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高速・高周波対応実装技術
−無線機器におけるデバイス、モジュール、材料の新展開−

　本格的なユビキタス社会の到来を迎え、携帯電話やノートPC等のモバイル機器や車載機器においてBluetooth、無線LAN等様々な無線システムが搭載され、高速化、多機能化、効率化、高品質化が進んでいます。一方、CMOS技術によるRF半導体デバイスの1チップ化が急速に進み、これら高周波デバイスを含め、各種能動部品、受動部品を限られた面積のプリント配線板に搭載する必要性から、部品自体の小型化に留まらず、モジュール化や実装技術の革新も重要性を増しています。


I. 導入編 ： 高速伝送時代の無線通信技術および関連市場について概説！
II. 技術編 ： RF-CMOSデバイスや化合物半導体デバイス、MMIC、高周波モジュール、パッケージング技術、接合技術、配線基板技術、部品内蔵技術、RF MEMS、電子部品およびその実装技術について詳述！
III. 材料編 ： 高周波用配線基板材料および配線形成に用いられる材料について紹介！
IV. 応用編 ： 携帯電話、無線LAN、Bluetooth、UWB、ソフトウエア無線等の応用分野での技術動向について詳述！
  資料編

：

 過去5年間の部品内蔵基板に関する国内重要特許を紹介！
各企業および研究機関の開発事例を多数収録！


　　　　□体裁　A4判　484頁
　　　　□税込価格　71,400円　(本体68,000円、消費税3,400円)
　　　　□送料　弊社負担
　　　　□発行　2007年3月

章　目　次

I .導入編
第1章 序論
第2章 市場動向
II .技術編
第1章　高周波・高出力半導体とその実装技術
第2章 送受信機の構成
第3章　RFモジュール
第4章　接続技術
第5章 パッケージ技術
第6章 配線形成技術
第7章 配線基板技術
第8章 部品内蔵技術の動向
第9章 RF MEMS
第10章 電子部品およびその実装
第11章　高周波実装における解析技術
III .材料編
第1章　高速・高周波対応材料
第2章　配線基板材料
第3章　パターン形成に用いられる材料
IV.応用編
第1章　携帯電話
第2章　無線LAN
第3章　Bluetooth
第4章　UWB(Ultra Wide Babd)
第5章ソフトウエア無線
　
資料編
1.部品内蔵基板に関する国内公開特許
2.固体微粒子の衝突付着を利用した各種コーティング技術

詳　細　目　次



I . 導入編		 頁

1
第1章 序論　 1
　1.1 高速化時代の無線通信技術 1
　1.2 高速無線システムの標準規格化の動向 2
　1.3 CMOS RFデバイス 3
　1.4 ミリ波帯通信でのCMOS技術 4
　　引用文献 7

第2章 市場動向 　		 8
　2.1 無線通信の市場 8
　2.2 その他関連分野の市場 14
　　2.2.1 プリント配線基板の市場動向 14
　　2.2.2 フレキシブルプリント配線基板の市場動向 15
　　引用文献 18


II . 技術編 		19
第1章　高周波・高出力半導体とその実装技術 19
　1.1 PAにおけるデバイス動向 20
　　1.1.1 高出力増幅器 20
　　　(1) 半導体高出力増幅器の構成 21
　　　(2) 高出力増幅器の今後 23
　　1.1.2 無線通信端末用PA 23
　　1.1.3 化合物半導体デバイス 24
　　　(1) GaAs系デバイス 24
　　　(2) InP系デバイス 25
　　　(3) InGaP系デバイス 26
　　　(4) GaN系デバイス 27
　　1.1.4 CMOSデバイス 31
　　　(1) SiGe HEMT 31
　　　(2) SiGe HBT 31
　　　(3) SiGeヘテロDTMOS 松下電器産業 31
　　　(4) デバイス特性 33
　1.2 PA以外の高周波デバイス動向 35
　　1.2.1 CMOS RFデバイス 36
　1.3企業による開発事例 36
　　1.3.1 世界最高速InP HEMT　富士通 36
　　1.3.2 50Gbpsで動作するCMOSセレクタICの開発 富士通研究所、富士通 37
　1.4 MMIC 38
　　1.4.1 MMICの問題点 39
　　1.4.2 フリップチップMMIC 40
　　1.4.3 Si-MMIC 40
　　1.4.4 SiGeシステムIC−受信モジュール 41
　　1.4.5 酸化物薄膜エピタキシャル成長技術による受動部品のインテグレーション 41
　　　(1) シリコン基板への化合物半導体能動素子の埋め込み 42
　　　(2) 高周波高誘電率薄膜コンデンサ 42
　　1.4.6 車載レーダMMIC 43
　　　(1) シングルチップ統合MMICモジュール 富士通テン 43
　　　(2) 車載レーダ用MMIC 三菱電機 45
　　1.4.7 多層化MMIC 48
　　1.4.8 三次元MMIC 50
　　1.4.9 企業の開発事例 52
　　　(1) CSPパッケージを用いた完全集積化MMIC 松下電器産業 52
　　　(2) CSPを用いた広帯域増幅器の開発 松下電産業 54
　　　(3) GaN MMIC技術を用いた大電力スイッチICの開発 松下電器産業 　 55
　　　(4) 準ミリ波UWB無線システム用GaN MMIC　松下電器産業 56
　　　(5) ETC車載器用MMIC送受信システムの開発　三菱電機 57
　　　(6) 10Gbpsの無線送受信用チップの開発 NTTフォトニクス研究所 58
　　　(7) 「LUFET」MMIC ATR光電波通信研究所 60
　　引用文献 60

第2章 送受信機の構成		 62
　2.1 送受信機アーキテクチャ　 62
　　2.1.1 無線送受信器 62
　　2.1.2 マルチバンド/マルチモード化 67
　2.2 次世代無線システム 67
　2.3 CMOS技術の将来展望 68
　　引用文献 69

第3章　RFモジュール		 70
　3.1 CMOS技術による集積化 70
　　3.1.1 受動素子の占有面積 70
　　3.1.2 受動素子の損失 71
　　3.1.3 三次元MMIC 71
　　3.1.4 RFフロントエンドの実装 72
　　3.1.5 EWLPの小型機能モジュールへの展開 73
　　3.1.6 UWBモジュール開発における課題 73
　3.2 LTCCモジュール 73
　　3.2.1 LTCC基板への要求特性 75
　　3.2.2 LTCCの特徴とモジュール化における課題とその解決 75
　　3.2.3 LTCC基板によるモジュール化の例 76
　　　(1) 携帯電話RFフロントエンドおよびIF部の実装 76
　　　(2) 14GHz帯で動作する衛星通信用地上局モジュール 77
　　　(3) 60GHzで動作するミリ波帯通信モジュール 78
　　　(4) スイッチモジュール 79
　　　(5) SAWフィルタ集積型アンテナスイッチモジュール 日立金属 80
　3.3 ハイブッド積層技術によるモジュール 81
　　3.3.1 VCOモジュール 81
　　3.3.2 ハイブリッド積層パワーアンプ 82
　　3.3.3 ハイブリッドRFモジュールの展開 83
　3.4 無線LAN用RFモジュール　 84
　　3.4.1 5GHz帯無線LAN用モジュール 東芝 84
　　3.4.2 フィルタ内蔵化デュアルバンド無線LAN用RFモジュール　東芝 85
　　3.4.3 無線LAN用FEモジュール部品の開発 日立金属 87
　3.5 基板内蔵受動部品の集積化に関するケース・スタディー 米Motorola社 88
　　引用文献 89

第4章　接続技術		 91
　4.1 フリップチップ実装 91
　　4.1.1 NSD工法 91
　　4.1.2 異方導電性接着剤によるフリップチップ実装 92
　　4.1.3 ミリ波に適したフリップチップ実装方法 93
　4.2 STAMPによるPOP実装 93
　4.3 BGA接続の三次元電磁界解析 96
　4.4 バンプ形成法　 96
　　4.4.1 金ナノペーストによるバンプ形成 96
　　4.4.2 溶融はんだ吐出法 97
　4.5 鉛フリーはんだの動向 98
　4.6 有機−銀複合ナノ粒子による接合法 100
　　引用文献  

第5章 パッケージ技術		 102
　5.1 マイクロ波・ミリ波パッケージ技術 102
　　5.1.1 SOP(SiP) 102
　　5.1.2 マルチチップモジュール(MCM) 103
　　5.1.3 マイクロ波SiP 105
　　5.1.4 ミリ波SOP 106
　　5.1.5 マイクロ波・ミリ波SiPを支える要素技術と課題 106
　　5.1.6 RF MEMSパッケージ 107
　5.2　半導体のパッケージ技術 110
　　5.2.1 チップサイズパッケージ(CSP) 111
　　5.2.2 SiP(System in Package) 112
　　　(1) パッケージ積層によるSiP(PoP) 115
　　　(2) SEP(System Embedded Package) 117
　　　(3) SMAFTI構造 118
　　　(4) 部品内蔵基板を用いたSiP 120
　　5.2.3 ウェハレベルCSP(WL-CSP) 121
　　　(1) W-CSPによるスパイラルインダクタの内蔵化 121
　　　(2) EWLP(Embedded WLP) 123
　　5.2.4 3次元実装技術 123
　5.3 パッケージユニット 126
　　5.3.1 金属パッケージ 126
　　5.3.2 セラミックパッケージ 127
　　5.3.3 樹脂パッケージ 129
　5.4　企業の開発事例 130
　　5.4.1 LEDモジュールを実装したSiPの試作　プログラム実装コンソーシアム 130
　　5.4.2 部品およびLSI搭載可能なEWLP　カシオ計算機 　 132
　　5.4.3 WLPによるパッケージ内蔵型インダクタの形成 セイコーエプソン 134
　　5.4.4 W-CSPによるスパイラルインダクタの内蔵化 カシオ計算機 137
　　5.4.5 100GHz対応低コストMMICパッケージ　富士通研究所 138
　　5.4.6 CSPを施したRF MEMSスイッチ オムロン 140
　　引用文献 141

第6章 配線形成技術		 143
　6.1 伝送線路 143
　　6.1.1 マイクロストリップ線路 143
　　6.1.2 コプレーナライン 144
　　6.1.3 逆構造マイクロストリップ線路 145
　　6.1.4 新規配線構造の形成法 科学技術振興機構 145
　　6.1.5 Si基板上の線路 146
　　6.1.6 ミリ波帯まで利用可能な導体 147
　　6.1.7 無線超配線 148
　6.2 高周波デバイスの実装と伝送線路 149
　　6.2.1 高速LSIインターポーザの配線 149
　　6.2.2 コプレーナ線路線路でのデバイス実装 150
　　6.2.3 マイクロストリップ線路でのデバイス実装 150
　　6.2.4 プリント配線板での配線形成 151
　6.3 配線形成技術 152
　　6.3.1 従来技術 152
　　　(1) 銅箔による配線形成 153
　　6.3.2 直接描画技術 158
　　　(1) スクリーン印刷 159
　　　(2) インクジェット印刷法 161
　　　(3) オフセット印刷 164
　6.4 フレキシブルプリント配線板への配線形成 164
　6.5 ナノ金属粒子を用いた配線形成 166
　　6.5.1 インクジェット印刷によるLTCCへの微細配線の形成
　　　　　 KOA、セイコーエプソン		 166
　　6.5.2 ナノ粒子による新規微細回路形成 168
　6.6 企業および研究機関の開発事例 169
　　6.6.1「SEINTRONICS INK」による配線形成　住友電気工業 169
　　6.6.2 金属ナノインクによる微細配線形成技術　住友電気工業 169
　　6.6.3 ナノ銅ペーストによる配線形成　旭硝子 170
　　6.6.4 印刷法による配線形成用Cuインクの開発　住友金属鉱山 170
　　6.6.5 スクリーン印刷による回路基板への10μm配線の形成
　　　　　 大研化学工業、ソノコム、ニューロング精密工業		 171
　　6.6.6 インクジェット法による超多層回路基板の試作　セイコーエプソン 172
　　6.6.7 金ナノ粒子によるガラス基板上への微細回路形成 甲南大学理工学部　 173
　　6.6.8 ポリイミド樹脂の表面改質および紫外光照射による微細回路の形成
　　　　　 甲南大学理工学部		 175
　　6.6.9 有機分子保護金ナノ粒子を用いたガラス基板への微細金配線
　　　　　 甲南大学理工学部		 176
　　引用文献 177

第7章 配線基板技術		 179
　7.1 配線板の種類と特性および用途 179
　7.2 プリント配線基板一括積層技術 181
　　7.2.1 片面銅張積層板−メッキ柱による一括積層法− 182
　　7.2.2 パターン転写による一括積層法 183
　　7.2.3 その他の一括積層技術 184
　　7.2.4 コアレス全層IVH一括多層基板 185
　　　(1) CPCore　京セラ 185
　　　(2) 全層IVH構造一括多層基板PALAP デンソー 186
　7.3 ビルトアップ配線基板 188
　7.4 フレキシブルプリント配線板 188
　7.5 セラミックス基板 191
　　7.5.1 LTCC基板 191
　　　(1) LTCC基板の製造法 192
　　　(2) 高寸法精度と平坦化 194
　　7.5.2 アルミナ多層基板 194
　7.6 ハイブリッド積層法 195
　　7.6.1 単層基板の積層プロセス 195
　　7.6.2 多層基板の積層プロセス 195
　7.7 企業および研究機関の開発事例 196
　　7.7.1 全層IVH構造「ALIVH」　松下電子部品 196
　　7.7.2 カーボンナノチューブを利用した高周波用半導体チップの放熱基板
　　　　　 富士通、富士通研究所		 198
　　7.7.3 LFCシステム　村田製作所 200
　　7.7.4 新規LTCC材料システム　京セラ　 202
　　7.7.5 高性能多層プリント基板「PAL-CLAD」用基材
　　　　　 ジャパンゴアテックス、デンソー		 205
　　7.7.6 磁性誘電体の利用による低消費電力化配線基板
　　　　　 東北大学工学部電子工学科　高橋研究室		 205
　　引用文献 206

第8章 部品内蔵技術の動向		 207
　8.1 部品内蔵技術の種類と特長 208
　8.2 部品内蔵技術の現状 208
　　8.2.1 埋め込み受動素子への要求特性 210
　　8.2.2 受動部品の基板への内蔵化適用例 210
　8.3 セラミック基板への部品内蔵技術 211
　　8.3.1 抵抗 212
　　　(1) 抵抗の内蔵化方法 212
　　　(2) 金属薄膜抵抗材料 213
　　　(3) 厚膜高温焼成タイプの抵抗 214
　　8.3.2 コンデンサ(キャパシタ) 214
　　　(1) 内蔵化法 214
　　　(2) 内蔵化コンデンサに用いられる材料 214
　　8.3.3 インダクタ 216
　8.4 樹脂系基板への部品内蔵化技術 216
　　8.4.1 抵抗 217
　　8.4.2 コンデンサ(キャパシタ) 217
　8.5 半導体プロセスによる受動素子の内蔵 220
　　8.5.1 Si基板への受動素子の形成 220
　　　(1) コンデンサ(キャパシタ) 220
　　　(2) インダクタ 222
　8.6 能動・受動素子の内蔵化技術 224
　8.7 エアロゾルデポジション(AD)法 225
　　8.7.1 概要 225
　　8.7.2 AD法の特徴 226
　　8.7.3 高周波部材への展開 226
　8.8 企業および研究機関の取り組み 228
　　8.8.1 面積を20％縮小可能な部品内蔵基板の量産　大日本印刷 228
　　8.8.2 チップ内蔵「B2it」基板による指紋認識モジュールの試作　ウェスティー 229
　　8.8.3 膜素子内蔵「B2it」基板　ウェスティー 231
　　8.8.4 部品内蔵ビルドアップ基板のRFモジュールへの適用
　　　　　 トッパンNECサーキットソリュージョンズ、凸版印刷　		 233
　　8.8.5 部品内蔵技術「EOMIN」　太陽誘電 233
　　8.8.6 AD法による樹脂系基板へのコンデンサの内蔵 富士通、富士通研究所 235
　　8.5.7 樹脂系コンデンサ機能内蔵回路基板の開発 松下電工 236
　　8.8.8 インクジェットによる部品内蔵基板の試作 セイコーエプソン 238
　　引用文献 240

第9章 RF MEMS 		241
　9.1 はじめに 241
　9.2 RF MEMSの特徴 241
　9.3 RF MEMSデバイス 242
　9.4 MEMSにおける組み立て技術 243
　9.5 MEMS実装における封止の必要性 244
　9.6 MEMS封止構造 244
　9.7 集積化の必要性および解決のために必要な技術 245
　　9.7.1 集積化の必要性 245
　　9.7.2 デバイス構造の共通化による集積化 245
　9.8 MEMSの実装例 246
　9.9 精密接合技術 248
　　9.9.1 陽極接合法 249
　　9.9.2 直接接合法 250
　　9.9.3 表面活性化接合法(常温接合法) 250
　　9.9.4 その他の接合方法 252
　　9.9.5 接合を分離する技術 255
　9.10 RF MEMSアプリケーションの動向 255
　　9.10.1 ミリ波フィルタ 256
　　　(1) ミリ波フィルタの低損失化 257
　　　(2) ミリ波フィルタの小型化 258
　　9.10.2 可変フィルタ 258
　　9.10.3 FR MEMSスイッチ 259
　　9.10.4 FBARフィルタ 262
　　9.10.5 可変キャパシタ 262
　　9.10.6 MEMSプローブカード 264
　9.11 MEMS実装における課題 265
　9.12 企業および研究機関の開発事例 266
　　9.12.1 オーム接触型のRF MEMSスイッチ(MMR) オムロン 266
　　9.12.2 MEMS可変キャパシタ　富士通 268
　　9.12.3 圧電駆動型MEMS可変キャパシタ 東芝　 269
　　9.12.4 超高周波用メカニカルフィルタ 米ミシガン大学 271
　　9.12.5 可変インダクタを用いた低雑音増幅器の開発　東芝研究開発センター 271
　　9.12.6 低損失で高Qの5GHz帯FBARフィルタ
　　　　　　 富士通研究所、富士通メディアデバイス		 272
　　引用文献 274

第10章 電子部品およびその実装		 276
　10.1 アンテナ 276
　　10.1.1 はじめに 276
　　10.1.2 マルチバンド/広帯域アンテナ 278
　　　(1) マルチバンドアンテナの開発 278
　　　　A. PC用 マルチバンドアンテナ 279
　　　　B. 携帯電話端末用マルチバンドアンテナ 279
　　　(2) 広帯域アンテナの開発 281
　　　　A. 地上デジタルTV用広帯域アンテナ 281
　　　　B. UWB用広帯域アンテナ 285
　　10.1.3 MIMO用アンテナ 289
　　10.1.4 ミリ波通信用アンテナ 290
　　　(1) ミリ波帯LTCCアンテナ 京セラ 290
　　　(2) チップ搭載ミリ波通信用アンテナ 291
　　10.1.5 アンテナの技術課題 292
　10.2 アンテナスイッチ 293
　10.3 積層スイッチフィルタ 293
　10.4 高周波フィルタ 296
　　10.4.1 高周波フィルタの種類と特徴 297
　　10.4.2 誘電体共振器・フィルタ 297
　　10.4.3 積層誘電体フィルタ 298
　　10.4.4 平面フィルタ 298
　　10.4.5 高周波BPFフィルタ 299
　　10.4.6 SAWフィルタ 299
　　10.4.7 FBARフィルタ 301
　　10.4.8 UWB用BPF 302
　10.5 バランスフィルタ 303
　10.6 移相器 305
　10.7 インダクタ 307
　　10.7.1 積層チップインダクタ 307
　　10.7.2 積層チップパワーインダクタ 308
　　10.7.3 ハイブリッド積層法による高周波コイル 309
　10.8 コンデンサ(キャパシタ) 309
　　10.8.1 積層セラミックコンデンサ 310
　　10.8.2 高周波回路用高精度コンデンサ　 311
　10.9 その他の部品 313
　　10.9.1 チップ抵抗 313
　　10.9.2 チップインダクタ 313
　　10.9.3 チップコンデンサ 313
　　引用文献 314

第11章　高周波実装における解析技術		 315
　11.1 最適要素抽出法(新OSE法)　日本電気、電気通信大学　 315
　11.2「HFSS」「Siwave」によるビルドアップ配線基板の高周波電気特性解析
　　　 米アンソフト社		 316
　11.3 樹脂基板への部品内蔵に関する電気特性の検討　日本電気 319
　　引用文献 321


III .材料編		 322
第1章　高速・高周波対応材料 322
　1.1 高周波用誘電体の特性　 322
　1.2 高周波用誘電体材料 324
　1.3 誘電体材料の低損失化 325
　1.4 現在求められる誘電体材料 326
　1.5 配線基板に用いられる絶縁材料 326
　　引用文献 327

第2章　配線基板材料		 328
　2.1 高周波対応基板材料に必須な電気特性 328
　　2.1.1 信号の高速化に必要な材料特性 328
　　2.1.2 伝播損失の低減に必要な材料特性 329
　2.2 樹脂系基板材料 330
　　2.2.1 低誘電率化、低誘電正接化の方法 332
　　2.2.2 高周波用絶縁材料 333
　　　(1) フッ素樹脂(PTFE) 335
　　　(2) エポキシ樹脂 335
　　　(3) ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂 335
　　　(4) 多官能スチリル化合物 336
　　　(5) フマレート系ポリマー 336
　　　(6) シアネートエステル樹脂 337
　　2.2.3 ガラス繊維とガラス布 337
　　2.2.4フレキシブル基板用材料 339
　　2.2.5 高熱伝導性材料 340
　2.3 セラミックス基板材料 342
　　2.3.1 LTCC基板 343
　　　(1) LTCCを構成する材料 344
　　　(2) 低誘電体損失化 345
　　　(3) LTCCモジュールを構成する材料への要求特性 346
　　　(4) 低熱膨張LTCCによる低応力実装技術 京セラ 347
　　2.3.2 アルミナ基板材料 348
　2.4 有機/無機ナノコンポジット材料 349
　2.5 企業の開発事例 349
　　2.5.1 PPE樹脂による新規多層基板材料「MEGTRON6」の開発　松下電工 349
　　2.5.2 熱硬化性多官能スチレン系樹脂の開発　日立製作所 352
　　2.5.3 カーボンナノチューブを用いた、GHz帯域でも使用可能な有機絶縁材料
　　　　　 大阪ガス、関西新技術研究所		 353
　　2.5.4 低誘電損失ガラスセラミックコンポジット材料の開発　日本電気硝子 354
　　2.5.5 高性能プリント配線基板用熱可塑性樹脂フィルム「IBUKI-LT」　三菱樹脂 355
　　2.5.6 溶媒キャスト法によるLCP基板フィルム 住友化学 356
　　2.5.7 「エスパネックスLシリーズ」　新日鐵化学 358
　　2.5.8 「シベラス」LXシリーズ 東レ 360
　　2.5.9 液晶ポリマーによる両面FPCの量産 NOK、日本メクトロン 361
　　2.5.10 FPC材料「スーパーシリーズ」　京セラケミカル 363
　　2.5.11 高周波用多孔ポリイミド基板材料　日東電工 365
　2.6 部品内蔵基板に用いられる材料 366
　　2.6.1 受動部品に用いられる材料 366
　　　(1) 抵抗 367
　　　(2) コンデンサ(キャパシタ) 368
　　　(3) 樹脂基板内蔵有機薄膜コンデンサ材料 日立製作所、東京工業大学　 378
　　　(4) Chip in Polymer Fraunhofer IZM 379
　　2.6.2 部品内蔵技術に用いられる基板材料 380
　　　(1) 樹脂基板材料 380
　　　(2) 素子内蔵LTCC基板に必要な材料特性 380
　　引用文献 382

第3章　パターン形成に用いられる材料		 384
　3.1 導電性ペーストの問題点 384
　3.2 ナノ金属ペースト 384
　　3.2.1 ナノ金属ペーストの特徴 386
　　3.2.2 導電性ペーストに用いられる金属材料 387
　3.3 LTCC用厚膜ペースト 387
　　3.3.1 高温焼成対応Agペースト 388
　3.4 企業の開発事例 390
　　3.4.1 導電性銀ナノペースト　ハリマ化成、アルバック 390
　　3.4.2 銀ナノ粒子によるハイブリッドペースト ハリマ化成 392
　　3.4.3 独立分散金ナノ粒子を用いた金ナノペースト
　　　　　 アルバック・コーポレートセンター、ハリマ化成		 393
　　3.4.4 ナノ金属ペースト「ファインスフェア」日本ペイント 394
　　3.4.5 銀に匹敵する銅のナノインクの開発 旭化成　 394
　　3.4.6 ナノ銀ペースト「NAG」、「CA-2503」シリーズ
　　　　　 大研化学工業、大阪市立工業研究所		 395
　　3.4.7 プラスチック基材への回路形成用ナノペースト
　　　　　 大阪市立工業研究所、大研化学工業 		395
　　引用文献 397


IV. 応用編 		398
第1章　携帯電話 399
　1.1 通信方式の進展 400
　1.2 携帯電話におけるCMOS技術 402
　　1.2.1 CMOS技術によるチップ集積化 403
　　1.2.2 RF＋IF＋BBの1チップ化 404
　1.3 携帯電話における送受信機の構成 404
　　1.3.1 GSM対応送受信機 404
　　1.3.2 EDGE対応送受信機 407
　1.4 携帯電話におけるMEMS技術の応用 408
　　1.4.1 RFデバイス 410
　　1.4.2 RFスイッチ 410
　　1.4.3 HDD型半導体メモリ 411
　　1.4.4 3次元実装による高密度化 412
　1.5 携帯電話における実装 413
　　1.5.1 携帯電話における実装の特徴 414
　　1.5.2 RF、IF、BB部の実装 416
　　1.5.3 RF送受信機のモジュール化 418
　　1.5.4 携帯電話PA用パッケージ 419
　　1.5.5 基板上の配線 419
　　1.5.6 プリント配線板 420
　1.6 企業の開発事例　 421
　　1.6.1 携帯電話用ワンセグ放送受信用モジュール 村田製作所 421
　　1.6.2 W-CDMA端末用SiGe受信モジュール　三菱電機 423
　　1.6.3 携帯機器用デジタルTVチューナICの開発 シャープ 424
　　1.6.4 超薄型・高周波対応多層配線ISBモジュール技術 三洋電機 426
　　引用文献 430

第2章　無線LAN		 432
　2.1 無線LANでのCMOS技術 432
　2.2 無線LAN回路での集積化 432
　2.3 MIMO 433
　2.4 企業の開発事例 434
　　2.4.1 90nm CMOS技術によるMIMO対応の小型1チップ化RFトランシーバ
　　　　　 米Intel 社		 434
　　2.4.2 0.11μm CMOS技術による5GHz帯低雑音アンプの開発
　　　　　 富士通研究所、富士通　		 435
　　2.4.3 2.4GHz/5GHz デュアルバンド無線LAN 用パワーアンプ
　　　　　 ルネサス テクノロジ 		436
　　2.4.4 デュアルバンド無線LAN用 パワーアンプIC シャープ 436
　　2.4.5 2.4GHz帯小型逆F積層セラミックチップアンテナ 太陽誘電 437
　　2.4.6 無線LAN用アンテナ 英Antenova社 438
　　引用文献 439

第3章　Bluetooth		 440
　3.1 Bluetoothシステムの構成 440
　3.2 Bluetoothにおける受信機アーキテクチャの選択　 440
　3.3 BluetoothでのCMOS技術 441
　3.4 Bluetoothシステムの小型化 442
　　3.4 1 LSI部の一体化 442
　　3.4 2 個別部品のLSI内蔵化 442
　　3.4 3 変調方式の選択 444
　3.5 企業の開発事例 444
　　3.5.1 0.18μmCMOSプロセスによるBluetoothトランシーバの開発 三菱電機 444
　　3.5.2 CDMA向け最小Bluetooth RFモジュール「RB06」　京セラ 445
　　3.5.3 BluetoothR HCIモジュール「FC06」の開発 京セラ、ミツミ電機 446
　　引用文献 447

第4章　UWB(Ultra Wide Babd)		 448
　4.1 はじめに 448
　4.2 ワイヤレスUSB 449
　4.3 超広帯域無線通信技術 日本電気 449
　4.4 CMOS高周波ICによるUWB送受信モジュール 通信総合研究所 450
　　引用文献 451

第5章ソフトウエア無線		 452
　5.1 ソフトウェア無線の特徴 452
　5.2 動的再構成RF回路 453
　5.3 800MHz〜5GHzの各種サービスを1チップで受信する無線回路の開発
　　　米UCLA、米WiLinx Corp. 		454
　　引用文献 455


資料編		 456
1.部品内蔵基板に関する国内公開特許 456
　1.1 部品内蔵基板に関する出願 456
　1.2 部品内蔵セラミツクスに関する出願 479
2.固体微粒子の衝突付着を利用した各種コーティング技術 481
　2.1 エアロゾルデポジション(AD)法によるセラミックス被膜の形成 481
　2.2 静電微粒子衝撃コーティング法(EPID法) 483
　2.3 ガスデポジション法(GD法) 483
　2.4 コールドスプレー法 483
　2.5 その他の手法 484
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