第1章 高密度実装技術の現状と展望 |
頁
1 |
| 1.1 実装技術の課題と将来動向 |
1 |
| 1.1.1 半導体パッケージの動向 |
1 |
| 1.1.2 実装と環境対策 |
4 |
| 1.1.3 実装と発熱対策 |
5 |
| 1.1.4 モバイル機器の将来動向と実装技術 |
5 |
| 1.2 プリント配線板の新しい取り組み |
6 |
| 1.2.1 配線基板の種類と用途 |
6 |
| 1.2.2 半導体パッケージサブストレートへの要求 |
9 |
| (1) 高ガラス転移点、低熱膨張係数 |
9 |
| (2) 高周波への対応 |
9 |
| (3) 微細配線・微細ビア穴化 |
10 |
| 1.2.3 部品内蔵基板 |
12 |
| 1.3 3次元SiPの動向 |
13 |
| 1.3.1 3次元SiPのパッケージ構造と特徴 |
13 |
| (1) チップスタック、パッケージスタック型 |
14 |
| (2) Si貫通電極スタック型 |
15 |
| (3) WLP埋め込み型 |
15 |
| 1.3.2 SiPの開発例 |
15 |
| (1) チップスタック型MCP |
16 |
| (a) 9段チップ積層型MCP(東芝) |
16 |
(b) チップを高密度で積層できるチップ・オン・ワイヤ技術
(SiPコンソーシアム) |
17 |
| (2) パッケージスタック型SiP |
18 |
| (a) 超小型3次元実装SiP「FFCSP」(NEC) |
18 |
| (b) 0.5mmピッチのデジカメ用3次元SiP(シャープ) |
19 |
(c) STAMPによる3次元PoP実装工法
(パナソニックファクトリーソリューション) |
20 |
| (d) PoP実装量産ラインを共同開発(日本IBM/新潟精密) |
22 |
| (3) COC(Chip on Chip型)チップスタック型SiP |
23 |
(a) COC構造の高密度チップ間接続構造パッケージ
(NECエレクトロニクス/NEC) |
23 |
(b) 30μmの微細ピッチ接続によるCOC-FCBGAパッケージ
(ルネサステクノロジ) |
25 |
| (4) 部品内蔵SiP |
26 |
(a) 受動素子内蔵ウエハレベルパッケージ(WLP)
(フジクラ/東工大) |
26 |
(b) ウエハレベルCSP技術を応用したSi表面への
高Q値インダクタ形成(セイコーエプソン) |
28 |
| (c) EWLPによるSiP展開(カシオ計算機) |
28 |
| (5) Si貫通電極による3次元実装 |
30 |
| (a) 実LSIを使い貫通電極を評価(セイコーエプソン) |
31 |
(b) 常温かしめで接続するSi貫通電極構造のSiP
(日立/ルネサステクノロジ) |
32 |
(c) カメラ付き携帯電話用CCDイメージセンサの試作
(ASET:超先端電子技術開発機構) |
33 |
| 1.3.3 SiPを支える要素技術の動向 |
35 |
| (1) ウエハ薄型化の動向 |
36 |
| (2) ウエハダイシング技術 |
36 |
| (3) SiP用インタポーザの課題と今後 |
37 |
| (4) チップ接続技術 |
40 |
| (5) チップ薄型加工技術の開発動向 |
42 |
(a) ドライエッチングによる新たなストレスリリーフプロセス
(ディスコ) |
42 |
| (b) 薄型化チップの高強度化プロセス(東芝) |
44 |
| (6) 極薄ウエハ製造技術の開発 |
45 |
| (a) 5μmまで薄片化する技術(東京精密) |
45 |
(b) 5〜10μm厚レベルの極薄ウエハ製造技術
(岡本工作機械製作所) |
46 |
| 1.3.4 信頼性解析技術の課題 |
46 |
| (1) 実装の信頼性 |
46 |
| (2) 微細化による接合信頼性 |
47 |
| (3) 多様な実装材料への対応 |
47 |
| 引用文献 |
|
第2章 SiPを支える接着技術の動向 |
50 |
| 2.1 半導体・電子材料用樹脂への要求と対応 |
50 |
| 2.1.1 多層プリント配線板用樹脂 |
50 |
| (1) 耐熱性 |
50 |
| (2) 耐湿耐はんだ性 |
51 |
| (3) 低線膨張率 |
51 |
| (4) 低誘電率、低誘電正接 |
51 |
| 2.1.2 封止材用樹脂 |
52 |
| 2.1.3 ダイボンディン用接着材料 |
53 |
| 2.2 エレクトロニクス用エポキシ樹脂の開発動向 |
53 |
| 2.2.1 エポキシ樹脂の骨格構造と硬化物の物性 |
54 |
| (1) 骨格に芳香核を持つエポキシ樹脂 |
54 |
| (2) 骨格に芳香環を含む多官能型エポキシ樹脂 |
55 |
| (3) 脂環族エポキシ樹脂 |
56 |
| 2.2.2 高耐熱性・高機能性エポキシ樹脂の開発 |
57 |
| (1) 低粘度・高耐熱エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業) |
57 |
(2) 低吸湿・高耐熱性を両立する多官能エポキシ樹脂
(大日本インキ化学工業) |
59 |
| 2.2.3 強靭・高機能性エポキシ樹脂の開発 |
60 |
| (1) 強靭性エポキシ樹脂 |
60 |
| (2) 柔軟・強靭性エポキシ樹脂 |
63 |
| (3) ゴム弾性エポキシ樹脂 |
66 |
| 2.2.4 低誘電率・高耐熱エポキシ樹脂の開発 |
67 |
(1) 耐湿性・低誘電率・高耐熱性エポキシ樹脂
(大日本インキ化学工業) |
67 |
(2) 芳香族オレフィンオリゴマーで改質した低誘電率、
高耐熱、低吸水率エポキシ樹脂(新日鐵化学) |
68 |
(3) SBR系架橋粒子ゴムを配合した低弾性率、高Tg、
高周波対応エポキシ樹脂(JSR) |
69 |
| 2.2.5 ノンハロゲンエポキシ樹脂の開発 |
70 |
| (1) リン系エポキシ樹脂 |
71 |
| (2) シリコーン系エポキシ樹脂 |
71 |
| (3) 高難燃性と耐熱性を両立する非リン系エポキシ樹脂 |
71 |
(a) 自己消火機能を持つエポキシ樹脂組成物と
モールド材、プリント基板への応用(NEC) |
71 |
(b) キサンテン骨格を含むエポキシ樹脂
「EPICLON EXA-7335」(大日本インキ化学工業) |
73 |
(4) ノンハロゲン・高耐熱・高剛性エポキシ樹脂の開発と
パッケージ基板への応用(日立化成) |
73 |
| 2.2.6 エポキシ樹脂のナノ構造制御による高性能・高機能化 |
75 |
(1) メソゲン基を骨格にもつエポキシ樹脂による強靭化、
高熱伝導化 |
75 |
(2) 無機粒子ナノコンポジットによる強靭化、低熱膨張化、
高耐熱化、高難燃化 |
79 |
| (3) シリカ/エポキシ樹脂有機無機ハイブリッド |
81 |
| 2.3 半導体用ダイボンディング接着材の開発動向 |
86 |
| 2.3.1 薄ダイ化実装プロセスとダイシング・ダイボンディングテープ |
87 |
| (1) 薄型パッケージ作製工程 |
87 |
(2) ポリマーアロイ・ナノコンポジット技術を用いたスタックド
MCP用DC・DB一体型テープ(日立化成/古河電工) |
87 |
(3) ダイシング・ダイボンディングテープ「Adwill LE」シリーズ
(リンテック) |
91 |
| 2.3.2 スタックドMCP用ダイボンディングフィルムの開発 |
92 |
| (1) ダイボンディングフィルムに要求される特性 |
92 |
(2) BGA/CSP用低温・高接着性ダイボンディングフィルム
「ハイアタッチDF402」(日立化成) |
93 |
(3) エポキシ樹脂/アクリルポリマアロイ・ナノシリカからの
スタックドMCP用ダイボンディングフィルム(日立化成) |
94 |
(4) 極薄25μm厚ダイアタッチフィルム「エレップマウント」
(日東電工) |
98 |
| 2.4 半導体封止技術の開発動向 |
99 |
| 2.4.1 封止材の種類と構成 |
100 |
| (1) トランスファ成形用封止材 |
100 |
| (2) 液状封止材 |
101 |
2.4.2 環境調和及びBGA/CSPエリアアレイパッケージ用の
封止材の開発 |
101 |
| (1) 環境調和への対応 |
101 |
| (2) BGA/CSPなどのエリアアレイパッケージ用封止材料 |
102 |
(3) 耐鉛フリーはんだ、ハロゲンフリー封止材の開発例
(京セラケミカル、日立化成) |
103 |
| 2.4.3 先端パッケージ用固形封止材の開発 |
109 |
| (1) 多段スタックドチップパッケージ用封止材料 |
109 |
| (2) Cu・Low-kダイ対応封止材料 |
110 |
| (3) 超薄型パッケージ用封止材料 |
110 |
| 2.4.4 フリップチップ構造パッケージ用液状封止材の開発 |
111 |
(1) キャピラリーフローアンダフィル封止材の課題と
新しい封止プロセス |
111 |
| (2) キャピラリフローアンダーフィル材の開発例 |
114 |
(3) NCPの開発例(ナガセケムテックス、ナミックス、
ヘンケルジャパン) |
116 |
| (4) フリップチップBGA用モールドアンダーフィル |
120 |
| 2.4.5 新しい封止システムの開発 |
120 |
| (1) 既存封止方法の問題点 |
120 |
(2) 新しい封止システム：圧縮成形(ナガセケムテックス、
TOWA) |
121 |
第3章 高密度プリント配線板の製造技術 |
126 |
| 3.1 ビルドアップ配線板の製造プロセス |
126 |
| 3.1.1 コンフォーマルビア接続ビルドアップ配線板 |
126 |
| (1) めっきを用いた層間接続ビルドアップ配線板のプロセス |
127 |
| (2) 導電ペーストによる層間接続 |
128 |
| 3.1.2 スタックビア接続の高密度ビルドアップ配線板 |
128 |
| (1) 導電性ペーストによるスタックビア |
128 |
| (2) ビアフィリングめっきによるスタックビア |
130 |
| (3) 一括積層方式のスタックビア |
130 |
| (4) 新規スタックビア技術(柱状めっき、AGSP) |
131 |
| 3.2 プリント配線板のファインパターン形成技術 |
134 |
| 3.2.1 サブトラクティブ法とアディティブ法 |
134 |
(1) サブトラクティブ法 (2) セミアディティブ法
(3) フルアディティブ法
(4) 平滑面の接着方法 |
135 |
| (5) プリント配線板の信頼性 |
136 |
| 3.3 フォトマスク不用のダイレクトイメージング装置 |
136 |
| 3.3.1 ダイレクトイメージング装置開発の背景 |
136 |
| 3.3.2 各社のDI装置 |
137 |
| (1) Paragonシリーズ(オルボテック) |
137 |
| (2) デジタル露光システムINPREX(富士フィルム) |
138 |
| (3) μMIT方式DI装置(ペンタクス) |
139 |
| (4) プリント基板直接描画装置「Mercurex」(大日本スクリーン) |
140 |
| 3.4 ファインパターン形成材料の開発 |
141 |
| 3.4.1 セミアディティブ法対応ビルドアップ材料の開発 |
141 |
| (1) セミアディティブ法対応ビルドアップ材料(日立化成) |
142 |
| (2) アディティブ法対応ビルドアップ配線板(フジクラ) |
143 |
3.4.2 セミアディティブ法対応エッチング剤の開発
(メック、旭電化) |
145 |
| 3.4.3 フォトレジストの開発 |
147 |
| (1) 感光性樹脂の用途と種類 |
147 |
| (2) パッケージ基板用DFR |
148 |
| (3) はんだバンプ用厚膜レジスト(JSR) |
150 |
(4) 青色レーザダイレクトイメージング用ドライフィルム
(旭化成、富士通、日立化成、三菱化学) |
152 |
| 3.4.4 ソルダーレジストの開発 |
156 |
(1) 耐熱衝撃性の向上した半導体パッケージ用感光性
ソルダレジスト(日立化成) |
156 |
(2) 脱ハロゲン・脱リン化を実現する難燃性ソルダレジスト
(NECとタムラ化研) |
157 |
| (3) DI用ソルダーレジスト(太陽インキ) |
157 |
第4章 高機能パッケージ基板・プリント配線板の開発動向 |
160 |
| 4.1 パッケージ基板への要求 |
160 |
| 4.1.1 携帯・モバイル機器用途 |
160 |
| 4.1.2 高性能サーバ用途 |
160 |
| 4.2 薄型高密度パッケージ基板の開発 |
161 |
| 4.2.1 ビルドアップ配線板を用いた薄型インターポーザ |
161 |
(1) 完全ドライパックフリーを実現した超薄型新規
インターポーザ「MLTS」(NECエレクトロニクス) |
161 |
(2) 薄型高密度で全層ランダムビア構造の新配線板
「HyperB2it」(DNP/DTCT) |
162 |
| (3) 超薄型高密度ビルドアップ基板「CLBS」(大日本印刷) |
163 |
(4) 線幅25μmのコアレス構造の半導体パッケージ基板
(富士通インターコネクトテクノロジー) |
163 |
(5) 全層ガラスエポキシ構造の薄型・高精細・高剛性
インターポーザ(三菱電機) |
166 |
(6) 厚さ40μmの極薄・高信頼性ハロゲンフリー基板材料
(松下電工) |
166 |
| (7) アディティブめっきが可能な微細配線プリプレグ(松下電工) |
167 |
| (8) 厚さ35μmの極薄アラミド多層材料(新神戸電機) |
170 |
| 4.2.2 メタル基板薄型パッケージ |
170 |
(1) ピーラブル銅箔を用いたLGAタイプ超薄型パッケージ
(日立電線/NEC化合物デバイス) |
170 |
| (2) 超薄型化・低組み立てコストの金属端子部材(大日本印刷) |
172 |
| 4.2.3 インターポーザ不要のSiP(三洋電機) |
172 |
| 4.3 高速高周波対応の実装技術 |
175 |
| 4.3.1 高速高周波デバイスの実装方法 |
175 |
| (1) 高速LSIインターポーザの配線 |
175 |
| (2) 伝送路構造とデバイス実装 |
176 |
| (3) マイクロストリップ線路のデバイス実装方法 |
177 |
| (4) 差動信号伝送(平衡線路) |
179 |
| 4.3.2 プリント基板における伝送特性の損失要因 |
180 |
| (1) 誘電体損失 |
180 |
| (2) 表皮効果 |
181 |
| (3) 特性インピーダンス整合 |
181 |
| 4.3.3 プロファイルフリー銅箔の開発 |
182 |
| 4.3.4 低誘電率・低誘電正接樹脂の開発 |
184 |
| (1) シアネート樹脂 (2) BCB系 |
184 |
| (3) 液晶ポリマー系 (4) PPE系 |
189 |
| (5) PEEK系 (6) ポリイミド系 |
190 |
(7) 多官能芳香族系のプリント配線フィルム材料
「DXKシリーズ」(新日鐵化学) |
197 |
| (8) エポキシ樹脂系 |
198 |
(9) カーボンナノチューブを用いた高周波対応の
有機絶縁材料(大阪ガス/KRI) |
206 |
| 4.3.5 高速信号に対応した微細配線形成技術の開発 |
206 |
(1) スパッタリングを用いた低誘電率樹脂と高速信号
適合銅配線との高接着技術(日立化成) |
206 |
(2) 低誘電樹脂と高接着可能な新規銅配線表面処理法
(日立化成) |
208 |
(3) 電着ポリイミドと無電解めっきを用いた
高密度配線作成技術(産総研) |
210 |
(4) 低誘電率・低誘電正接材料を用いたプリント配線板の
ビアスタブ微小化構造による伝搬損の改善(日立製作所) |
211 |
| 4.3.6 Si基板を用いた超高速・超高密度の微細配線形成技術 |
212 |
(1) 超高速伝送・超高密度実装を実現するLSIチップ接続用
高密度微細配線インターポーザ(産総研) |
213 |
(2) GHz帯域に対応するシリコンインターポーザ基板
(富士通研究所/富士通) |
214 |
| 4.4 高効率放熱パッケージ、インターポーザの開発 |
215 |
| 4.4.1 電子部品の放熱能力限界と対策 |
215 |
4.4.2 ベアチップ3次元実装モジュールのインターポーザに
よる熱抵抗の低減 |
216 |
| 4.4.3 放熱性BGAパッケージの開発 |
218 |
| (1) BGAにおける放熱の現状と課題 |
218 |
| (2) 多ピン対応メタルベースBGAパッケージ(沖電気) |
219 |
(3) デジタル家電向けキャビティ付き高放熱BGA
(住友金属エレクトロデバイス) |
221 |
| (4) ヒートシンク付きフリップチップパッケージ(東芝) |
222 |
| 4.4.4 放熱性・高密度モジュール用プリント基板の開発 |
223 |
| (1) 銅エッチングバンプをもつ放熱性多層基板(クローバ電子) |
223 |
| (2) 放熱性を持つプリント基板(ユーアイ電子) |
225 |
(3) カーボンナノチューブバンプを用いた半導体チップの
放熱基板(富士通/富士通研究所) |
226 |
(4) 放熱対策用現像型ソルダーレジストおよび
サーマルビアフィル(太陽インキ) |
227 |
| 4.4.5 液冷ヒートシンク内蔵プリント配線板 |
228 |
| 4.4.6 放熱板用シート材の開発 |
229 |
| (1) 放熱材料の低熱抵抗化の方法 |
230 |
| (2) シリコーン系放熱材料 |
232 |
| (3) 非シリコーン系熱伝導性粘着シートの開発 |
234 |
(a) アクリルゴム系熱伝導性シート
「エフコTMシート」(古河電工) |
234 |
(b) 世界最高の熱伝導率を実現した電磁波対策用高放熱
PGSグラファイトシート(パナソニックエレクトロニック
デバイス) |
235 |
| (c) 薄型放熱セラミックシート「まず貼る一番」(沖電気工業) |
237 |
第5章 フリップチップ、3次元微細接合技術の開発動向 |
241 |
| 5.1 フリップチップ接合技術の動向 |
241 |
| 5.1.1 フリップチップ接合工法のプロセスと特徴 |
241 |
| (1) C4工法 |
242 |
| (2) ACF工法 |
243 |
| (3) 超音波フリップチップ工法 |
243 |
| (4) ESC工法 |
244 |
| 5.1.2 微細はんだバンプ作製(フラックスを用いる)技術 |
245 |
| (1) はんだバンプ形成技術 |
245 |
| (2) スクリーン印刷法微細はんだバンプ |
245 |
(3) めっき法による超ファインピッチはんだバンプの形成と
高精度フリップチップ接続技術(富士通) |
248 |
| (4) はんだボールとはんだボール振込み法 |
249 |
| (5) ソルダーボールシート転写工法(TDK/千住金属) |
254 |
(6) 「はんだ堆積工法」による50μmピッチ鉛フリーバンプ形成
装置(タムラ製作所) |
255 |
| 5.1.3 新規フラックスフリー鉛フリーはんだ接合システムの開発 |
256 |
(1) 鉛フリー・フラックスフリー対応の高密度半導体向け
はんだ接合システム(タムラ製作所) |
256 |
(2) プラズマ照射による大気中でのフラックスレスフリップ
チップ接合技術(ソニー) |
257 |
(3) 水素プラズマリフローによる無残さ鉛フリーはんだ
バンプ形成プロセス(東京大学、千住金属、新港精機) |
258 |
| 5.1.4 新規ESC工法(松下電器) |
259 |
| 5.1.5 銅ピラー構造のフリップチップ実装技術 |
262 |
| 5.1.6 Au-Auフリップチップ超音波接合 |
262 |
(1) 超音波フリップチップ接合ボンダの開発
(東芝、日本アビオニクス、パナソニック) |
262 |
| (2) 超音波フリップチップ接続用NCF(日立化成) |
266 |
| 5.2 Si/Siの3次元接合技術の開発 |
267 |
| 5.2.1 マイクロバンプを用いたCoC3次元接合技術 |
268 |
| (1) バンプ形成の目的と役割 |
268 |
| (2) マイクロバンプ形成技術 |
268 |
| (a) 無電解めっき方式によるAuバンプ形成技術 |
268 |
(b) 無電解めっき方式による超微細バンプ形成技術
(アトムニクス研究所/志貴野メッキ) |
269 |
(c) 高密度エリアバンプ接続用コンプライアントバンプ
(九州工業大学マイクロ化総合技術センター) |
270 |
(d) LSI実装用のピラミッド型のマイクロバンプ形成技術
(産総研) |
271 |
| (3) COC接合プロセス技術 |
272 |
| (a) 転写バンプ方式と低融点はんだディップ方式 |
272 |
(b) 無電解めっき方式とディップ方式バンプを用いたファイン
ピッチCoC接合技術(東レ/アトムニクス研究所) |
273 |
(c) 接着樹脂層を形成したチップと超音波接合による新しい
COC接合プロセス(NECエレクトロニクス) |
274 |
(d) COC構造における20μmピッチ微細配線バンプ接合技術
(超先端電子技術開発機構) |
276 |
| 5.2.2 Si貫通電極3次元接合技術の開発 |
278 |
(1) AuめっきバンプによるSi on Si構造の超音波フリップ
チップ接合(超先端電子技術開発機構) |
278 |
(2) ウエハレベルCSP技術を用いたシリコンインターポーザ
モジュールの接合技術(セイコーエプソン) |
279 |
(3) 貫通電極形成プロセスに適したウエハサポート・システム
(三洋電機/東京応化工業) |
281 |
(4) 溶融はんだ吐出法により形成した高周波貫通配線
(三菱電機) |
282 |
| (5) 高速伝送対応Si貫通配線構造(シャープ/東北大学) |
283 |
(6) 高密度貫通配線を有するシリコン基板
(横浜国立大学/フジクラ) |
286 |
(7) 貫通電極を利用したキャビティ付きSiパッケージ
(新光電気工業) |
287 |
第6章 フレキシブルプリント配線板(FPC)の開発動向 |
291 |
| 6.1 FPCの種類と特徴 |
291 |
| 6.1.1 FPCの種類と基本構造 |
291 |
| 6.1.2 FPCの製造プロセス |
292 |
| 6.1.3 FPCに対する技術要求と用途 |
294 |
| (1) ファイン配線形成 |
295 |
| (2) 高屈曲性 |
296 |
| (3) 多層FPC、リジッドフレックス |
297 |
| (4) 実装FPC材料に要求される特性 |
297 |
| 6.2 FPC用材料の開発 |
297 |
| 6.2.1 FPC用銅箔の微細化、高密度化、高機能化技術 |
297 |
| (1) 銅箔の種類と製造方法 |
297 |
| (2) 銅箔の極薄化(高密度化)技術 |
298 |
| (3) 銅箔の高屈曲化技術 |
298 |
(4) 各社の銅箔開発(日鉱マテリアルズ、日本電解、
古河サーキットフォイル、OLIN) |
299 |
| 6.2.2 FPC用ベースフィルムの開発動向 |
304 |
(1) COF用途向け2層FCCL用ポリイミドフィルム「アピカルFP」、
および「ピクシオBP」(カネカ) |
306 |
| (2) アラミドフィルム「アラミカ」(帝人アドバンテストフィルム) |
308 |
| (3) LCPフィルム |
310 |
| 6.2.3 FPC用感光性カバーコート材 |
311 |
| (1) 感光性カバーレイフィルム「レイテックFR-5000」(日立化成) |
312 |
(2) FPC用現像型ソルダレジストインキ、ドライフィルム
(太陽インキ) |
314 |
| (3) 低そり性現像型ソルダレジスト(タムラ製作所) |
315 |
| 6.2.4 FPC用ファインパターン形成用材料(DFR、新エッチング法) |
316 |
| 6.3 薄型片面2層/両面FPCの開発 |
318 |
| 6.3.1 無接着剤型2層CCL(銅張積層板)の製造法 |
318 |
| (1) キャスト法 |
319 |
| (2) スパッタリング/電気めっき法 |
319 |
| (3) ラミネーション法 |
320 |
| 6.3.2 薄型2層CCLの開発 |
320 |
| (1) メタライジング法2層CCL |
320 |
| (2) ラミネーション法2層CCL |
323 |
(3) キャスト法低吸湿性2層CCL「エスパネックスMシリーズ」
(新日鉄化学) |
328 |
(4) ポリイミドフィルムを使用しない新しいFPC材料、「スーパー
極薄フレキ」および「スーパーフレキ」(京セラケミカル) |
330 |
| 6.4 COF実装用薄型・高精細両面FPCの開発 |
332 |
| 6.4.1 LCDドライバのCOF実装と2層基材 |
333 |
| 6.4.2 薄型・高精細両面FPCの開発 |
334 |
(1) 穴径20μmの超高精細両面フレキシブル基板
(カシオマイクロニクス) |
334 |
(2) 「NMBI」を採用した微細両面フレキシブル基板
(ソニーケミカル) |
334 |
(3) 液晶ドライバIC実装用フィルム回路基板「キャリアフレクス」
(日東電工) |
335 |
| (4) 配線ピッチ12μmのIC実装用フィルム回路基板(東レ) |
335 |
| 6.5 多層FPC(フレキシブル、一括積層、リジッド・フレックス)の開発 |
336 |
| 6.5.1 フレキシブル多層FPCの開発 |
336 |
| (1) 一般の多層FPCの構造 |
336 |
| (2) NMBIオール銅バンプ多層フレキ基板(ノース、ユニチカ) |
337 |
| (3) 超薄型の多層FPC基板(日東電工) |
338 |
(4) 0.4mmピッチBGAパッケージ向け高密度多層FPC
(住友スリーエム) |
339 |
(5) LCPフィルムを用いた多層FPC(日本メクトロン/クラレ/
新日鉄化学) |
341 |
| 6.5.2 一括積層多層FPCの開発 |
342 |
(1) 両面板を用いた一括積層ポリイミドIVH多層配線板
(フジクラ) |
342 |
| (2) BGA向け一括多層FPC「S-Bic」(住友ベークライト) |
345 |
| 6.5.3 リジッドフレックス多層基板の開発 |
346 |
| (1) リジッド・フレキシブル基板「i-B2it」の新製品(大日本印刷) |
346 |
(2) モジュール配線基板「FCB基板」
(日本カーバイド工業/ミック) |
347 |
(3) 高屈曲性の8層ビルドアップリジッド-フレックス基板
(フジクラ) |
348 |
(4) 内層FPCにLCP、外層にB2itのリジッド配線板を用いた
フレックス・リジッド多層配線板(エルナー/山一電機) |
349 |
6.5.4 新微細加工技術による「高密度化」、「高速化」対応の
FPC「MPFI」(日本メクトロン) |
350 |
| 6.5.5 その他の高機能フレキシブル基板 |
353 |
| (1) 放熱フレキシブル配線板 |
353 |
| (2) 10m超級長尺FPC(沖電線) |
355 |
| (3) 表面実装光電フレキシブル基板(松下電工) |
356 |
(4) FPCにサブミクロン配線を可能にする無電解めっき
接着層の形成(東北大学) |
357 |
| 6.6 液晶パネルのCOF実装技術の動向 |
357 |
| 6.6.1 フリップチップボンディング技術 |
357 |
| 6.6.2 COF実装の課題 |
358 |
| (1) インナーリード位置精度 |
358 |
| (2) インナーリードの変形 |
358 |
| (3) 耐マイグレーション |
359 |
| 6.6.3 新しいCOF実装技術の開発 |
360 |
(1) Au-Sn接合によるファインピッチCOF実装技術
(セイコーエプソン) |
360 |
| (2) 超音波フリップチップ工法によるCOF実装(フジクラ) |
361 |
(3) LCPフィルム基材を用いた超音波工法による高信頼性
フリップチップ実装(日本アビオニクス) |
362 |
(4) 無接着タイプ2層フレキシブル基材「ESPANEX」とNCPに
よるC0F一括圧接工法(新日鉄化学) |
362 |
| (5) 熱共晶電極接続工法及び新NCP(京セラケミカル) |
364 |
第7章 金属ナノ粒子を用いた次世代実装技術の現状と課題 |
367 |
| 7.1 ナノペーストの開発と応用 |
367 |
| 7.1.1 ナノペーストの特徴 |
367 |
| 7.1.2 ナノペーストを使用したインクジェット法 |
369 |
| 7.1.3 ナノペーストを使用したスクリーン印刷法 |
371 |
7.1.4 インクジェット、スクリーン印刷向け
銀、金ナノペーストの開発 |
373 |
| (1) 低温硬化・高導電性ペーストによる配線板(藤倉化成) |
373 |
| (2) インクジェット回路形成用Agナノインキ(住友電工) |
373 |
(3) 金、銀ナノ粒子ペーストによるプラスチック基材への
回路形成(大阪市工業研究所/大塚化学) |
375 |
(4) インクジェット印刷で配線可能な10nmの金属粒子
(日本ペイント) |
376 |
| (5) MO技術を用いた低温焼成Agペースト(ナミックス) |
376 |
| 7.1.5 Agナノペースト/インクジェット技術の実装への応用 |
378 |
(1) Agナノ粒子/インクジェット技術を活用した超薄型多層
基板の試作(セイコーエプソン) |
378 |
(2) インクジェットでLTCCに微細配線を形成
(KOA/セイコーエプソン) |
379 |
(3) ナノペーストとインクジェット法を組み合わせたSiPの試作
(プログラム実装コンソーシアム) |
380 |
| 7.1.6 有機-銀複合ナノ粒子を用いた新しい接合技術 |
382 |
| 7.1.7 ナノ粒子を用いた高密着性の無電解めっき技術の開発 |
384 |
(1) 金属ナノ粒子の光活性化作用を利用した無電解銅めっき
(ハリマ化成) |
385 |
(2) 酸化チタン光触媒を前処理に用いたビルドアップ絶縁材料
への無電解銅めっき(関東学院大学/トヨタ自動車) |
386 |
(3) 半導体パッケージ向けの平坦性と密着性の高い微細配線
技術(富士写真フィルム) |
388 |
| 7.2 銀ナノペーストのマイグレーション対策と銅ペースト |
389 |
| 7.2.1 銀合金化ナノ粒子ペーストの開発 |
389 |
(1) 銀・パラジウム合金ナノ粒子ペースト
(大阪市立工業研究所/大研化学) |
389 |
| (2) 銀の配線を銅めっきで被覆する方法(日本ペイント) |
389 |
(3) 特許から見た銀微粒子を用いたペーストの
マイグレーション対策の例 |
390 |
| 7.2.2 銅ナノ粒子、銅ナノペーストの開発 |
393 |
| (1) 銅ナノ粒子の製法(ハリマ化成/東北大学) |
393 |
| (2) 銀、銅ナノ粒子(石原産業/東京大学) |
393 |
| (3) 銀に匹敵する銅のナノインクの試作(旭化成) |
394 |
| (4) 回路形成用銅ナノペースト(タツタ電線) |
394 |
| (5) 銅ナノペースト(ハリマ化成) |
395 |
| (6) 銅ナノ粒子を用いたインク(住友金属鉱山) |
395 |
(7) 銅ナノ粒子を利用したセラミック基板用銅導体ペースト
(三ツ星ベルト) |
395 |
第8章 鉛フリー対策技術の動向 |
398 |
| 8.1 ROHS指令とわが国電子機器業界の鉛フリー対策の現状 |
398 |
| 8.1.1 鉛フリー化の4ステップ |
399 |
| 8.1.2 鉛フリーはんだ合金の種類と特徴 |
400 |
| 8.1.3 外部リード端子の鉛フリー化 |
401 |
| 8.1.4 鉛フリー化の課題 |
403 |
| 8.2 鉛フリーはんだの最近の開発動向 |
404 |
| 8.2.1 Sn-Ag-Cu系鉛フリーはんだの安定性、信頼性の向上 |
404 |
| (1) 微量元素を添加した産業用Sn-Ag-Cu系鉛フリーはんだ |
404 |
(2) フローはんだ付け用低コスト・高信頼性の鉛フリーはんだ
(千住金属) |
408 |
(3) 高信頼性BGA対応鉛フリーはんだボール「LF35」
(新日本製鐵) |
409 |
| 8.2.2 低融点鉛フリーはんだの開発 |
410 |
| (1) 融点199℃のSn-Zn-Alはんだ(富士通) |
410 |
| (2) 低融点・高強度接合の鉛フリーはんだ(松下寿電子) |
411 |
(3) 低融点のヤニ入り鉛フリーはんだ
(パナソニック四国エレクトロニクス) |
412 |
| (4) 低融点のインジウム系ソルダーペースト(弘輝) |
412 |
| (5) 低融点鉛フリーはんだ(ハリマ化成) |
412 |
| (6) Sn-8Zn-3Biクリームはんだ(ニホンゲンマ) |
413 |
8.2.3 電子部品の内部接続用高温鉛フリーはんだペーストの
開発(日立製作所/千住金属) |
414 |
8.2.4 RoHS規制対応鉛含有量0.05%の鉛フリーはんだの開発
(千住金属) |
416 |
| 8.2.5 鉛フリーはんだによるステンレス鋼のエロージョン対策 |
416 |
| (1) ステンレスはんだ槽の侵食を防ぐ「サーフ処理」(カナック) |
417 |
(2) 鉛フリーはんだによる侵食防止性能を高めた
ステンレスはんだ槽(タムラ製作所) |
418 |
| (3) 鉛フリーはんだによるフロー槽侵食対策(日本電気) |
418 |
| 8.2.6 ウィスカ抑制対応鉛フリーはんだ合金の開発 |
420 |
| 8.3 鉛フリーはんだめっきの開発 |
421 |
| 8.3.1 鉛フリーはんだめっき被膜の要求特性 |
421 |
| 8.3.2 Snめっきによるウィスカ抑制対策技術の開発 |
422 |
| (1) ウィスカ発生要因と抑制法 |
422 |
| (2) ウィスカ抑制Sn-Cu合金めっき(奥野製薬工業) |
424 |
(3) 鉛フリーはんだめっき対応プロセス、「エバソルダUT-55
(Sn)、エバソルダSEII(Sn-Ag)」(荏原ユージライト) |
424 |
(4) ウィスカ抑制効果に優れるSn-Znめっき液
(日鉱メタルプレーティング) |
426 |
(5) コネクタのウィスカ抑制新めっきプロセス
(パナソニック四国エレクトロニクス) |
426 |
(6) Snめっき表面のウィスカ発生を抑制する新めっきプロセス
(ユケン工業) |
428 |
(7) FPC銅表面マイクロエッチによるウィスカ発生低減手法
(日本ビクター) |
428 |
| 8.4 導電性接着剤・導電性ペーストの開発 |
430 |
| 8.4.1 導電性接着剤の接合技術 |
430 |
| (1) 導電性接着剤の特徴 |
430 |
| (2) 製品形態と用途 |
431 |
| 8.4.2 はんだ代替可能な導電性接着剤・導電性ペーストの開発 |
432 |
| (1) 車載用はんだ代替導電性接着剤(ナミックス) |
432 |
| (2) 耐熱型はんだ代替導電性接着剤(藤倉化成) |
433 |
| (3) 高熱伝導性導電性接着剤(Diemat) |
434 |
(4) パワー系半導体チップ接着用の高熱伝導率Agペースト
(京セラケミカル) |
435 |
| (5) 高導電・高熱伝導性導電性接着剤(ニホンハンダ) |
435 |
| (6) ダイボンディング用導電接着剤(ナミックス) |
437 |
| (7) シリコーンダイアタッチ接着剤(GE東芝シリコーン) |
437 |
| (8) 低温硬化導電性接着剤(ナミックス) |
437 |
8.4.3 導電性接着剤のAgイオンマイグレーション、
電気化学的腐蝕問題と対策 |
438 |
| (1) 対策技術の概要 |
439 |
(2) Ag-Sn合金を用いた耐マイグレーション性導電性接着剤
(ナミックス) |
440 |
(3) 電気化学的腐食耐性を有する導電性接着剤
(ハリマ化成、タムラ製作所) |
441 |
第9章 部品内蔵基板の開発動向 |
445 |
| 9.1 部品内蔵技術 |
445 |
| 9.1.1 受動素子/部品内蔵配線(EPD)技術 |
445 |
| (1) キャパシタ材料 |
446 |
| (2) キャパシタ内蔵基板の適用例 |
448 |
| (3) 抵抗材料 |
452 |
| 9.1.2 能動素子/部品内蔵配線(EAD)技術 |
453 |
| 9.2 受動素子/能動素子部品内蔵基板の開発 |
454 |
| 9.2.1 受動素子/能動素子部品内蔵基板の見通し |
454 |
| 9.2.2 受動素子/部品内蔵基板の開発 |
455 |
(1) チップ部品内蔵全層IVH構造ビルドアップ基板アップ配線板
B2itの製造プロセス(大日本印刷) |
455 |
| (2) 改良型チップ部品内蔵配線板(大日本印刷/ウェイスティー) |
456 |
| (3) 受動部品内蔵プリント基板の量産開始(大日本印刷) |
457 |
(4) 低温熱硬化厚膜(ポリマペースト)型膜素子内蔵ビルドアップ
配線板プロセス(大日本印刷) |
458 |
(5) 高温焼成の厚膜抵抗、コンデンサを樹脂基板に内蔵する
プロセス(デュポン) |
459 |
(6) 銅箔つき高誘電率絶縁シートを用いたキャパシタ内蔵
基板(日立化成) |
461 |
(7) 誘電体フィルムを用いた回路形成型キャパシタ内蔵
基板(三菱電機) |
462 |
(8) 動作周波数10GHz以上の高速チップ向け高誘電率薄膜
キャパシタ内臓基板(アルプス電気/ノース) |
464 |
(9) 無機-有機複合薄膜コンデンサフィルムを内蔵した
多層配線基板の試作(東京工業大学/日立製作所) |
464 |
(10) 部品内蔵基板向けに薄膜コンデンサの試作
(野田スクリーン) |
466 |
| (11) 印刷で形成した部品内蔵基板(トッパンNEC) |
467 |
| (12) 薄膜受動素子内蔵シリコンインターポーザ(大日本印刷) |
467 |
(13) エアロゾルデポジション法を用いた樹脂基板への
キャパシタ内蔵技術(富士通研究所) |
468 |
| 9.2.3 能動素子/部品内蔵基板の開発 |
470 |
(1) 半導体と受動部品を内蔵した新3次元実装モジュール
「SIMPACT」(松下電器産業) |
470 |
| (2) 有機グリーンシートを用いた部品内蔵プロセス(松下電工) |
472 |
(3) ステンレス箔転写箔法を用いた小型薄型部品内蔵
回路板(松下電工) |
474 |
| (4) 超薄型ベアチップ内蔵基板(新光電気工業) |
475 |
(5) キャビティに部品を内蔵する有機モジュール技術
(太陽誘電) |
476 |
(6) ベアチップや抵抗などを内蔵する熱可塑性樹脂基板
「PALAP」(デンソー) |
478 |
(7) インクジェットを使って部品内蔵基板を試作
(セイコーエプソン) |
479 |
| (8) ウェハレベルパッケージ内蔵配線基板(カシオ/日本CMK) |
480 |
| 9.2.4 最近の特許に見る部品内蔵基板技術の例 |
481 |
| (1) 受動素子/部品内蔵基板 |
481 |
| (2) 能動素子/部品内蔵基板 |
489
|
