書籍,高速・高周波対応実装技術,(株)東レリサーチセンター

高速・高周波対応実装技術
－無線機器におけるデバイス、モジュール、材料の新展開－

　本格的なユビキタス社会の到来を迎え、携帯電話やノートPC等のモバイル機器や車載機器においてBluetooth、無線LAN等様々な無線システムが搭載され、高速化、多機能化、効率化、高品質化が進んでいます。一方、CMOS技術によるRF半導体デバイスの1チップ化が急速に進み、これら高周波デバイスを含め、各種能動部品、受動部品を限られた面積のプリント配線板に搭載する必要性から、部品自体の小型化に留まらず、モジュール化や実装技術の革新も重要性を増しています。

I.	導入編	：	高速伝送時代の無線通信技術および関連市場について概説！
II.	技術編	：	RF-CMOSデバイスや化合物半導体デバイス、MMIC、高周波モジュール、パッケージング技術、接合技術、配線基板技術、部品内蔵技術、RF MEMS、電子部品およびその実装技術について詳述！
III.	材料編	：	高周波用配線基板材料および配線形成に用いられる材料について紹介！
IV.	応用編	：	携帯電話、無線LAN、Bluetooth、UWB、ソフトウエア無線等の応用分野での技術動向について詳述！
	資料編	：	過去5年間の部品内蔵基板に関する国内重要特許を紹介！各企業および研究機関の開発事例を多数収録！

　　　　□体裁　A4判　484頁
　　　　□税込価格　71,400円　(本体68,000円、消費税3,400円)
　　　　□送料　弊社負担
　　　　□発行　2007.03

章目次

I .導入編
第1章序論
第2章市場動向
II .技術編
第1章　高周波・高出力半導体とその実装技術
第2章送受信機の構成
第3章　RFモジュール
第4章　接続技術
第5章パッケージ技術
第6章配線形成技術
第7章配線基板技術
第8章部品内蔵技術の動向
第9章 RF MEMS
第10章電子部品およびその実装
第11章　高周波実装における解析技術
III .材料編
第1章　高速・高周波対応材料
第2章　配線基板材料
第3章　パターン形成に用いられる材料
IV.応用編
第1章　携帯電話
第2章　無線LAN
第3章　Bluetooth
第4章　UWB(Ultra Wide Babd)
第5章ソフトウエア無線

資料編
1.部品内蔵基板に関する国内公開特許
2.固体微粒子の衝突付着を利用した各種コーティング技術

詳　細　目　次

I . 導入編	頁 1
第1章序論	1
1.1 高速化時代の無線通信技術	1
1.2 高速無線システムの標準規格化の動向	2
1.3 CMOS RFデバイス	3
1.4 ミリ波帯通信でのCMOS技術	4
引用文献	7
第2章市場動向	8
2.1 無線通信の市場	8
2.2 その他関連分野の市場	14
2.2.1 プリント配線基板の市場動向	14
2.2.2 フレキシブルプリント配線基板の市場動向	15
引用文献	18
II . 技術編	19
第1章　高周波・高出力半導体とその実装技術	19
1.1 PAにおけるデバイス動向	20
1.1.1 高出力増幅器	20
(1) 半導体高出力増幅器の構成	21
(2) 高出力増幅器の今後	23
1.1.2 無線通信端末用PA	23
1.1.3 化合物半導体デバイス	24
(1) GaAs系デバイス	24
(2) InP系デバイス	25
(3) InGaP系デバイス	26
(4) GaN系デバイス	27
1.1.4 CMOSデバイス	31
(1) SiGe HEMT	31
(2) SiGe HBT	31
(3) SiGeヘテロDTMOS 松下電器産業	31
(4) デバイス特性	33
1.2 PA以外の高周波デバイス動向	35
1.2.1 CMOS RFデバイス	36
1.3企業による開発事例	36
1.3.1 世界最高速InP HEMT　富士通	36
1.3.2 50Gbpsで動作するCMOSセレクタICの開発富士通研究所、富士通	37
1.4 MMIC	38
1.4.1 MMICの問題点	39
1.4.2 フリップチップMMIC	40
1.4.3 Si-MMIC	40
1.4.4 SiGeシステムIC－受信モジュール	41
1.4.5 酸化物薄膜エピタキシャル成長技術による受動部品のインテグレーション	41
(1) シリコン基板への化合物半導体能動素子の埋め込み	42
(2) 高周波高誘電率薄膜コンデンサ	42
1.4.6 車載レーダMMIC	43
(1) シングルチップ統合MMICモジュール富士通テン	43
(2) 車載レーダ用MMIC 三菱電機	45
1.4.7 多層化MMIC	48
1.4.8 三次元MMIC	50
1.4.9 企業の開発事例	52
(1) CSPパッケージを用いた完全集積化MMIC 松下電器産業	52
(2) CSPを用いた広帯域増幅器の開発松下電産業	54
(3) GaN MMIC技術を用いた大電力スイッチICの開発松下電器産業	55
(4) 準ミリ波UWB無線システム用GaN MMIC　松下電器産業	56
(5) ETC車載器用MMIC送受信システムの開発　三菱電機	57
(6) 10Gbpsの無線送受信用チップの開発 NTTフォトニクス研究所	58
(7) 「LUFET」MMIC ATR光電波通信研究所	60
引用文献	60
第2章送受信機の構成	62
2.1 送受信機アーキテクチャ	62
2.1.1 無線送受信器	62
2.1.2 マルチバンド/マルチモード化	67
2.2 次世代無線システム	67
2.3 CMOS技術の将来展望	68
引用文献	69
第3章　RFモジュール	70
3.1 CMOS技術による集積化	70
3.1.1 受動素子の占有面積	70
3.1.2 受動素子の損失	71
3.1.3 三次元MMIC	71
3.1.4 RFフロントエンドの実装	72
3.1.5 EWLPの小型機能モジュールへの展開	73
3.1.6 UWBモジュール開発における課題	73
3.2 LTCCモジュール	73
3.2.1 LTCC基板への要求特性	75
3.2.2 LTCCの特徴とモジュール化における課題とその解決	75
3.2.3 LTCC基板によるモジュール化の例	76
(1) 携帯電話RFフロントエンドおよびIF部の実装	76
(2) 14GHz帯で動作する衛星通信用地上局モジュール	77
(3) 60GHzで動作するミリ波帯通信モジュール	78
(4) スイッチモジュール	79
(5) SAWフィルタ集積型アンテナスイッチモジュール日立金属	80
3.3 ハイブッド積層技術によるモジュール	81
3.3.1 VCOモジュール	81
3.3.2 ハイブリッド積層パワーアンプ	82
3.3.3 ハイブリッドRFモジュールの展開	83
3.4 無線LAN用RFモジュール	84
3.4.1 5GHz帯無線LAN用モジュール東芝	84
3.4.2 フィルタ内蔵化デュアルバンド無線LAN用RFモジュール　東芝	85
3.4.3 無線LAN用FEモジュール部品の開発日立金属	87
3.5 基板内蔵受動部品の集積化に関するケース・スタディー米Motorola社	88
引用文献	89
第4章　接続技術	91
4.1 フリップチップ実装	91
4.1.1 NSD工法	91
4.1.2 異方導電性接着剤によるフリップチップ実装	92
4.1.3 ミリ波に適したフリップチップ実装方法	93
4.2 STAMPによるPOP実装	93
4.3 BGA接続の三次元電磁界解析	96
4.4 バンプ形成法	96
4.4.1 金ナノペーストによるバンプ形成	96
4.4.2 溶融はんだ吐出法	97
4.5 鉛フリーはんだの動向	98
4.6 有機－銀複合ナノ粒子による接合法	100
引用文献
第5章パッケージ技術	102
5.1 マイクロ波・ミリ波パッケージ技術	102
5.1.1 SOP(SiP)	102
5.1.2 マルチチップモジュール(MCM)	103
5.1.3 マイクロ波SiP	105
5.1.4 ミリ波SOP	106
5.1.5 マイクロ波・ミリ波SiPを支える要素技術と課題	106
5.1.6 RF MEMSパッケージ	107
5.2　半導体のパッケージ技術	110
5.2.1 チップサイズパッケージ(CSP)	111
5.2.2 SiP(System in Package)	112
(1) パッケージ積層によるSiP(PoP)	115
(2) SEP(System Embedded Package)	117
(3) SMAFTI構造	118
(4) 部品内蔵基板を用いたSiP	120
5.2.3 ウェハレベルCSP(WL-CSP)	121
(1) W-CSPによるスパイラルインダクタの内蔵化	121
(2) EWLP(Embedded WLP)	123
5.2.4 3次元実装技術	123
5.3 パッケージユニット	126
5.3.1 金属パッケージ	126
5.3.2 セラミックパッケージ	127
5.3.3 樹脂パッケージ	129
5.4　企業の開発事例	130
5.4.1 LEDモジュールを実装したSiPの試作　プログラム実装コンソーシアム	130
5.4.2 部品およびLSI搭載可能なEWLP　カシオ計算機	132
5.4.3 WLPによるパッケージ内蔵型インダクタの形成セイコーエプソン	134
5.4.4 W-CSPによるスパイラルインダクタの内蔵化カシオ計算機	137
5.4.5 100GHz対応低コストMMICパッケージ　富士通研究所	138
5.4.6 CSPを施したRF MEMSスイッチオムロン	140
引用文献	141
第6章配線形成技術	143
6.1 伝送線路	143
6.1.1 マイクロストリップ線路	143
6.1.2 コプレーナライン	144
6.1.3 逆構造マイクロストリップ線路	145
6.1.4 新規配線構造の形成法科学技術振興機構	145
6.1.5 Si基板上の線路	146
6.1.6 ミリ波帯まで利用可能な導体	147
6.1.7 無線超配線	148
6.2 高周波デバイスの実装と伝送線路	149
6.2.1 高速LSIインターポーザの配線	149
6.2.2 コプレーナ線路線路でのデバイス実装	150
6.2.3 マイクロストリップ線路でのデバイス実装	150
6.2.4 プリント配線板での配線形成	151
6.3 配線形成技術	152
6.3.1 従来技術	152
(1) 銅箔による配線形成	153
6.3.2 直接描画技術	158
(1) スクリーン印刷	159
(2) インクジェット印刷法	161
(3) オフセット印刷	164
6.4 フレキシブルプリント配線板への配線形成	164
6.5 ナノ金属粒子を用いた配線形成	166
6.5.1 インクジェット印刷によるLTCCへの微細配線の形成　　　　　 KOA、セイコーエプソン	166
6.5.2 ナノ粒子による新規微細回路形成	168
6.6 企業および研究機関の開発事例	169
6.6.1「SEINTRONICS INK」による配線形成　住友電気工業	169
6.6.2 金属ナノインクによる微細配線形成技術　住友電気工業	169
6.6.3 ナノ銅ペーストによる配線形成　旭硝子	170
6.6.4 印刷法による配線形成用Cuインクの開発　住友金属鉱山	170
6.6.5 スクリーン印刷による回路基板への10μm配線の形成　　　　　大研化学工業、ソノコム、ニューロング精密工業	171
6.6.6 インクジェット法による超多層回路基板の試作　セイコーエプソン	172
6.6.7 金ナノ粒子によるガラス基板上への微細回路形成甲南大学理工学部	173
6.6.8 ポリイミド樹脂の表面改質および紫外光照射による微細回路の形成　　　　　甲南大学理工学部	175
6.6.9 有機分子保護金ナノ粒子を用いたガラス基板への微細金配線　　　　　甲南大学理工学部	176
引用文献	177
第7章配線基板技術	179
7.1 配線板の種類と特性および用途	179
7.2 プリント配線基板一括積層技術	181
7.2.1 片面銅張積層板－メッキ柱による一括積層法－	182
7.2.2 パターン転写による一括積層法	183
7.2.3 その他の一括積層技術	184
7.2.4 コアレス全層IVH一括多層基板	185
(1) CPCore　京セラ	185
(2) 全層IVH構造一括多層基板PALAP デンソー	186
7.3 ビルトアップ配線基板	188
7.4 フレキシブルプリント配線板	188
7.5 セラミックス基板	191
7.5.1 LTCC基板	191
(1) LTCC基板の製造法	192
(2) 高寸法精度と平坦化	194
7.5.2 アルミナ多層基板	194
7.6 ハイブリッド積層法	195
7.6.1 単層基板の積層プロセス	195
7.6.2 多層基板の積層プロセス	195
7.7 企業および研究機関の開発事例	196
7.7.1 全層IVH構造「ALIVH」　松下電子部品	196
7.7.2 カーボンナノチューブを利用した高周波用半導体チップの放熱基板　　　　　富士通、富士通研究所	198
7.7.3 LFCシステム　村田製作所	200
7.7.4 新規LTCC材料システム　京セラ	202
7.7.5 高性能多層プリント基板「PAL-CLAD」用基材　　　　　ジャパンゴアテックス、デンソー	205
7.7.6 磁性誘電体の利用による低消費電力化配線基板　　　　　東北大学工学部電子工学科　高橋研究室	205
引用文献	206
第8章部品内蔵技術の動向	207
8.1 部品内蔵技術の種類と特長	208
8.2 部品内蔵技術の現状	208
8.2.1 埋め込み受動素子への要求特性	210
8.2.2 受動部品の基板への内蔵化適用例	210
8.3 セラミック基板への部品内蔵技術	211
8.3.1 抵抗	212
(1) 抵抗の内蔵化方法	212
(2) 金属薄膜抵抗材料	213
(3) 厚膜高温焼成タイプの抵抗	214
8.3.2 コンデンサ(キャパシタ)	214
(1) 内蔵化法	214
(2) 内蔵化コンデンサに用いられる材料	214
8.3.3 インダクタ	216
8.4 樹脂系基板への部品内蔵化技術	216
8.4.1 抵抗	217
8.4.2 コンデンサ(キャパシタ)	217
8.5 半導体プロセスによる受動素子の内蔵	220
8.5.1 Si基板への受動素子の形成	220
(1) コンデンサ(キャパシタ)	220
(2) インダクタ	222
8.6 能動・受動素子の内蔵化技術	224
8.7 エアロゾルデポジション(AD)法	225
8.7.1 概要	225
8.7.2 AD法の特徴	226
8.7.3 高周波部材への展開	226
8.8 企業および研究機関の取り組み	228
8.8.1 面積を20％縮小可能な部品内蔵基板の量産　大日本印刷	228
8.8.2 チップ内蔵「B²it」基板による指紋認識モジュールの試作　ウェスティー	229
8.8.3 膜素子内蔵「B²it」基板　ウェスティー	231
8.8.4 部品内蔵ビルドアップ基板のRFモジュールへの適用　　　　　トッパンNECサーキットソリュージョンズ、凸版印刷	233
8.8.5 部品内蔵技術「EOMIN」　太陽誘電	233
8.8.6 AD法による樹脂系基板へのコンデンサの内蔵富士通、富士通研究所	235
8.5.7 樹脂系コンデンサ機能内蔵回路基板の開発松下電工	236
8.8.8 インクジェットによる部品内蔵基板の試作セイコーエプソン	238
引用文献	240
第9章 RF MEMS	241
9.1 はじめに	241
9.2 RF MEMSの特徴	241
9.3 RF MEMSデバイス	242
9.4 MEMSにおける組み立て技術	243
9.5 MEMS実装における封止の必要性	244
9.6 MEMS封止構造	244
9.7 集積化の必要性および解決のために必要な技術	245
9.7.1 集積化の必要性	245
9.7.2 デバイス構造の共通化による集積化	245
9.8 MEMSの実装例	246
9.9 精密接合技術	248
9.9.1 陽極接合法	249
9.9.2 直接接合法	250
9.9.3 表面活性化接合法(常温接合法)	250
9.9.4 その他の接合方法	252
9.9.5 接合を分離する技術	255
9.10 RF MEMSアプリケーションの動向	255
9.10.1 ミリ波フィルタ	256
(1) ミリ波フィルタの低損失化	257
(2) ミリ波フィルタの小型化	258
9.10.2 可変フィルタ	258
9.10.3 FR MEMSスイッチ	259
9.10.4 FBARフィルタ	262
9.10.5 可変キャパシタ	262
9.10.6 MEMSプローブカード	264
9.11 MEMS実装における課題	265
9.12 企業および研究機関の開発事例	266
9.12.1 オーム接触型のRF MEMSスイッチ(MMR) オムロン	266
9.12.2 MEMS可変キャパシタ　富士通	268
9.12.3 圧電駆動型MEMS可変キャパシタ東芝	269
9.12.4 超高周波用メカニカルフィルタ米ミシガン大学	271
9.12.5 可変インダクタを用いた低雑音増幅器の開発　東芝研究開発センター	271
9.12.6 低損失で高Qの5GHz帯FBARフィルタ　　　　　　富士通研究所、富士通メディアデバイス	272
引用文献	274
第10章電子部品およびその実装	276
10.1 アンテナ	276
10.1.1 はじめに	276
10.1.2 マルチバンド/広帯域アンテナ	278
(1) マルチバンドアンテナの開発	278
A. PC用マルチバンドアンテナ	279
B. 携帯電話端末用マルチバンドアンテナ	279
(2) 広帯域アンテナの開発	281
A. 地上デジタルTV用広帯域アンテナ	281
B. UWB用広帯域アンテナ	285
10.1.3 MIMO用アンテナ	289
10.1.4 ミリ波通信用アンテナ	290
(1) ミリ波帯LTCCアンテナ京セラ	290
(2) チップ搭載ミリ波通信用アンテナ	291
10.1.5 アンテナの技術課題	292
10.2 アンテナスイッチ	293
10.3 積層スイッチフィルタ	293
10.4 高周波フィルタ	296
10.4.1 高周波フィルタの種類と特徴	297
10.4.2 誘電体共振器・フィルタ	297
10.4.3 積層誘電体フィルタ	298
10.4.4 平面フィルタ	298
10.4.5 高周波BPFフィルタ	299
10.4.6 SAWフィルタ	299
10.4.7 FBARフィルタ	301
10.4.8 UWB用BPF	302
10.5 バランスフィルタ	303
10.6 移相器	305
10.7 インダクタ	307
10.7.1 積層チップインダクタ	307
10.7.2 積層チップパワーインダクタ	308
10.7.3 ハイブリッド積層法による高周波コイル	309
10.8 コンデンサ(キャパシタ)	309
10.8.1 積層セラミックコンデンサ	310
10.8.2 高周波回路用高精度コンデンサ	311
10.9 その他の部品	313
10.9.1 チップ抵抗	313
10.9.2 チップインダクタ	313
10.9.3 チップコンデンサ	313
引用文献	314
第11章　高周波実装における解析技術	315
11.1 最適要素抽出法(新OSE法)　日本電気、電気通信大学	315
11.2「HFSS」「Siwave」によるビルドアップ配線基板の高周波電気特性解析　　　米アンソフト社	316
11.3 樹脂基板への部品内蔵に関する電気特性の検討　日本電気	319
引用文献	321
III .材料編	322
第1章　高速・高周波対応材料	322
1.1 高周波用誘電体の特性	322
1.2 高周波用誘電体材料	324
1.3 誘電体材料の低損失化	325
1.4 現在求められる誘電体材料	326
1.5 配線基板に用いられる絶縁材料	326
引用文献	327
第2章　配線基板材料	328
2.1 高周波対応基板材料に必須な電気特性	328
2.1.1 信号の高速化に必要な材料特性	328
2.1.2 伝播損失の低減に必要な材料特性	329
2.2 樹脂系基板材料	330
2.2.1 低誘電率化、低誘電正接化の方法	332
2.2.2 高周波用絶縁材料	333
(1) フッ素樹脂(PTFE)	335
(2) エポキシ樹脂	335
(3) ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂	335
(4) 多官能スチリル化合物	336
(5) フマレート系ポリマー	336
(6) シアネートエステル樹脂	337
2.2.3 ガラス繊維とガラス布	337
2.2.4フレキシブル基板用材料	339
2.2.5 高熱伝導性材料	340
2.3 セラミックス基板材料	342
2.3.1 LTCC基板	343
(1) LTCCを構成する材料	344
(2) 低誘電体損失化	345
(3) LTCCモジュールを構成する材料への要求特性	346
(4) 低熱膨張LTCCによる低応力実装技術京セラ	347
2.3.2 アルミナ基板材料	348
2.4 有機/無機ナノコンポジット材料	349
2.5 企業の開発事例	349
2.5.1 PPE樹脂による新規多層基板材料「MEGTRON6」の開発　松下電工	349
2.5.2 熱硬化性多官能スチレン系樹脂の開発　日立製作所	352
2.5.3 カーボンナノチューブを用いた、GHz帯域でも使用可能な有機絶縁材料　　　　　大阪ガス、関西新技術研究所	353
2.5.4 低誘電損失ガラスセラミックコンポジット材料の開発　日本電気硝子	354
2.5.5 高性能プリント配線基板用熱可塑性樹脂フィルム「IBUKI-LT」　三菱樹脂	355
2.5.6 溶媒キャスト法によるLCP基板フィルム住友化学	356
2.5.7 「エスパネックスLシリーズ」　新日鐵化学	358
2.5.8 「シベラス」LXシリーズ東レ	360
2.5.9 液晶ポリマーによる両面FPCの量産 NOK、日本メクトロン	361
2.5.10 FPC材料「スーパーシリーズ」　京セラケミカル	363
2.5.11 高周波用多孔ポリイミド基板材料　日東電工	365
2.6 部品内蔵基板に用いられる材料	366
2.6.1 受動部品に用いられる材料	366
(1) 抵抗	367
(2) コンデンサ(キャパシタ)	368
(3) 樹脂基板内蔵有機薄膜コンデンサ材料日立製作所、東京工業大学	378
(4) Chip in Polymer Fraunhofer IZM	379
2.6.2 部品内蔵技術に用いられる基板材料	380
(1) 樹脂基板材料	380
(2) 素子内蔵LTCC基板に必要な材料特性	380
引用文献	382
第3章　パターン形成に用いられる材料	384
3.1 導電性ペーストの問題点	384
3.2 ナノ金属ペースト	384
3.2.1 ナノ金属ペーストの特徴	386
3.2.2 導電性ペーストに用いられる金属材料	387
3.3 LTCC用厚膜ペースト	387
3.3.1 高温焼成対応Agペースト	388
3.4 企業の開発事例	390
3.4.1 導電性銀ナノペースト　ハリマ化成、アルバック	390
3.4.2 銀ナノ粒子によるハイブリッドペーストハリマ化成	392
3.4.3 独立分散金ナノ粒子を用いた金ナノペースト　　　　　アルバック・コーポレートセンター、ハリマ化成	393
3.4.4 ナノ金属ペースト「ファインスフェア」日本ペイント	394
3.4.5 銀に匹敵する銅のナノインクの開発旭化成	394
3.4.6 ナノ銀ペースト「NAG」、「CA-2503」シリーズ　　　　　大研化学工業、大阪市立工業研究所	395
3.4.7 プラスチック基材への回路形成用ナノペースト　　　　　大阪市立工業研究所、大研化学工業	395
引用文献	397
IV. 応用編	398
第1章　携帯電話	399
1.1 通信方式の進展	400
1.2 携帯電話におけるCMOS技術	402
1.2.1 CMOS技術によるチップ集積化	403
1.2.2 RF＋IF＋BBの1チップ化	404
1.3 携帯電話における送受信機の構成	404
1.3.1 GSM対応送受信機	404
1.3.2 EDGE対応送受信機	407
1.4 携帯電話におけるMEMS技術の応用	408
1.4.1 RFデバイス	410
1.4.2 RFスイッチ	410
1.4.3 HDD型半導体メモリ	411
1.4.4 3次元実装による高密度化	412
1.5 携帯電話における実装	413
1.5.1 携帯電話における実装の特徴	414
1.5.2 RF、IF、BB部の実装	416
1.5.3 RF送受信機のモジュール化	418
1.5.4 携帯電話PA用パッケージ	419
1.5.5 基板上の配線	419
1.5.6 プリント配線板	420
1.6 企業の開発事例	421
1.6.1 携帯電話用ワンセグ放送受信用モジュール村田製作所	421
1.6.2 W-CDMA端末用SiGe受信モジュール　三菱電機	423
1.6.3 携帯機器用デジタルTVチューナICの開発シャープ	424
1.6.4 超薄型・高周波対応多層配線ISBモジュール技術三洋電機	426
引用文献	430
第2章　無線LAN	432
2.1 無線LANでのCMOS技術	432
2.2 無線LAN回路での集積化	432
2.3 MIMO	433
2.4 企業の開発事例	434
2.4.1 90nm CMOS技術によるMIMO対応の小型1チップ化RFトランシーバ　　　　　米Intel 社	434
2.4.2 0.11μm CMOS技術による5GHz帯低雑音アンプの開発　　　　　富士通研究所、富士通	435
2.4.3 2.4GHz/5GHz デュアルバンド無線LAN 用パワーアンプ　　　　　ルネサステクノロジ	436
2.4.4 デュアルバンド無線LAN用パワーアンプIC シャープ	436
2.4.5 2.4GHz帯小型逆F積層セラミックチップアンテナ太陽誘電	437
2.4.6 無線LAN用アンテナ英Antenova社	438
引用文献	439
第3章　Bluetooth	440
3.1 Bluetoothシステムの構成	440
3.2 Bluetoothにおける受信機アーキテクチャの選択	440
3.3 BluetoothでのCMOS技術	441
3.4 Bluetoothシステムの小型化	442
3.4 1 LSI部の一体化	442
3.4 2 個別部品のLSI内蔵化	442
3.4 3 変調方式の選択	444
3.5 企業の開発事例	444
3.5.1 0.18μmCMOSプロセスによるBluetoothトランシーバの開発三菱電機	444
3.5.2 CDMA向け最小Bluetooth RFモジュール「RB06」　京セラ	445
3.5.3 BluetoothR HCIモジュール「FC06」の開発京セラ、ミツミ電機	446
引用文献	447
第4章　UWB(Ultra Wide Babd)	448
4.1 はじめに	448
4.2 ワイヤレスUSB	449
4.3 超広帯域無線通信技術日本電気	449
4.4 CMOS高周波ICによるUWB送受信モジュール通信総合研究所	450
引用文献	451
第5章ソフトウエア無線	452
5.1 ソフトウェア無線の特徴	452
5.2 動的再構成RF回路	453
5.3 800MHz～5GHzの各種サービスを1チップで受信する無線回路の開発　　　米UCLA、米WiLinx Corp.	454
引用文献	455
資料編	456
1.部品内蔵基板に関する国内公開特許	456
1.1 部品内蔵基板に関する出願	456
1.2 部品内蔵セラミツクスに関する出願	479
2.固体微粒子の衝突付着を利用した各種コーティング技術	481
2.1 エアロゾルデポジション(AD)法によるセラミックス被膜の形成	481
2.2 静電微粒子衝撃コーティング法(EPID法)	483
2.3 ガスデポジション法(GD法)	483
2.4 コールドスプレー法	483
2.5 その他の手法	484

□ このページのトップへ
□ エレクトロニクス分野の目次へ

高速・高周波対応実装技術 －無線機器におけるデバイス、モジュール、材料の新展開－

章 目 次

詳 細 目 次

高速・高周波対応実装技術
－無線機器におけるデバイス、モジュール、材料の新展開－

章目次

詳　細　目　次