| |
頁 |
第1章 半導体デバイスの動向 |
1 |
| 1.1 ITRS2005(国際半導体技術ロードマップ2005年版)の概要 |
1 |
| 1.1.1 微細化トレンド |
1 |
| 1.1.2 リソグラフィ |
4 |
| 1.1.3 フロントエンドプロセス |
5 |
| 1.1.4 配線技術 |
6 |
| 1.1.5 More MooreとMore than Moore |
7 |
| 1.2 45nm世代の先端CMOS技術 |
8 |
| 1.2.1 LSIの微細化と45nm世代以降の課題 |
8 |
| (1) 性能に関する問題 |
9 |
| (2) 消費電力に関する問題 |
10 |
| (3) その他の課題 |
11 |
| 1.2.2 45nm世代実現への対策 |
12 |
| (1) 移動度の向上 |
12 |
| (2) リーク電流の低減 |
14 |
| (3) その他 |
15 |
| 1.3 歪みSiデバイスの開発動向 |
16 |
| 1.3.1 歪みSi技術の分類 |
16 |
| 1.3.2 歪みSi技術の開発動向現状 |
18 |
| (1) バルク歪Si作製技術 |
19 |
| (2) SOI構造を利用した歪Si作製技術 |
20 |
| (3) Hybrid Orientation Technology(HOT) |
22 |
| 1.3.3 局所歪み印加技術の現状 |
23 |
| 1.3.4 結晶方位と歪み印加方向の関係 |
24 |
| 1.3.5 グローバル歪みSiデバイスの課題 |
24 |
| 1.4 短チャネル効果の抑制(エレベーテッドソース・ドレイン構造) |
26 |
| 1.4.1 ソース・ドレイン形成のトレンド |
27 |
| 1.4.2 エレベーテッドソース・ドレインを用いたCMOSトランジスタ |
28 |
| 1.5 High-kゲート絶縁膜技術 |
30 |
| 1.5.1 High-k MOSFETの現状と課題 |
32 |
| 1.5.2 Hfシリケート膜への窒素導入技術 |
41 |
| 1.5.3 ポリシリコンゲート/High-k膜の開発 |
47 |
| (1) Poly-Si電極/Hf系ゲート絶縁膜スタックの薄膜化とゲートリーク電流特性 |
47 |
| (2) Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調によるCMOS非対称閾値の改善(MIRAI) |
48 |
| (3) 次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現(東芝) |
49 |
| 1.5.4 メタルゲート/High-kの課題 |
53 |
| (1) メタルゲートの材料と形成法 |
54 |
| (2) 薄膜化による表面キャリア移動度の低下 |
55 |
| (3) デュアルメタルゲート |
55 |
| 1.5.5 FUSIメタルゲート/High-k MOSFETの開発現状 |
55 |
| (1) FUSIメタルゲート/SiON MOSFETの不純物偏析効果 |
56 |
| (2) FUSI メタルゲート/High−k MOSFETの不純物偏析効果の喪失 |
56 |
| (3) FUSI メタルゲート/High-k MOSFETのVth制御方法 |
57 |
| (4) FUSI、FUSGで作製した他のゲート電極 |
59 |
| (5) FUSIプロセスを用いたHfSiON CMOS作製の課題 |
59 |
| (6) 各社のFUSIメタルゲート/High-kスタックの開発 |
59 |
| A.PASI-PtSiゲート電極によるp-MOS閾値制御(MIRAI) |
59 |
| B.NixSi/HfSiONゲートスタックトランジスタ(NEC) |
61 |
| 1.5.6 Hf系High-k膜実用化のためのスケーラビリティ(Selete) |
64 |
| (1) EOT薄膜化に対する課題 |
65 |
| (2) ゲートファースト向け、Poly-Siゲー卜/HfSiONゲートスタックの薄膜化 |
66 |
| (3) デュアルメタルゲート用電極材料 |
68 |
| (4) ゲートラスト向けHfO2ゲートスタックの特性 |
70 |
| 1.5.7 デュアルメタル/ HfSiONゲートスタック |
71 |
| (1) 高電子移動度の0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(Selete) |
71 |
| (2) デュアルメタル電極/HfSiOゲート絶縁膜MOSトランジスタの作製と電気特性(NEC) |
73 |
| 1.5.8 次世代向けHigh-k膜(22/18nm世代向けHigh-k膜) |
78 |
| (1) 直接接合LaAlO3ゲート絶縁膜(東芝) |
78 |
| (2) High-k/Ge MOSFET(東芝) |
79 |
第2章 半導体プロセスにおける薄膜形成技術 |
84 |
| 2.1 VLSIにおける薄膜形成技術 |
84 |
| 2.1.1 VLSIにおける薄膜の応用 |
84 |
| (1) フロントエンド構造への応用 |
85 |
| (2) バックエンド構造への応用 |
85 |
| 2.1.2 応用される薄膜の種類 |
86 |
| 2.1.3 薄膜形成法 |
87 |
| 2.1.4 薄膜形成技術の新しい流れ |
87 |
| 2.1.5 スパッタリング技術 |
88 |
| 2.1.6 CVD技術 |
89 |
| (1) CVD法の特徴 |
89 |
| (2) CVD技術の課題と対策 |
90 |
| A.高密度プラズマ(HDP)CVDによる絶縁膜の埋め込み性 |
90 |
| B.ALD法 |
91 |
| C.PECVD法Low-k膜 |
94 |
| D.新しい低ダメージCVD法 |
95 |
| 2.2 フロントエンド構造におけるCVD技術の動向 |
95 |
| 2.2.1 素子分離埋め込み技術 |
95 |
| 2.2.2 TiN/Ti-CVD成膜技術 |
96 |
| 2.2.3 W-CVD技術 |
97 |
| 2.2.4 新しい絶縁膜CVD技術の開発 |
97 |
| (1) 常圧TEOS/オゾンCVDによるSTIの埋め込み |
97 |
| (2) ラジカルシャワー型超低電子温度プラズマCVDによるゲート絶縁膜形成 |
99 |
| (3) Layer-by-Layer Cat-CVD法によるSiN膜(アルバック) |
101 |
| (4) 真空紫外CVD(沖電気) |
103 |
| 2.2.5 高誘電率ゲート絶縁膜技術 |
106 |
| (1) 高誘電率ゲート膜の成膜法 |
107 |
| (2) 高誘電率ゲート絶縁膜の成膜装置 |
108 |
| (3) ゲート絶縁膜用プラズマ窒化装置 |
109 |
| A.東京エレクトロン： RSLA |
110 |
| B.アプライドマテリアルズ：Decoupled Plasma Nitridation(DPN) |
110 |
| C.日立国際電気：Modified Magnetron Typed(MMT) |
110 |
| (4) LL-D & A法によるHigh-k膜の作製(Miraiプロジェクト) |
111 |
| 2.2.6 歪みSi技術 |
114 |
| 2.2.7 ゲート上ライナーSiN用CVD装置 |
115 |
| 2.2.8 カーボンナノチューブ用CVD技術 |
115 |
| 2.3 Low-k/Cu多層配線における成膜技術 |
116 |
| 2.3.1 Low-k/Cu多層配線における課題 |
116 |
| 2.3.2 Low-k膜材料の課題と対策 |
118 |
| 2.3.3 PECVD法SiOCH膜の新規プレカーサによる高強度・低誘電率化 |
121 |
| 2.3.4 45nm世代に向けた Low-k膜の開発 |
122 |
| (1) ボラジン系スピンコートLow-k材料(三菱電機) |
123 |
| (2) ポーラスLow-k膜「Low-Nano Clustering Silica(NCS)」(富士通) |
124 |
| (3) プラズマ重合法を応用した分子細孔ポーラスSiOCH膜(NEC) |
125 |
| 2.3.5 ポーラスLow-k膜の機械的強度向上技術 |
126 |
| (1) EB(Electron Beam)キュア装置 |
126 |
| (2) UVアニール装置 |
128 |
| 2.3.6 実効誘電率の低減 |
129 |
| 2.3.7 バリアメタル/シード膜技術の開発 |
129 |
| (1) バリアメタル技術 |
129 |
| (2) Cuシード技術 |
129 |
| (3) Cu/バリア/シードの開発例 |
129 |
| A.PVD/ALD/PVD積層バリア(東芝セミコンダクター) |
129 |
| B.CuMn合金の極薄バリア膜の自己形成(東北大、STARC) |
132 |
| C.Ru/WCNバリアとの積層バリア(Selete) |
133 |
| D.ALD法によるシード層形成「iALD(ion-induced ALD)」(米Novellus) |
134 |
| (4) ポーラスLow-k膜のポア・シーリング技術(Selete) |
134 |
| 2.3.8 Cuめっき技術 |
135 |
| (1) 2段階の銅電解めっきプロセス(アプライドマテリアルズ) |
136 |
| (2) CoWP無電解めっきによるメタルキャップの形成 |
137 |
| 2.3.9 微細化対応の新しいメタル埋め込み成膜技術 |
140 |
| (1) MCR-CVD法(三菱重工業) |
140 |
| (2) アークイオンプレーティング法(新明和工業) |
143 |
| (3) 超臨界CO2によるCu堆積プロセス |
146 |
第3章 次世代リソグラフィー技術の動向 |
151 |
| 3.1 リソグラフィー技術の課題と革新 |
151 |
| 3.1.1 リソグラフィー技術の変遷 |
151 |
| 3.1.2 157nmから193nm液浸へ |
153 |
| 3.1.3 ArF液浸リソグラフィ |
154 |
| (1) 液浸リソグラフィの原理 |
154 |
| (2) 偏光照明 |
155 |
| (3) 液体の保持方法 |
156 |
| (4) 液浸リソグラフィの適用世代 |
157 |
| 3.1.4 液浸リソグラフィ実用化の課題 |
157 |
| (1) 欠陥 |
158 |
| (2) 液浸用レジスト |
158 |
| (3) コスト |
158 |
| 3.1.5 hp45nm以降の次世代リソグラフィ技術 |
159 |
| (1) ArF液浸リソグラフィの限界 |
159 |
| (2) F2液浸リソグラフィ |
159 |
| (3) EUVリソグラフィ |
160 |
| (4) 電子ビーム露光技術 |
160 |
| 3.2 ArFリソグラィ技術の開発 |
161 |
| 3.2.1 ArF露光装置の高NA(開口数)化 |
161 |
| 3.2.2 高NA化と偏光照明 |
162 |
| 3.2.3 液浸露光装置 |
163 |
| 3.3 ArFレジスト材料の最新動向 |
166 |
| 3.3.1 化学増幅型ArFレジスト |
167 |
| (1) レジストの反応機構 |
167 |
| (2) 化学増幅型ArFレジスト |
169 |
| (3) レジストプロセス中の環境制御 |
170 |
| 3.3.2 ArF液浸リソグラフィ用材料 |
171 |
| (1) 液浸リソグラフィ用レジスト材料の課題 |
171 |
| (2) ArFレジストの液浸リソグラフィ適応性 |
173 |
| (3) レジスト成分の溶出 |
173 |
| (4) 低溶出ArF液浸レジスト |
174 |
| (5) カバーコート |
176 |
| 3.3.3 次世代ArF液浸リソグラフィー材料 |
176 |
| (1) 高屈折率液体と解像限界 |
177 |
| (2) 多層レジスト |
178 |
| A.バイレイヤプロセス向けArFフォトレジスト(東京応化工業) |
179 |
| B.マルチハードマスクプロセス(3層プロセス) |
179 |
| 3.3.4 レジスト塗布現像装置 |
180 |
| 3.3.5 液浸レジスト、及び保護膜の特許例 |
182 |
| (1) 酸の溶出が極めて少ない液浸レジスト |
182 |
| (2) 高解像液浸レジスト |
189 |
| A.溶剤で剥離するタイプ |
189 |
| B.アルカリ現像液で現像と同時に剥離する保護膜 |
190 |
| (3) カバーコート |
191 |
| (4) 液浸露光用浸漬液およびレジストパターン形成 |
203 |
| (5) 高屈折率の非水性液体に適する保護膜 |
204 |
| 3.4 リソグラフィ用マスク技術の動向 |
207 |
| 3.4.1 Low-k1リソグラフィとマスク技術 |
208 |
| 3.4.2 微細補助パターンSRAF |
209 |
| 3.4.3 OPC技術 |
209 |
| (1) Rule-based OPC |
210 |
| (2) Mode1-based OPC |
210 |
| 3.4.4 位相シフトマスク技術 |
211 |
| (1) Attenuated-PSM(Att-PSM) |
211 |
| (2) Alternating-PSM(Alt-PSM) |
212 |
| (3) その他のPSM |
213 |
| 3.5 EUVリソグラフィ技術の開発動向 |
214 |
| 3.5.1 EUVリソグラフィーの特徴と課題 |
214 |
| 3.5.2 EUV光源 |
216 |
| 3.5.3 EUVL光学系 |
217 |
| 3.5.4 EUVLマスク |
219 |
| 3.5.5 レジストプロセス |
221 |
| 3.6 電子ビーム露光技術 |
223 |
| 3.6.1 EB描画技術の特長 |
223 |
| 3.6.2 高速EB描画方式の分類 |
224 |
| 3.6.3 高速EB描画方式の研究動向 |
225 |
| (1) EBマスク転写方式 |
225 |
| A.縮小転写方式 |
225 |
| B.等倍転写方式 |
226 |
| C.低加速CP-EBDW方式 |
226 |
| (2) ML2方式 |
227 |
| 3.7 ナノインプリントリソグラフィ |
230 |
| 3.7.1 各種ナノインプリント方式 |
230 |
| 3.7.2 光硬化(UV)ナノインプリント技術 |
232 |
| 3.7.3 ナノインプリント材料「PAK-01」(東洋合成工業) |
234 |
| 3.7.4 ナノピラー(ナノスケール柱状構造) |
235 |
| 3.8 近接場光リソグラフィー |
237 |
| 3.8.1 近接場光露光の原理と課題 |
237 |
| 3.8.2 2層レジストを用いる近接場光リソグラフィーの高アスペクト比化 |
238 |
| (1) 2層レジストを用いるプロセス |
238 |
| (2) 近接場光リソグラフィーの可能性と問題点 |
239 |
| (3) 近接場光リソグラフィーの応用用途 |
240 |
| 3.8.3 モールドアシスト型の近接場光リソグラフィ |
241 |
第4章 次世代エッチング技術の動向 |
243 |
| 4.1 エッチング技術の課題と新エッチング技術 |
243 |
| 4.1.1 エッチング技術の基本概念 |
243 |
| 4.1.2 エッチング技術の課題 |
244 |
| (1) 新材料のエッチング技術 |
244 |
| (2) 多重層のエッチング |
244 |
| 4.1.3 新エッチング技術 |
245 |
| (1) ハードマスクの使用 |
245 |
| (2) トリミング・スリミングプロセス |
246 |
| (3) コンタクト・ビア・配線部のエッチング |
247 |
| (4) Low膜エッチング |
247 |
| (5) エッチング装置 |
247 |
| 4.2 プラズマエッチング技術 |
248 |
| 4.2.1 ドラエッチング方式 |
248 |
| 4.2.2 プラズマ源に対する要求 |
249 |
| 4.2.3 低圧力・高密度・大口径プラズマエッチング装置の開発 |
249 |
| (1) 誘導結合型プラズマ(ICP)エッチング |
250 |
| (2) ヘリコン波エッチング |
251 |
| (3) 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマエッチング |
252 |
| (4) 磁気中性放電(NLD)型プラズマエッチング |
253 |
| 4.2.4 エッチングのメカニズム |
254 |
| (1) 絶縁膜エッチングの反応メカニズム |
254 |
| (2) 異方性エッチング |
254 |
| (3) 選択性の制御 |
256 |
| 4.2.5 エッチング装置の動向 |
257 |
| (1) 代表的装置の方式および特徴 |
257 |
| (2) 装置に求められる課題 |
259 |
| 4.3 ゲートエッチング技術の開発動向 |
259 |
| 4.3.1 ゲートエッチングの課題 |
259 |
| 4.3.2 微細ゲートパターンのチャージアップ異常と対策 |
261 |
| (1) パルスプラズマによる対策 |
262 |
| (2) 中性粒子ビームによるダメージレスエッチング |
264 |
| 4.3.3 金属/High-k膜のプラズマエッチング |
266 |
| (1) high-k膜/Siの選択エッチング性 |
267 |
| (2) HfO2/Si薄膜のフルオロカーボンプラズマによる選択エッチング性向上技術 |
268 |
| 4.3.4 High-k膜のウェット・エッチング |
269 |
| (1) high-kエッチング液「ZIELEX」(ダイキン工業) |
269 |
| (2) UV光との複合ウエットエッチン技術(Seleteとウシオ電機) |
269 |
| 4.4 シリコン酸化膜エッチングの動向 |
270 |
| 4.4.1 高アスペクト比コンタクトホールのエッチング |
270 |
| (1) シリコン酸化膜エッチングの問題点 |
270 |
| (2) 新ガスケミストーリーによる高精度シリコン酸化膜エッチング |
272 |
| (3) S-MAP(Stacked MAsk Process)を用いた高アスペクトコンタクトホールのエッチング |
275 |
| (4) BNハードマスク(三菱重工) |
277 |
| 4.4.2 SAC(Self Align Contact)エッチング |
278 |
| 4.4.3 マイクロ波励起非平衡大気圧プラズマによる高速SiO2エッチング |
279 |
| 4.5 Cu/Low-k膜エッチングの動向 |
282 |
| 4.5.1 Cu/ Low-kダマシン配線溝加工への要求 |
282 |
| 4.5.2 ダマシン用溝加工技術の現状 |
284 |
| 4.5.3 ポーラスシリカ膜のドライエッチング技術の開発(MIRAI) |
285 |
| 4.5.4 有機系Low-k膜のドライエッチング技術 |
287 |
| (1) DVS-BCBプラズマ共重合膜のNH3/C5F8系ドライエッチング(MIRAI) |
287 |
| (2) トリプルハードマスクを用いたハイブリッド配線構造(東芝) |
287 |
| (3) PFCガスを使わないボラジンシロキサンポリマー/有機ハイブリッド膜のエッチング技術 |
289 |
| 4.5.5 Low-k膜ドライエッチングにおけるプロセス損傷回復技術(Mirai) |
290 |
| 4.5.6 エッチングを使わないダマシンプロセス：ラインピラープロセス |
291 |
| 4.6 各社のエッチング装置例 |
292 |
| 4.6.1 高精度ゲート用エッチング装置「U-8150」(日立ハイテクノロジーズ) |
292 |
| 4.6.2 ナローギャップタイプICP「GroovyICP」(エフオーアイ) |
295 |
| 4.6.3 NLDプラズマによるArFレジストのストリエーションフリー技術(アルバック) |
298 |
| 4.6.4 常圧常圧プラズマを用いたウェハ外周エッチング装置(積水化学工業) |
300 |
第5章 半導体プロセスにおけるCMP技術の動向 |
313 |
| 5.1. 次世代CMPプロセスの要求 |
313 |
| 5.1.1 SiO2層間絶縁膜のCMP |
314 |
| 5.1.2 STI素子分離工程のCMP |
315 |
| 5.1.3 W CMPとスクラッチ |
315 |
| 5.1.4 Cu/Low-k多層配線のCMP |
315 |
| (1) Cu CMP工程 |
315 |
| (2) ディッシング、エロージョンの抑制 |
316 |
| (3) Low-k絶縁膜のCMP研磨耐性 |
317 |
| 5.2 CMP用スラリーの動向 |
318 |
| 5.2.1 CMPスラリーの特徴 |
318 |
| (1) 絶縁膜用スラリー |
319 |
| (2) メタル用スラリーの研磨メカニズムとスラリーの組成 |
320 |
| 5.2.2 STI用セリアスラリーの開発 |
321 |
| (1) STI用スラリーの課題 |
321 |
| (2) 低スクラッチ・高平坦性のSTI用スラリー(日立化成) |
322 |
| A.CeO2粒子を主成分とするスラリー「HS-8005」 |
322 |
| B.「HS 8005」と平坦化剤「HS-8102GP」との混合スラリーによるSiO2/SiN選択研磨 |
322 |
| C.STIパターン研磨特性 |
325 |
| 5.2.3 W用スラリー |
327 |
| 5.2.4 Cu/Low-k用スラリー |
328 |
| (1) Cu/Low-k構造のプロセス |
328 |
| (2) Cu/バリアメタルの研磨速度の制御 |
328 |
| (3) Cu/Low-k層の低ダメージ化と高速研磨の両立 |
329 |
| (4) Cu/Low-k層用スラリーの開発例 |
329 |
| A.砥粒レスCu用研磨スラリー「HS-C430」(日立化成) |
329 |
| B.高選択性バリアメタル用CMPスラリ「HS-T605シリーズ」(日立化成) |
332 |
| C.ソフト砥粒を用いたCMPスラリー(JSR) |
335 |
| 5.2.5 Cu/Low-k層用CMPスラリー特許例 |
337 |
| (1) 銅のCMP用研磨スラリー |
337 |
| (2) タンタル系バリア膜用スラリー |
349 |
| (3) 低誘電率絶縁膜用の低ダメージ研磨スラリー |
353 |
| 5.3 研磨パッドの動向 |
360 |
| 5.3.1 現状の研磨パッドと新規パッド、市場動向 |
360 |
| 5.3.2 CMP用研磨パッドの開発 |
362 |
| (1) Rodelの新タイプCMP用研磨パッド(ロデール・ニッタ(Nitta-Haas)) |
364 |
| (2) スラリーの流体力学的挙動を考慮したパッド溝パターンと傾斜溝構造パッド(埼玉大) |
367 |
| 5.3.3 JSRのフィラーパッド |
368 |
| 5.3.4 砥粒内包パッド |
371 |
| (1) 固定砥粒方式の特徴 |
371 |
| (2) 固定砥粒パッド(Fixed Abrasive pad)(3M) |
371 |
| (3) LHA(Loose Held Abrasive)構造の固定砥粒パッド(ノリタケカンパニーリミテッド) |
371 |
| (4) スパイラル構造のセリア固定砥粒パッド(ロキテクノ) |
373 |
| (5) キレート樹脂を用いたCu-CMP用固定砥粒パッド(ノリタケカンパニーリミテッド) |
377 |
| 5.4 CMP装置の動向 |
380 |
| 5.4.1 CMP装置の基本構成とその進展 |
381 |
| 5.4.2 代表的なCu/Low-k対応CMP装置と市場 |
382 |
| 5.4.3 注目されるCMP装置技術 |
388 |
| (1) ニコンの低圧CMP装置「NPS」 |
388 |
| (2) 東京精密のCMP装置「ChaMP」 |
390 |
| (3) Ultra Low-k膜に適したAMATの電解研磨Ecmp |
391 |
| (4) 導電性カーボンパットを用いた電解研磨技術(Selete) |
395 |
| (5) ECMD (Electro Chemical Mechanical Deposition ) (ASM/NuTool) |
398 |
| (6) 超純水電解加工によるCuダマシン平坦化(エバラ) |
398 |
| (7) ベルジャー型CMP装置(埼玉大) |
404 |
|
第6章 次世代半導体洗浄技術の課題 |
408 |
| 6.1 洗浄技術の課題と新技術 |
409 |
| 6.1.1 フロントエンドプロセスにおける洗浄の課題FEOL用薬液 |
410 |
| (1) 浸積式から枚葉式洗浄装置へ |
410 |
| (2) 微細化対応−RCA洗浄液の見直し |
411 |
| (3) High-k/メタルゲート対応薬液 |
412 |
| (4) ドライ洗浄 |
412 |
| 6.1.2 バックエンドプロセスにおける洗浄の課題 |
412 |
| 6.2 フロントエンドプロセスにおける洗浄 |
413 |
| 6.2.1 RCA代替薬液によるウエハ表面の洗浄 |
414 |
| (1) 三菱化学の洗浄剤 |
414 |
| (2) 新RCA洗浄技術「Frontier Cleaner」(関東化学) |
418 |
| 6.2.2 High-k/メタルゲート対応薬液 |
422 |
| (1) 無機系ポリマー除去剤「EF-1」(岸本産業) |
423 |
| (2) High-k/対応薬液「ELM-HDGシリーズ」(三菱ガス化学) |
424 |
| 6.3 バックエンドプロセスにおける洗浄 |
425 |
| 6.3.1 プラズマエッチング後のポリマー除去およびレジスト剥離液 |
425 |
| (1) BEOL用ポリマー除去剤の開発 |
425 |
| A.Cu/ Low-k用フッ素系洗浄液「ELM-CLS」シリーズ(三菱ガス化学) |
425 |
| B.Cu/ Low-k用ポリマー除去剤「KF3000」シリーズ(岸本産業) |
427 |
| (2) アッシングを使わないレジスト剥離技術(レジストとポリマーの同時除去)の開発 |
428 |
| A.Wet O3 によるレジスト除去 |
429 |
| B.高濃度オゾン水によるレジスト除去(積水化学工業) |
431 |
| C.蒸気洗浄技術(アクアサイエンス) |
432 |
| D.薬液によるレジスト剥離(ノンアッシングプロセス)(三菱ガス化学) |
433 |
| 6.3.2 Cu/Low-k多層配線のCMP後洗浄 |
434 |
| (1) Cu-CMP後の洗浄方法 |
434 |
| (2) キレート剤の錯形成反応に着目したCu/Low-k用CMP後洗浄液 |
435 |
| (3) CMP後洗浄液における問題点 |
437 |
| A.ディフェクトの低減 |
437 |
| B.Low-k膜に対する濡れ性の向上 |
437 |
| C.Cuのマイクロラフネスの低減 |
437 |
| D.乾燥方法とWatermark |
438 |
| (4) 各社のCu/Low-k対応CMP後洗浄液 |
438 |
| A.関東化学のCu/Low-k対応CMP後洗浄液 |
438 |
| B.ATMIのCu/Low-k用CMP洗浄液 |
443 |
| C.還元水によるCu−CMPの後洗浄 |
447 |
| 6.3.3 ウエハ裏面・ベベル洗浄技術 |
447 |
| (1) ウェハー裏面、エッジ部の欠陥と、その影響 |
447 |
| (2) SEZ社のウェハー裏面、エッジ部洗浄装置 |
448 |
| 6.4 枚葉洗浄技術の動向 |
451 |
| 6.4.1 全4工程室温洗浄技術 |
452 |
| 6.4.2 SCROD(ソニー) |
452 |
| 6.4.3 縦型スクラブ付き枚葉式ウエーハ処理装置(日曹エンジニアリング) |
453 |
| 6.4.4 改良型2流体ノズルによるダメージレス洗浄(ルネサステクノロジー) |
454 |
| 6.4.5 芝浦メカトロニクスの枚葉式ウェーハ洗浄装置「SCシリーズ」 |
459 |
| 6.4.6 APM(アンモニア過酸化水素洗浄液)を用いるメガソニック洗浄(三菱化学) |
462 |
| 6.4.7 ダメージレスメガソニック洗浄の検討(SEZ) |
462 |
| 6.4.8 アッシング・洗浄一体型装置“Raccoon”(大日本スクリーン製造、キャノン) |
464 |
| 6.5 注目される半導体洗浄技術 |
467 |
| 6.5.1 ドライ洗浄技術 |
467 |
| (1) 各種ドライ洗浄法 |
468 |
| (2) 微粒子除去 |
469 |
| (3) 塩素ラジカルによるドライ洗浄 |
470 |
| (4) 銅配線工程の洗浄技術 |
472 |
| 6.5.2 電解イオン水洗浄 |
473 |
| 6.5.3 超臨界流体の洗浄技術 |
474 |
| (1) 超臨界流体洗浄技術の概要 |
474 |
| (2) 超臨界CO2を用いたフォトレジスト剥離 |
475 |
| (3) 超臨界CO2流体を用いた洗浄装置「Arroyo(アロヨ)」 |
476 |
| 6.5.4 バッチ式遠心スプレー洗浄(m・FSI) |
479 |
| 6.5.5 極低温エアロゾル洗浄(m・FSI) |
480 |
| 6.5.6 局所クリーニング (ナノピンセント)(ソニー) |
482 |
| 6.5.7 ギ酸を用いたCu/Low−k配線低温ドライクリーニング技術(富士通) |
482 |
| 6.6 ウエハの乾燥技術 |
485 |
| 6.6.1 ウエハの乾燥方法 |
485 |
| (1) スピン乾燥 |
486 |
| (2) IPA蒸気乾燥 |
486 |
| (3) IPAマランゴニ乾燥 |
486 |
| (4) IPA引き上げ乾燥 |
487 |
| 6.6.2 ウォータマークの生成と対策 |
487 |
| 6.6.3 ウェハ洗浄・乾燥装置の動向 |
488 |
| (1) 大日本スクリーン製造のNano Spray |
489 |
| (2) 東京エレクトロンのSD2(Stacked Dual Chamber Dryer) |
490 |
