニック結晶ファイバによる伝送実験 |
20 |
| C.低屈曲損失ファイバ |
21 |
| 1.5 光ファイバ型デバイス |
21 |
| 1.5.1 光ファイバ増幅器(希土類増幅器、ラマン増幅器) |
22 |
| (1) 希土類ドープ光ファイバ |
22 |
| (2) Erドープ光ファイバ増幅器 |
22 |
| (3) その他の希土類ドープ光ファイバ増幅器 |
24 |
| (4) 光ファイバラマン増幅器 |
24 |
| 1.5.2 分散補償ファイバ |
24 |
| 1.5.3 カーボンナノチューブ短パルスファイバレーザー |
25 |
| 1.6 平面光波回路(PLC)デバイス |
28 |
| 1.6.1 石英系PLC |
29 |
| 1.6.2 高分子系PLC |
29 |
| 1.7 光合分波器(AWG) |
30 |
| 1.7.1 ガラス系導波路回折格子フィルタ |
31 |
| (1) 高密度波長多重用AWG |
31 |
| (2) メトロポリタン系中・短距離ネットワーク用小型AWG |
32 |
| 1.7.2 高分子AWG波長可変フィルタ |
33 |
| 1.8 アッド・ドロップ装置 |
33 |
| 1.8.1 AWG型Add/Dropフィルタ |
34 |
| 1.8.2 Braggグレーティングフィルタ |
35 |
| 1.9 光スイッチ |
35 |
| 1.9.1 マイクロマシンを用いたメカニカル光スイッチ(MEMS型光スイッチ) |
36 |
| (1) ルーセントの三次元空間光スイッチ |
36 |
| (2) 富士通・富士通研究所の切り替え速度1msの光スイッチ |
37 |
| 1.9.2 バブルスイッチ |
38 |
| (1) アジレント社のバブルスイッチ |
38 |
| (2) NTTの熱毛管現象を利用した光導波路スイッチ |
38 |
| 1.9.3 導波路光スイッチ(石英系) |
40 |
| (1) PLC型光スイッチの基本構成 |
40 |
| (2) 1×16スイッチ(NTT) |
41 |
| (3) ノンブロッキング型16×16スイッチ(NTT) |
41 |
| 1.9.4 導波路光スイッチ(ポリマー系) |
43 |
| (1) Y分岐型光スイッチ |
43 |
| (2) 跳ね橋型光スイッチ(三菱電機) |
44 |
| (3) その他のポリマ光スイッチ(有機非線形光学材料、液晶など) |
46 |
| A.特許第3071916号「光スイッチとその製造方法」(特願平3−3415931、NTT) |
46 |
| B.特許第3094519号「光スイッチ素子」(特願平3−170314) |
47 |
| C.導波路型光非線形素子(特開平06−123898) |
47 |
| 1.9.5 超高速全光スイッチ |
49 |
| (1) 対称マッハツェンダー型全光スイッチ |
49 |
| (2) フォトニック結晶と非線形量子ドットを用いた対称マッハツェンダー型超小型全光スイッチ |
49 |
| (3) 次世代40Gbps光パケットネットワークシステムの試作(横河電機) |
50 |
| 1.10 光加入者システム用光部品 |
53 |
| 1.10.1 デジタルホームネットワークとPOF(Plastic Optical Fiber) |
53 |
| (1) デシタルホームネットワークの方式 |
53 |
| (2) IEEE1394 |
54 |
| (3) IEEE1394によるデジタル統合ホームネットワーク |
54 |
| (4) ホームネットワーク用POF |
55 |
| A.次世代情報家電のホームネットワーク実証実験 |
55 |
| B.PMMA系Sl−POFの低NA化 |
56 |
| C.マルチコアPOF |
56 |
| D.S400(400Mbps)規格対応のマルチレイヤ光ファイバ「Eska−Miu」(三菱レイヨン) |
57 |
| E.POFを用いた波長多重LAN(Local Area Network) |
59 |
| 1.10.2 光コネクターの経済化技術 |
60 |
| (1) 1.25μmφジルコニアフェルールの開発 |
61 |
| (2) バックパネル方式の採用 |
61 |
| (3) 経済化MU(FPCコネクター) |
61 |
| 1.10.3 光加入者システム用双方向伝送モジュール |
62 |
| (1) 低速系ONU用双方向伝送モジュール |
63 |
| (2) ATM−PDS用光モジュール |
64 |
| (3) フッ素化ポリイミドを用いたONU |
65 |
| 1.11 光インタコネクション用デバイス |
66 |
| 1.11.1 ボード間光インタコネクション用デバイス |
67 |
| (1) 光インターコネクションモジュールの特徴 |
68 |
| (2) ポリマ導波路によるボード間並列光インターコネクション |
70 |
| A.並列光インターコネクションモジュール「ParaBIT-1」(NTT) |
70 |
| B.フレキシブル導波路フィルムを用いたボード間光インターコネクション(NTT) |
72 |
| C.光シートバス(富士ゼロックス) |
72 |
| 1.11.2 チップ間光インターコネクション用デバイス |
75 |
| (1) チップ間光配線の実用化に向けての課題 |
75 |
| (2) LSIチップ間光配線技術の例 |
76 |
| A.平板型回折光学素子を用いたLSlチップ間光配線技術(沖電気工業) |
76 |
| B.マイクロレンズ用いた光入出力パッケージ(NTT) |
77 |
| C.光電変換機能付きインターポーザ(ASET) |
79 |
| 1.11.3 光導波路フィルムの作製法 |
80 |
| (1) 成形加工による光導波路作製 |
80 |
| (2) 剥離層法を用いた光導波路作製 |
81 |
| A.PMMA光導波路の作製 |
82 |
| B.ポリイミド光導波路の作製 |
82 |
| (3) スタンパを用いた光導波路作製 |
84 |
第2章 光ディスクの動向 |
89 |
| 2.1 光ディスクの概要 |
89 |
| 2.1.1 光ディスク記録再生の原理 |
89 |
| 2.1.2 光ディスクの種類と記録膜材料 |
91 |
| (1) 光ディスクの種類 |
91 |
| A.再生専用型 |
91 |
| B.追記型 |
91 |
| C.書き換え可能型 |
92 |
| 2.1.3 光ディスクの大容量化 |
92 |
| 2.2 DVDの開発動向 |
93 |
| 2.2.1 DVDの特徴と応用 |
94 |
| (1) DVDディスクのフォーマットの特徴 |
96 |
| A.D V D - R O M |
96 |
| B.1 0万回の記録消去：D V D - R A M |
96 |
| C.D V D ‐ R/D V D - R W |
97 |
| D.D V D - R / D V D - R Wに近い構造の＋ R / ＋ R W |
97 |
| (2) マルチフォーマット |
98 |
| (3) DVD商品の広がり |
99 |
| A.DVDプレーヤー、ビデオソフト |
99 |
| B.DVDレコーダー |
100 |
| 2.2.2 二層書き込み型DVD±Rの登場 |
102 |
| (1) 2層DVDディスクの特徴 |
102 |
| (2) 片面2層記録DVD±Rディスク製品 |
103 |
| A.片面2層記録DVD±R DL8.5GBディスク(三菱化学メディア) |
103 |
| B.「DVD-R」の片面2層化技術(パイオニア) |
104 |
| C.2層記録DVD対応ドライブ |
104 |
| 2.2.3 高速化すすむ記録型DVD |
105 |
| (1) 記録型DVDの高速化の課題 |
105 |
| (2) 高速記録対応追記型DVDディスクの開発 |
106 |
| A.記録感度の向上と熱干渉の抑制 |
106 |
| B.16倍速記録DVD±R |
108 |
| イ.三菱化学メディア |
108 |
| ロ.冨士写真フィルム |
108 |
| ハ.日立マクセル |
109 |
| ニ.リコー |
110 |
| ホ.新ライト・ストラテジの採用(フィリップス) |
110 |
| (3) 高速記録書き換え型DVDディスクの開発 |
111 |
| A.相変化記録の原理 |
111 |
| B.相変化型記録膜材料の種類 |
112 |
| C. 相変化型記録膜の高速記録化の課題と対策技術 |
113 |
| イ.再結晶化が発生するメカニズム |
113 |
| ロ.相変化記録膜の改良による高速結晶化と再結晶の抑制 |
114 |
| (1)GeSnTe(GeTe‐Sb2Te3)系 |
114 |
| (2)Sb70Te30共晶系 |
115 |
| ハ.3倍速記録対応のDVD−RAMディスク |
115 |
| ニ.ビスマス・テルル系相変化記録膜を用いたDVD-RAMディスクの16倍速記録技術(日立製作所と日立マクセル) |
116 |
| D.高速記録DVD-RW、 DVD＋RWディスクの開発 |
119 |
| イ.2倍速DVD-RW(パイオニア) |
119 |
| ロ.6倍速記録対応DVD-RWディスク(日本ビクター) |
121 |
| ハ.16倍速対応のDVD＋RW(リコー) |
121 |
| 2.2.4 赤色高出力半導体レーザの開発動向 |
121 |
| (1) 高出力化のための要素技術 |
122 |
| A.動作電流の低減 |
123 |
| B.最大光出力の向上 |
123 |
| C.I−Lキンク出力の向上 |
123 |
| D.ビーム形状 |
124 |
| (2) 各社の製品 |
124 |
| A.16倍速記録対応の赤色半導体レーザ |
124 |
| イ.三菱電機 |
124 |
| ロ.ソニー |
125 |
| ハ.ローム |
126 |
| B.2層DVD±R 16倍速記録用350mW出力赤色半導体レーザ(三菱電機) |
126 |
| C.650nm/780nmのモノリシック2波長タイプの高出力半導体レーザ(ソニー) |
127 |
| 2.3 次世代光ディスクの動向 |
128 |
| 2.3.1 Blu−ray Disc対HD DVDの主導権争い |
128 |
| (1) 次世代光ディスク「Blu−ray Disc」とHD DVDの争点 |
129 |
| (2) 規格の策定状況 |
132 |
| (3) 次世代光ディスク「Blu−ray Disc」とHD DVDの普及策 |
132 |
| A.米ハリウッド映画業界の囲い込み |
132 |
| B.映画ソフトの作製 |
134 |
| C.プレイヤー、レコーダーの普及 |
134 |
| D.パソコン用記録再生装置の普及 |
134 |
| E.ゲーム機 |
135 |
| F.青紫色レーザー |
135 |
| 2.3.2 Blu-ray Discの技術動向 |
135 |
| (1) 「Blu-ray Disc」の概要 |
136 |
| A.規格の種類 |
136 |
| B.BD-RE規格の概要 |
137 |
| イ.High NA(0.85)の対物レンズの採用 |
138 |
| ロ.光学的トレランス |
138 |
| ハ.0.1mm厚のカバー層採用 |
139 |
| ニ.トラック構造/信号処理技術 |
140 |
| ホ.片面2層ディスク |
142 |
| C.Blu−ray規格の派生規格 |
143 |
| D.Blu-ray Discの中核技術 |
144 |
| (2) Blu-ray Discの作製と特性 |
145 |
| A.書き換え可能なBlu-ray Disc |
145 |
| イ.片面単層ディスク |
145 |
| ロ.片面単層ディスクの製品化 |
145 |
| ハ.書き換え可能な片面2層媒体 |
146 |
| (1)片面2層ディスクの条件 |
146 |
| (2)2層ディスクの中間層の作製法 |
146 |
| (3)GeSbTe系材料を用いた書き換え型2層BDディスク(松下電器産業) |
147 |
| B.追記型Blu-ray Disc |
151 |
| イ.無機系 |
151 |
| ロ.有機色素系 |
151 |
| C.BD-ROMディスクマスタリング技術の最新技術 |
154 |
| イ.EB技術 |
155 |
| ロ.Deep UV技術 |
157 |
| ハ.liquid Immersion技術 |
157 |
| ニ.再生専用Blu-ray Discの量産技術 |
158 |
| (1)無機レジストを用いた高密度マスタリング(PTM)技術(ソニー) |
158 |
| (2)低コスト新技術「拡張DUV(Deep UV)マスタリングシステム(仮称)」 |
|
| (日本ビクター) |
160 |
| D.ハード・コート層の開発 |
161 |
| (3) Blu-ray Disc媒体の大容量化と高速記録化技術の動向 |
162 |
| A.書き換え可能Blu-ray Disc媒体 |
162 |
| イ.単層媒体の6倍速記録(TDK) |
162 |
| ロ.片面2層媒体の2倍速記録(松下電器産業) |
163 |
| B.追記型媒体BD-R |
163 |
| イ.無機系単層追記型の6倍速記録(TDK) |
164 |
| ロ.片面2層50GB追記型媒体の4倍速記録(TDK、松下電器産業) |
164 |
| ハ.100GBの大容量を実現する4層構造の追記型媒体(TDK) |
165 |
| C.再生専用Blu-ray Discの開発 |
166 |
| イ.100GBの4層ROMディスク(パイオニア) |
166 |
| ロ.紙素材の再生専用Blu-ray Disc(凸版印刷とソニー) |
167 |
| ハ.BD-DVDコンビネーションROMディスク技術(日本ビクター) |
168 |
| (4) Blu−ray Disc の光ピックアップ技術の動向 |
169 |
| A.球面収差を補正する技術 |
170 |
| B.1枚対物レンズ |
170 |
| イ.NA 0.95の単レンズ(日本ビクター) |
171 |
| C.Blue-ray Disc用集積型の光ピックアップ・モジュール |
172 |
| D.CD/ DVD/ BD互換再生の方法 |
173 |
| イ.青色/DVD/CD互換光ピックアップの開発(リコー) |
174 |
| ロ.回折面と屈折面からなる回折光学素子(HOE)を用いたBD/DVD/CD互換(シャープ) |
179 |
| E.3波長記録再生用光学ヘッド(ソニー) |
180 |
| (5) ブルーレイ録画再生機 |
181 |
| A.ソニー「BDZ-S77」 |
181 |
| B.約50BのBlu-ray Disc対応録画機(松下電器産業) |
182 |
| C.160GBハードディスク・DVD一体型ブルーレイディスクレコーダー「BD-HD100」(シャープ) |
182 |
| 2.3.3 HD DVDの開発動向 |
183 |
| (1) HD DVDの概要 |
183 |
| (2) 規格の策定 |
184 |
| (3) 線記録密度を高める技術 PRML |
184 |
| (4) HD DVDの媒体技術 |
185 |
| A.HD DVD−ROMの作製 |
185 |
| B.書き換え型HD DVDディスク |
188 |
| イ.片面単層ディスク |
188 |
| ロ.記録容量36Gバイトの書き換え型片面2層ディスク |
189 |
| C.HD DVDとDVDを再生できる2層ROMディスク(メモリーテックと東芝) |
190 |
| D.HD DVD再生用ディスク製造ライン(メモリーテック/東芝) |
191 |
| (5) 3媒体対応の互換光ピックアップ技術 |
192 |
| (6) ハード機器の開発 |
192 |
| A.映像再生用のプレーヤー |
192 |
| B.PCドライブ |
192 |
| C.青紫色半導体レーザ、LSI |
192 |
| 2.3.4 青紫色GaN半導体レーザの開発 |
193 |
| (1) GaN系レーザの概要 |
193 |
| A.ELOG/低転位GaN基板を用いたLDのデバイス構造と特性 |
194 |
| B.低転位密度のGaN基板を用いたLDのデバイス構造と特性 |
196 |
| イ.GaN基板上の青紫色半導体レーザの作製と特性(東芝) |
196 |
| C.その他の青紫色半導体レーザ |
201 |
| イ.MBE法でGaN系青紫色LDの試作(シャープ) |
201 |
| ロ.GaN系半導体レーザ薄膜のGaAs基板への貼り替え(パイオニア) |
202 |
| (2) 青紫色レーザ用基板の開発 |
202 |
| A.GaN単結晶基板 |
202 |
| イ.住友電工 |
203 |
| ロ.日立電線 |
203 |
| ハ.古河機械 |
203 |
| ニ.三菱化学、東京電波、東北大学 |
204 |
| B.GaNテンプレート |
205 |
| 2.4 次々世代光ディスク技術 |
205 |
| 2.4.1 近接場光を用いた高密度光メモリ |
206 |
| (1) 近接場光記録の特徴 |
206 |
| (2) プローブを用いたニアフィールド技術 |
207 |
| (3) SILを用いた高密度光メモリ |
208 |
| A.SILを用いた高密度化の原理 |
208 |
| B.新SILによる100GBニアフィールド光ディスクシステム(ソニー) |
208 |
| (4) 非線形膜を用いたニアフィールド技術 |
212 |
| A.磁気超解像再生技術 |
212 |
| B.スーパーレンズ |
213 |
| イ.スーパーレンズの原理 |
213 |
| ロ.スーパーレンズの進化(第1世代〜第2世代〜第3世代) |
215 |
| ハ.銀ナノ粒子の光ディスクへの応用 |
215 |
| 2.4.2 3次元多層ビット記録型光メモリ |
216 |
| (1) フォトンモードを用いた3次元多層ビット記録 |
217 |
| A.フォトクロミック色素を用いた3次元光メモリ |
217 |
| B.蛍光記録型3次元光メモリ |
219 |
| (2) エレクトロクロミック材料を使用した多層光ディスク(日立製作所) |
221 |
| 2.4.3 ホログラフィックメモリー技術の動向 |
223 |
| (1) ホログラフィックメモリーの特徴 |
223 |
| A.2光束干渉法を用いた角度多重記録 |
223 |
| B.球面参照光シフト多重記録 |
224 |
| C.記録媒体 |
225 |
| (2) ホログラム光ディスクの製品化に向けて |
225 |
| A.コリニア方式(オプトウエア) |
225 |
| イ.コリニア方式によるホログラムの記録再生 |
226 |
| ロ.反射型ホログラム光ディスクへの動画の記録・再生 |
226 |
| ハ.コリニアテクノロジーを利用したホログラムデータ記録ディスクの標準化 |
227 |
| B.日立マクセルと米インフェーズ・テクノロジー |
228 |
| (3) 薄膜ホログラム原理の光メモリー「インフォマイカ」(NTT) |
228 |
| 2.4.4 その他のTb級の大容量光ディスク |
230 |
| (1) マルチプローブデータストレージシステム(東北大) |
230 |
| (2) 相変化記録膜のナノパターン加工技術(日立製作所) |
231 |
| (3) 単一分子に情報記録 (九州大学、科学技術振興事業団) |
231 |
| (4) 近接場光を利用した光ディスク |
232 |
第3章 LEDの技術と応用 |
235 |
| 3.1 LED素子の概要 |
235 |
| 3.1.1 LEDの基本構造 |
237 |
| 3.1.2 白色LED |
238 |
| (1) 白色LEDの種類方式 |
238 |
| A.マルチチップ型 |
239 |
| B.ワンチップ型 |
239 |
| 3.1.3 LEDの接続方法 |
240 |
| 3.1.4 LEDの高光度化 |
241 |
| (1) 内部量子効率の向上 |
241 |
| A.ダブルヘテロ構造 |
241 |
| B.結晶成長技術 |
242 |
| C.結晶欠陥の低減 |
243 |
| (2) 光取り出し効率の向上 |
243 |
| (3) 大電流化と放熱性の向上 |
245 |
| A.LEDの接続方法 |
245 |
| B.接合と熱抵抗 |
246 |
| 3.1.5 LED市場 |
247 |
| (1) LEDの用途 |
247 |
| (2) 高輝度青色、白色LEDの市場 |
248 |
| (3) 高輝度LEDの分野別需要 |
249 |
| (4) LEDメーカー |
250 |
| 3.2 GaAs 、GaP系LEDの開発動向 |
251 |
| 3.2.1 AlGaAs赤色LED |
251 |
| (1) AlGaAs系LEDの構造と結晶成長 |
252 |
| (2) GaAs基板 |
253 |
| 3.2.2 AlGaInP系赤色、橙色、緑色LED |
253 |
| (1) LEDの構造と結晶成長 |
253 |
| (2) GaAs基板 |
254 |
| (3) AlGaInP系高効率LEDの開発 |
254 |
| A.GaP透明基板を用いたAlGaInP系赤色LED |
254 |
| B.TIP−LED |
255 |
| C.ITOを電極構造に応用した超高輝度LED(ナノテコ) |
256 |
| D.ガラス張り付けの赤色LED(昭和電工) |
257 |
| 3.3 青色、紫外 LEDの開発動向 |
258 |
| 3.3.1 GaN系青色LEDの技術と市場 |
259 |
| (1) MOCVDによるGaNの成長 |
259 |
| (2) p型GaN技術 |
260 |
| (3) InGaN−LED |
261 |
| (4) 青色LED業界動向と各社の製品 |
262 |
| A.日亜化学工業 |
263 |
| B.豊田合成 |
263 |
| C.クリー社(住友商事) |
263 |
| D.ルミレッズ・ライティング |
263 |
| E.星和電機 |
264 |
| F.サンケン電気 |
266 |
| G.昭和電工が青色LED市場に参入 |
266 |
| 3.3.2 紫外線LEDの開発動向 |
267 |
| (1) 紫外線LEDの構造と特性 |
268 |
| (2) 紫外線LEDの課題 |
269 |
| (3) 紫外線LEDの高出力化の取り組み |
270 |
| A.転位密度の低減 |
270 |
| B.組成不均一によるAlInGaN発光効率の向上(ナイトライド・セミコンダクター) |
271 |
| C.光出力30mWの紫外LED(ナイトライド・セミコンダクター) |
272 |
| D.GaN層を取り除いた高出力紫外LED(日亜化学工業) |
273 |
| 3.3.3 新規青色・紫外LEDの開発 |
275 |
| (1) 窒化ガリウムナノコラム結晶を用いた高効率の新規LED. (上智大) |
275 |
| A. GAN ナノコラム結晶、InGaN/GaN 多重量子井戸(ディスク)ナノコラム |
275 |
| B.InGaN/GaN 多重量子井戸(ディスク)ナノコラムLED の作製 |
276 |
| C.GaN/AlN 超格子ナノコラム |
278 |
| (2) 新素材酸化亜鉛青色・紫外LED |
279 |
| A.ZnOの励起子発光 |
279 |
| B.ZnO薄膜のp型伝導化 |
280 |
| C.世界で初めての酸化亜鉛pn接合の発光(東北大学金属材料研究所) |
281 |
| イ.酸化亜鉛のp型化技術 |
282 |
| ロ.酸化亜鉛ホモ接合発光ダイオード |
283 |
| 3.3.4 青色、紫外LED用基板材料 |
284 |
| (1) 基板の条件 |
284 |
| (2) GaN基板 |
285 |
| A.バルク単結晶 |
285 |
| B.厚膜形成 |
285 |
| (3) ZrB2導電性基板 |
286 |
| (4) 単結晶窒化アルミニウム膜の新製法(日本ガイシ、三重大工学部) |
286 |
| (5) 酸化亜鉛単結晶の量産(東京電波、三菱化学、東北大学) |
287 |
| (6) 新しい基板酸化ガリウム単結晶(早稲田大学) |
287 |
| 3.4 白色LEDの技術と応用動向 |
289 |
| 3.4.1 白色LED照明技術の現状と展望 |
290 |
| (1) 照明光源に要求される光の質 |
290 |
| (2) 白色LED照明の要求 |
291 |
| (3) 白色LED照明を実現するロードマップ |
292 |
| 3.4.2 明るさの向上技術の動向 |
292 |
| (1) 青色LED・白色LEDの光取り出し効率の向上 |
293 |
| A.近紫外LEDとRGB蛍光体による白色LED(“21世紀のあかり”プロジェクト) |
293 |
| B.InGaN青色LED・白色LEDの光取り出し効率の改善(日亜化学工業) |
295 |
| C.フォトニック結晶を用いた青色LED(松下電器産業) |
296 |
| D.GaN積層方法を改良した低電圧駆動の青色LED(コピン) |
297 |
| (2) 白色LEDの高出力化 |
298 |
| A.高出力LEDのパッケージ 構造 |
299 |
| B.放熱性を改善した高出力白色LEDの開発 |
300 |
| イ.白色LED光源(松下電器産業) |
300 |
| ロ.一般照明用白色パワーLEDランプ「CL−652Sシリーズ」(シチズン電子) |
301 |
| ハ.高演色性 ハイパワー白色LEDモジュールランプ「TG HIGH POWER TRUE WHITE」(豊田合成) |
301 |
| ニ.業界最高の明るさと、長寿命、省エネを実現したLED照明器具(松下電工) |
303 |
| ホ.パワー白色LED(日亜化学工業) |
304 |
| 3.4.3 演色性の改善 |
305 |
| (1) 蛍光体 |
306 |
| (2) 高演色白色LEDの開発 |
307 |
| A.新赤色蛍光体を用いた高演色白色LED(日亜化学工業) |
307 |
| B.自然光に近い光を放射する3波長型白色LEDランプ「スターホワイト」(星和電機) |
310 |
| 3.4.4 耐久性の向上 |
311 |
| (1) 白色LED用封止樹脂の改良 |
311 |
| A.水素添加ビスフェノールAグリシジルエーテルの酸無水物硬化による紫外LED用封止材料の開発(スタンレー電気) |
312 |
| B.LED封止用シリコーン樹脂 |
317 |
| イ.「ペルノックス XJLシリーズ」(日本ペルノックス) |
317 |
| ロ.東レ・ダウコーニング・シリコーン |
318 |
| 3.4.5 携帯電話用白色LEDの開発 |
319 |
| (1) カラー液晶バックライト用白色LED |
319 |
| A.1.7倍明るい白色LED(日亜化学工業) |
319 |
| B.1000mcd白色LED「TG WHITE II」(豊田合成) |
319 |
| (2) カメラ付き携帯電話用補助光源 |
320 |
| A.LED放射光の放射角を狭める対策技術 |
320 |
| B.フラッシュ用白色LEDの開発 |
321 |
| イ.高輝度RGB3色発光LEDチップ「GM5WA06270A」(シャープ) |
321 |
| ロ.カメラ付携帯電話向け捕縄光源白色LEDランプ「CL−590シリーズ」(シチズン電子) |
322 |
| 3.4.6 LEDを用いた中・大型LCDバックライト |
322 |
| (1) RGB色LED方式バックライトの特徴 |
323 |
| (2) LEDバックライトの二つの方式 |
324 |
| A.直下型LEDバックライト |
325 |
| B.サイドライト型LEDバックライト |
326 |
| (3) カーナビLCDバックライト用高輝度LED |
326 |
| A.RGB3チップ搭載高輝度LED(シャープ) |
326 |
| B.サイド放射型LEDと高機能性導光板を組み合わせたカーナビLCD用バックライト(日本ライツ) |
327 |
| (4) 大型液晶ディスプレイバックライト |
329 |
| A.“高精細度・高輝度化” フィールド・シーケンシャル液晶(韓国Samsung SDI) |
329 |
| B.LEDバックライト液晶モニター(三菱電機) |
329 |
| C.液晶テレビ初のLEDバックライト(ソニー) |
330 |
| 3.4.7 自動車ランプへの白色LEDの応用 |
331 |
| (1) LEDの自動車照明への応用の現状 |
331 |
| A.フロントランプおよびリアランプ への応用 |
332 |
| B.内装照明 |
333 |
| (2) ヘッドランプの概要 |
333 |
| A.ヘッドランプの変遷 |
334 |
| B.配光性能 |
334 |
| (3) ヘッドランプ用白色LED |
334 |
| A.次世代ヘッドランプへの期待 |
334 |
| B.ヘッドランプ用白色LEDへの要求 |
335 |
| イ.光束 |
335 |
| ロ.光度 |
335 |
| ハ.寿命 |
336 |
| ニ.発光色 |
336 |
| C.プロトタイプ・ヘッドランプ |
336 |
| (4) LEDヘッドランプ実用化に向けて |
337 |
| A.LEDヘッドランプの法規 |
337 |
| B.ランプメーカー大手の取り組み |
338 |
| C.車のヘッドライト用高効率白色LEDの開発(日亜化学工業) |
338 |
| 3.5 LEDのその他の応用 |
339 |
| 3.5.1 LEDプリンターヘッド |
339 |
| 3.5.2 LED信号灯 |
341 |
| (1) LED信号灯の特徴 |
341 |
| (2) 信号機大手の取り組み |
342 |
| 3.5.3 白色LED光源と太陽電池を用いた街路灯・表示灯 |
343 |
| (1) 光る太陽電池”「Lumiwall」と ソーラー街路灯(シャープ) |
343 |
| (2) 自然エネルギ発電とLEDを組み合わせた屋外灯(ニシム電子) |
344 |
| (3) LED・太陽電池を活用した災害避難場所の表示灯「ソーラーピクト」(リンテック) |
344 |
| 3.5.4 LED照明で植物育成 |
344 |
| (1) LED光のメリット |
344 |
| (2) LEDでレタスを栽培(シーシーエス) |
345 |
| (3) 発光ダイオードでレタス栽培発育促進(クピド・フェア) |
345 |
| (4) 野菜に光合成させる冷蔵庫(三菱電機) |
346 |
| 3.5.5 その他 |
346 |
| (1) 光触媒と紫色LEDを用いた空気清浄機 |
346 |
| (2) 広告表示装置(カスト) |
347 |
| (3) 丸め・曲げ自由なLED「シリコンライト」(エイテックス) |
348 |
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