| |
頁 |
|
|
| 第1章 コーティングと材料技術の概要 |
1 |
| 1.1 コーティング技術の進歩 |
1 |
| 1.1.1 表面被覆 |
2 |
| 1.1.2 表面改質 |
3 |
| 1.1.3 薄膜形成 |
4 |
| 1.1.4 ナノコーティング |
5 |
| 1.2 コーティングによる機能性向上 |
5 |
| 1.2.1 表面性状向上 |
5 |
| 1.2.2 機械的特性向上 |
5 |
| 1.2.3 電気磁気的特性向上 |
5 |
| 1.2.4 光学的特性向上 |
6 |
| 1.2.5 熱的特性向上 |
6 |
| 1.2.6 物理的特性向上 |
6 |
| 1.2.7 化学的特性向上 |
6 |
| 1.2.8 生物化学的特性向上 |
7 |
| 1.2.9 装飾的特性向上 |
7 |
| 1.3 コーティングの方法とその進歩 |
7 |
| 1.3.1 塗布法 |
7 |
| (1) ロールコーティング(ロールコータ) |
7 |
| (2) インモールドコーティング |
9 |
| (3) 流動層コーティング |
10 |
| 1.3.2 機械的処理法 |
10 |
| (1) ショットブラスト |
10 |
| (2) ショットピーニング |
10 |
| 1.3.3 熱処理法 |
11 |
| (1) 浸炭 |
11 |
| (2) 窒化 |
11 |
| (3) イオン注入 |
13 |
| 1.3.4 化学的処理法 |
14 |
| 1.3.5 湿式めっき法 |
14 |
| 1.3.6 溶射法 |
15 |
| (1) 溶射一般 |
15 |
| (2) プラズマ溶射 |
17 |
| 1.3.7 PVD法 |
18 |
| (1) 真空蒸着 |
18 |
| (2) 分子線エピタキシー法 |
19 |
| (3) スパッタ法 |
19 |
| 1.3.8 CVD法 |
20 |
| (1) 熱CVD法 |
21 |
| 1.3.9 高密度エネルギー利用PVD法 |
21 |
| (1) イオンプレーティング法 |
21 |
| 1.3.10 高密度エネルギー利用CVD法 |
22 |
| (1) プラズマCVD法 |
22 |
| (2) 光CVD法 |
24 |
| (3) レーザCVD法 |
24 |
| 1.4 コーティングによる新材料創造 |
24 |
| 1.4.1 適用範囲の拡大 |
24 |
| 1.4.2 応用分野の拡大 |
25 |
| 1.4.3 特性と信頼性の向上 |
25 |
| 1.4.4 「コーティング工学」の確立 |
26 |
| 引用文献 |
27 |
| |
|
|
|
| 第2章 コーティング皮膜材料 |
28 |
| 2.1 セラミックス |
28 |
| 2.1.1 酸化物セラミックス |
30 |
| (1) アルミナ |
30 |
| (2) ジルコニア(酸化ジルコニウム) |
31 |
| A. 部分安定化ジルコニア(PSZ) |
32 |
| B. イットリア安定化ジルコニア(YSZ) |
32 |
| (3) チタン酸ジルコン酸鉛(PZT) |
34 |
| (4) ハフニア(酸化ハフニウム) |
35 |
| (5) ムライト |
36 |
| (6) 酸化チタン |
36 |
| A. 概要 |
36 |
| B. 企業および研究機関の取り組み |
37 |
| イ.薄片状酸化チタンの開発 科学技術振興機構、 |
|
| 物質・材料研究機構、物質研究所、石原産業 |
37 |
| 2.1.2 非酸化物セラミックス |
39 |
| (1) 窒化炭素(CN) |
39 |
| (2) 炭窒化ホウ素(BCN) |
40 |
| A. 概要 |
40 |
| B. 企業および研究機関の取り組み |
41 |
| イ.イオンビームアシスト蒸着(IBAD)法により創製したBCN膜 |
|
| 石川県工業試験場 |
41 |
| ロ.新BCN グラファイト結晶およびその高硬度相の合成 |
|
| 新炭素系材料開発センター |
43 |
| (3) 窒化ホウ素(BN) |
43 |
| A. 概要 |
43 |
| B. BN膜の成膜法 |
45 |
| C. h-BN |
46 |
| D. c-BN |
47 |
| E. 企業および研究機関の取り組み |
48 |
| イ.Al添加によるc-BN膜の成膜技術 イオン工学研究所 |
48 |
| (4) 窒化アルミニウム(AlN) |
50 |
| (5) 炭化ケイ素(SiC) |
51 |
| A. 概要 |
51 |
| B. SiCの性質 |
52 |
| C. 企業および研究機関の取り組み |
53 |
| イ.パルスレーザ蒸着法によるSiC薄膜多形の作り分け |
|
| 産業技術総合研究所 |
53 |
| ロ.昇華近接法によるエピタキシャル炭化ケイ素製膜装置 |
|
| 竹内電機 京都工芸繊維大学 |
54 |
| ハ.熱プラスズマよる炭化ケイ素製膜装置 |
|
| 竹内電機 島根大学 島根県次世代技術センター |
54 |
| ニ.炭化ケイ素半導体の開発 日本原子力研究所、産業技術総合研究所 |
54 |
| (6) 窒化ケイ素(Si3N4) |
55 |
| (7) 窒化チタン(TiN) |
55 |
| A. 概要 |
55 |
| B. TiN膜へのハロゲンイオン注入の影響 |
56 |
| (8) 窒化チタンアルミニウム(TiAlN) |
56 |
| A. 概要 |
56 |
| B. TiAlN膜の成膜法 |
57 |
| C. TiAlN皮膜の特性 |
57 |
| (9) 炭化チタン(TiC) |
59 |
| (10) 炭窒化チタン(TiCN) |
60 |
| (11) 窒化クロム(CrN) |
61 |
| 2.1.3 複合セラミックス |
63 |
| (1) 複合セラミックスナノ構造膜 |
63 |
| (2) 新規セラミックス材料 |
64 |
| A. シミュレーションによる新規材料 三菱重工業 |
64 |
| B. ペロブスカイト系燃料電池電極材料 三菱重工業 日本特殊窯業 |
64 |
| 2.2 炭素系材料 |
65 |
| 2.2.1 ダイヤモンド |
65 |
| (1) 概要 |
65 |
| (2) ダイヤモンドの成膜法 |
66 |
| (3) ダイヤモンドの応用分野 |
67 |
| (4) 企業および研究機関の取り組み |
68 |
| A. 鏡面ダイヤモンド摺動面の開発 |
|
| 産総研東北センター 東北大学流体科学研究所、日本素材 |
68 |
| B. ダイヤモンド薄膜コーティング技術 ナノフィルムテクノロジーズ |
69 |
| 2.2.2 ダイヤモンドライクカーボン(DLC) |
69 |
| (1) DLC膜への要件と課題 |
70 |
| (2) DLC膜の特徴と特性 |
71 |
| (3) DLC膜の製法 |
73 |
| (4) DLC膜の複合処理 |
75 |
| (5) DLC膜の応用分野 |
78 |
| (6) 企業および研究機関の取り組み |
79 |
| A. パルスバイアス法による低摩擦・低摩耗特性DLCの成膜 |
|
| 新炭素系材料開発センター |
79 |
| B. 量産型パルスDCプラズマCVD装置 オリエンタルエンジニアリング |
80 |
| C. ズームカメラ用OリングへのフレキシブルDLC 日本アイ・ティ・エフ |
|
| オリンパス、住友電気工業 |
82 |
| D. プラスチックへの大面積透明DLC成膜装置 科学技術振興機構 |
83 |
| E. ハイブリッド型パルス・プラズマ・コーティング法の開発 |
|
| 北陸産業活性化センター |
84 |
| F. プラズマCVDとイオン注入技術を用いた高密着DLC膜の作製 |
|
| 石川島播磨重工業 |
87 |
| 2.3 その他の材料 |
88 |
| 2.3.1 光学薄膜材料 |
88 |
| (1) はじめに |
88 |
| (2) 光学薄膜の成膜法 |
89 |
| A. 乾式法 |
90 |
| B. 湿式法 |
92 |
| (3) 各種光学薄膜材料の性質 |
93 |
| (4) 企業および研究機関の取り組み |
98 |
| A. 高周波イオンプレーティング法による無機・有機複合膜の形成技術 |
|
| 科学技術振興機構 |
98 |
| B. RAS(Radical Assisted Sputtering)による光学薄膜の作製 シンクロン |
100 |
| C. 原子層堆積法によるレーザ用光学素子の作製 |
|
| 大阪大学レーザ核融合研究センター |
101 |
| 引用文献 |
103 |
| |
|
|
|
| 第3章 最先端薄膜形成の方法と装置 |
106 |
| 3.1 プラズマ |
107 |
| 3.1.1 概要 |
107 |
| 3.1.2 窒素プラズマ |
108 |
| 3.1.3 企業および研究機関の取り組み |
110 |
| (1) プラズマ・気体プロセス解析用計算プログラム 産業技術総合研究所 |
110 |
| 3.2 PVD法 |
112 |
| 3.2.1 真空蒸着法 |
112 |
| (1) 概要 |
112 |
| (2) 生成パラメータと膜構造 |
115 |
| 3.2.2 分子線エピタキシー法 |
117 |
| (1) 概要 |
117 |
| (2) その他のエピタキシー技術 |
119 |
| 3.2.3 イオンプレーティング法 |
120 |
| (1) 概要 |
120 |
| (2) イオンプレーティング法の種類 |
121 |
| A. 直流グロー放電方式(Mattox法) |
122 |
| B. 高周波放電励起方式 |
122 |
| C. ホローカソード放電(HCD)方式 |
124 |
| D. アーク放電方式 |
125 |
| E. 活性化反応蒸着法 |
126 |
| F. 電子ビーム励起方式 |
127 |
| (3) 新しいイオンプレーティング法 |
127 |
| A. ホローカソード活性化蒸着法 |
128 |
| B. スポットレスアーク活性化蒸着法 |
130 |
| C. ロッドカソードアーク活性化蒸着法 |
132 |
| D. 指向性蒸着法 |
133 |
| (4) イオンプレーティングにより得られる化合物薄膜 |
134 |
| (5) 生成パラメータと膜構造 |
136 |
| 3.2.4 スパッタ法 |
137 |
| (1) 概要 |
137 |
| (2) スパッタ法の種類 |
139 |
| A. RFスパッタ法 |
140 |
| B. 反応性スパッタ法 |
140 |
| イ.DC反応性スパッタ法 |
141 |
| ロ.AC反応性スパッタ(独立ダブルエロージョンカソード)法 |
141 |
| (3) 生成パラメータと膜構造 |
142 |
| (4) スパッタ法の特徴と応用分野 |
142 |
| 3.2.5 電子ビーム蒸着(EB-PVD)法 |
143 |
| (1) 概要 |
143 |
| (2) EB-PVD法の特徴 |
144 |
| (3) EB蒸着法による高速成膜 |
144 |
| (4) EB-PVD法の応用分野 |
146 |
| 3.3 CVD法 |
146 |
| 3.3.1 熱CVD法 |
146 |
| (1) 概要 |
146 |
| (2) ALD(原子層堆積)法 |
149 |
| 3.3.2 MOCVD 法 |
153 |
| 3.3.3 プラズマCVD法 |
154 |
| (1) 概要 |
154 |
| (2) 熱プラズマCVD法 |
155 |
| (3) 直流プラズマCVD法 |
156 |
| (4) 高周波プラズマCVD法 |
157 |
| (5) マイクロ波プラズマCVD法 |
159 |
| (6) ECRプラズマCVD法 |
160 |
| (7) 多結晶シリコン薄膜形成高密度プラズマ |
162 |
| 3.3.4 光・レーザCVD法 |
163 |
| 3.3.5 Cat-CVD法 |
164 |
| 3.4 その他の薄膜形成法 |
166 |
| 3.4.1 レーザアブレーション法 |
166 |
| 3.4.2 イオンビームミキシング法 |
171 |
| 3.4.3 イオンビーム蒸着法 |
172 |
| 3.4.4 溶射 |
173 |
| (1) 肉盛溶射 |
174 |
| (2) 自溶合金溶射 |
174 |
| (3) セラミック溶射 |
175 |
| (4) サーメツト溶射 |
175 |
| (5) プラズマ溶射 |
176 |
| 3.4.5 熱プラズマPVD法 |
178 |
| 3.4.6 エアロゾルデポジション法 |
178 |
| (1) 概要 |
178 |
| (2) エアロゾルデポジション法の応用分野 |
179 |
| A. 光スイッチや光変調器に用いる電気部品 |
179 |
| B. 基板内蔵コンデンサの高容量化 |
180 |
| (3) 企業および研究機関の取り組み |
180 |
| A. エアロゾルデポジション法によるαアルミナ厚膜形成 |
|
| 産業技術総合研究所 東陶機器 |
180 |
| 引用文献 |
182 |
| |
|
|
|
| 第4章 ナノコーティングの技術動向 |
184 |
| 4.1 注目されるナノ構造技術 |
184 |
| 4.1.1 カーボンナノ材料 |
184 |
| (1) フラーレン |
184 |
| A. フラーレンの構造と特徴 |
184 |
| B. フラーレンの製法 |
186 |
| (2) カーボンナノチューブ |
186 |
| A. カーボンナノチューブの構造と特徴 |
186 |
| B. カーボンナノチューブの製法 |
190 |
| C. ハイブリッド型CNT |
193 |
| D. 企業および研究機関の取り組み |
194 |
| イ.MOSFETの電極となるシリサイド層上への多層 |
|
| カーボンナノチューブの垂直成長と直径制御 富士通研究所 |
194 |
| ロ.ドライプロセスを利用した多層カーボンナノチューブの直径制御 |
|
| 富士通 富士通研究所 |
196 |
| ハ.ナノチューブの成長制御 新炭素系材料開発センター |
198 |
| ニ.単層ナノチューブの超硬度相剛性 新炭素系材料開発センター |
199 |
| ホ.CNTをコーティングした電気化学センサ 北海道大学 |
200 |
| ヘ.めっき法によるCNT薄膜形成 山形大学工学部 |
201 |
| (3) その他の炭素系材料 |
201 |
| A. グラファイトナノファイバ(GNF) |
201 |
| B. ナノダイヤモンド |
202 |
| (4) カーボンナノ材料の課題と今後の展望 |
203 |
| 4.1.2 ナノ粒子 |
204 |
| (1) ナノ粒子の製造 |
204 |
| A. 熱プラズマ法による超微粒子合成法 日清エンジニアリング |
206 |
| (2) ナノ粒子の用途 |
207 |
| (3) ナノ粒子とコーティング |
209 |
| 4.1.3 ナノコンポジット |
210 |
| (1) 概要 |
210 |
| (2) ナノコンボジットの作製 |
211 |
| (3) 企業および研究機関の取り組み |
212 |
| A. TiSiN系ナノコンポジット高硬度皮膜 日立ツール |
212 |
| B. 超潤滑性CrSiN系ナノコンポジット高硬度皮膜 日立ツール |
213 |
| C. 切削工具への均一なナノ結晶皮膜 日立ツール |
213 |
| D. 結晶相(CrN)/非晶質相(SiN)ナノコンポジット皮膜 |
|
| イオン工学研究所 |
214 |
| 4.2 NEDOナノコーティングプロジェクト |
215 |
| 4.2.1 ナノコーティングとは |
216 |
| (1) 材料ナノテクノロジー |
216 |
| (2) 材料ナノテクノロジーのうちのナノコーティング |
216 |
| (3) ナノテクノロジー応用分野の創造 |
217 |
| 4.2.2 ナノコーティングの方法と装置 |
218 |
| (1) 新規熱プラズマスプレー(DC/RFハイブリッド熱プラズマスプレー) |
218 |
| A. 方式について |
218 |
| B. 装置構成 |
220 |
| (2) 高速PVD技術 |
221 |
| A. 方式について |
221 |
| B. 装置構成 |
221 |
| (3) 高速CVD技術 |
223 |
| A. 方式について |
223 |
| B. 装置構成 |
224 |
| 4.2.3 ナノコーティングの材料構造 |
224 |
| (1) 現状のコーティング層構造 |
224 |
| (2) ナノコーティング層の構造 |
224 |
| (3) ナノコーティング層の要素材 |
225 |
| (4) ナノコーティング層の組織設計 |
226 |
| (5) ナノコーティング層の構造解析と劣化・寿命 |
229 |
| A. 熱遮蔽コーティングの劣化 |
230 |
| B. 熱遮蔽コーティングの加速試験 |
230 |
| C. 寿命予測 |
231 |
| D. 劣化の推定や寿命予測で行うべきこと |
231 |
| イ.基本的な考え方 |
231 |
| ロ.解決方法 |
231 |
| 4.2.4 ナノコーティングによる新材料の創造 |
232 |
| (1) ナノ構造体の物性と新機能の創造 |
232 |
| A. ナノ構造体の新機能 |
232 |
| B. ナノ構造制御による機能探索 |
234 |
| イ.ナノサイズ効果 |
234 |
| ロ.ナノ組織化による界面、表面効果 |
237 |
| ハ.ナノ粒子分散・分布効果 |
237 |
| C. 今後の課題 |
238 |
| 4.2.5 ナノコーティングへの期待と展望 |
238 |
| 4.3 量子構造形成技術 |
241 |
| 4.3.1 ステップフロー成長による量子細線 |
242 |
| 4.3.2 自己組織化現象を利用した量子ドット構造の作製 |
243 |
| 4.3.3 自己組織化に於けるドット配列の制御 |
245 |
| (1) アトムテクノロジー研究体(JRCAT) |
245 |
| (2) フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) |
246 |
| (3) JRCAT−融合研、電総研 |
246 |
| (4) NTT物性科学研究所 |
246 |
| (5) 米オークリッジ国立研究所 |
247 |
| (6) 富士通研究所 |
248 |
| 4.3.4 企業および研究機関の取り組み |
248 |
| (1) 半導体量子ドットレーザ、光通信波長帯の室温連続発振 通信総合研究所 |
248 |
| (2) 量子コンピュータの基本素子となる量子ドットのサイズ・配列制御 |
|
| 富士通研究所 |
249 |
| (3) 人工原子を量子コンピュータのメモリに NTT、科学技術振興機構 |
250 |
| (4) シリコン量子ドットトランジスタ |
|
| 東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター |
251 |
| A. パルスプラズマ法による均一粒径ナノ結晶シリコン量子ドットの形成 |
251 |
| B. ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ |
252 |
| 4.3.5 今後の展望 |
252 |
| 引用文献 |
252 |
| |
|
|
|
| 第5章 高性能・高機能化付与技術 |
256 |
| 5.1 複合処理 |
256 |
| 5.1.1 複合処理の目的 |
256 |
| 5.1.2 複合処理の手法 |
259 |
| (1) 基材の特性の向上 |
259 |
| A. 窒化＋PVD処理 |
259 |
| B. CVD＋PVD処理 |
262 |
| (2) 皮膜の密着性の向上 |
263 |
| A. 概要 |
263 |
| B. バッファ層の形成例 |
263 |
| (3) 皮膜の特性の向上 |
266 |
| A. 多層化 |
266 |
| B. ナノレベルの積層膜 |
269 |
| C. 厚膜化 |
271 |
| 5.1.3 企業および研究機関の取り組み |
271 |
| (1) ハイブリッドナノダイヤモンド(HND)膜の開発 石川県工業試験場 |
|
| オンワード技研、金沢工業大学 |
271 |
| 5.2 耐摩擦・摩耗・潤滑コーティング |
273 |
| 5.2.1 概要 |
273 |
| 5.2.2 工具の摩擦・摩耗特性 |
274 |
| 5.3 導電コーティング |
276 |
| 5.3.1 透明導電膜 |
276 |
| 5.3.2 帯電防止・制電膜 |
277 |
| 5.4 熱遮へいコーティング |
278 |
| 5.4.1 熱遮へいコーティングの必要性 |
278 |
| 5.4.2 熱遮へいコーティングへの要件と課題 |
280 |
| 5.4.3 熱遮へいコーティングの変遷 |
281 |
| 5.4.4 熱遮へいコーティングの方法と皮膜の種類 |
283 |
| 5.4.5 企業及び研究機関の取り組み |
285 |
| (1) EB-PVD法によるYSZコーティングの高速合成とナノ構造制御 |
|
| ファインセラミックスセンター |
285 |
| 5.5 光触媒 |
287 |
| 5.5.1 概要 |
287 |
| 5.5.2 光触媒薄膜の形成技術 |
288 |
| 5.5.3 光触媒の高性能化・高機能化技術 |
289 |
| 5.5.4 光触媒の課題 |
291 |
| (1) 防汚コーティング |
291 |
| (2) 防錆への応用 |
291 |
| (3) 環境汚染物質の分解 |
291 |
| (4) 医用材料への応用 |
292 |
| 5.5.5 企業および研究機関の取り組み |
292 |
| (1) 高効率酸化チタン薄膜光触媒 材料研究機構 物質研究所 |
292 |
| (2) ポリカーボネート上への光触媒膜形成 富山県工業技術センター |
|
| アルバック、タカギセイコー |
295 |
| 5.6 ガスバリア |
298 |
| 5.6.1 フィルムへのガスバリア性付与技術 |
298 |
| 5.6.2 ガスバリア性コーティングの応用分野 |
299 |
| (1) 食品包装 |
299 |
| (2) 容器 |
299 |
| (3) ディスプレイ用基板 |
300 |
| 5.6.3 企業および研究機関の取り組み |
301 |
| (1) 透明ガスバリアフィルムの新グレード 三菱樹脂 |
301 |
| (2) PETボトル用DLCコーティング装置 三菱重工業 |
302 |
| (3) フレキシブル有機EL用ハイバリア性プラスチックフィルムの開発 |
|
| 大日本印刷 |
303 |
| 引用文献 |
303 |
| |
|
|
|
| 第6章 応用分野の技術動向 |
306 |
| 6.1 光学薄膜 |
306 |
| 6.1.1 ディスプレイ用反射防止膜 |
306 |
| (1) はじめに |
306 |
| (2) ディスプレイ用反射防止膜の作製方法 |
308 |
| A. 乾式法 |
309 |
| B. 湿式法 |
311 |
| イ.大型液晶テレビやPDPテレビ向け反射防止フィルム 大日本印刷 |
311 |
| (3) CRT用反射防止膜 |
312 |
| A. 概要 |
312 |
| B. AR膜への要求 |
314 |
| C. 反射防止膜の製造装置 |
314 |
| (4) LCD用反射防止膜 |
315 |
| 6.1.2 情報通信用光学素子 |
317 |
| (1) WDM用光合分波器に要求される特性 |
317 |
| (2) 誘電体多層膜フィルタ |
318 |
| (3) 幹線系光合分波器 |
318 |
| (4) 加入者系ONUモジュール |
319 |
| 6.2 エレクトロニクス分野 |
320 |
| 6.2.1 LCD用低温ポリSi-TFTの技術動向 |
320 |
| (1) はじめに |
320 |
| (2) 低温ポリシリコン(p-Si)TFT液晶の特徴 |
321 |
| (3) 低温p-Si TFT-LCDの展開 |
322 |
| (4) 低温p-Si TFT製造技術の動向 |
322 |
| A. ポリシリコン(p-Si)形成技術 |
323 |
| B. 低温ゲート酸化膜の形成技術 |
324 |
| C. 高品質ゲート絶縁膜の形成技術 |
324 |
| イ.プラズマを全く使用しないゲート絶縁膜の形成 |
324 |
| ロ.多層構造ゲート絶縁膜による清浄な界面形成 |
324 |
| D. 不純物制御技術 |
325 |
| イ.FPD用イオン注入装置 |
326 |
| a. 質量分離機能を備えたイオン注入装置「MDI-100」 三井造船 |
326 |
| (5) シートディスプレイを狙う低温p-Si TFT-LCD |
327 |
| A. ポリシリコン結晶化技術の動向 |
328 |
| イ.位相シフトマスクを用いたELA結晶化 |
329 |
| ロ.パルス変調固体レーザーアニール結晶化法 日立製作所 |
|
| ハ.連続発振(CW)固体レーザを用いるラテラル結晶化技術 |
|
| (CLC:CW Lateral Crystallization) 富士通研究所 |
331 |
| ニ.金属インプリント法 |
334 |
| ホ.直接堆積 |
334 |
| 6.2.2 透明導電膜 |
334 |
| (1) はじめに |
334 |
| (2) 透明導電膜の作製方法 |
335 |
| (3) LCD用透明導電膜 |
336 |
| A. H2O添加による非晶質透明導電膜 アルバック |
336 |
| (4) 有機EL用透明導電膜 |
336 |
| A. 低抵抗化技術(低電圧スパッタ法) アルバック |
337 |
| B. OLED用透明導電(Superm)膜 アルバック |
338 |
| C. イオンプレーティング法 住友重機械工業 |
338 |
| D. ITO-SL 東ソー |
339 |
| E. IZO(Indium Zinc Oxide) 出光興産 |
339 |
| 6.2.3 有機EL膜成膜技術 |
340 |
| (1) はじめに |
340 |
| (2) フルカラー有機EL成膜の現状と課題 |
341 |
| (3) 低分子有機EL膜の成膜技術の開発事例 |
342 |
| A. 中小型インライン型有機EL膜蒸着装置 アルバック |
342 |
| B. 低分子有機EL膜の新成膜技術 |
343 |
| イ.セル型蒸発源の課題 |
343 |
| ロ.大型基板対応のリニアソース蒸着源 |
343 |
| (4) 高分子有機EL膜の成膜技術の開発 |
345 |
| A. インクジェット法を用いた高分子有機EL膜 |
345 |
| イ.インクジェット法の利点 |
345 |
| ロ.インクジェット法における基板大型化に伴う課題と対策 |
346 |
| B. 転写法による新規パターニング技術 |
346 |
| C. 印刷方式 |
348 |
| イ.印刷方式の種類 |
348 |
| ロ.印刷法の新しい取り組み |
348 |
| D. スプレイ法 富山大学 |
349 |
| (5) フレキシブル有機ELディスプレイ |
350 |
| A. カラー・フレキシブル有機ELディスプレイ 大日本印刷 |
350 |
| B. 軽量フレキシブル基板の作製技術 関西新技術研究所 |
351 |
| 6.2.4 ダイヤモンド薄膜の応用 |
352 |
| (1) はじめに |
352 |
| (2) SAWデバイス |
352 |
| (3) 電界放射型ディスプレイ |
353 |
| 6.3 切削工具分野 |
353 |
| 6.3.1 切削工具へのコーティングの必要性 |
353 |
| 6.3.2 切削工具のコーティングへの要件と課題 |
354 |
| 6.3.3 切削工具へのコーティング技術の現状 |
356 |
| (1) PVD法 |
358 |
| (2) CVD法 |
359 |
| (3) 界面制御による付着強度の向上 |
361 |
| (4) ドライ加工対応コーティング |
362 |
| (5) ドリル穴あけ加工技術 |
362 |
| (6) 切削工具に応用されているナノコーティング |
365 |
| A. 界面制御技術 |
365 |
| B. 結晶配向性制御技術 |
366 |
| C. 構造制御技術 |
366 |
| D. 複合組成制御技術 |
366 |
| E. ナノクラックによる残留応力制御技術 |
367 |
| 6.3.4 切削工具へのコーティングを成功させるポイント |
367 |
| 6.3.5 企業および研究機関の取り組み |
367 |
| イ.ドライ切削加工を可能にするイオン注入技術 |
|
| 東京都立産業技術研究所、東京大学先端科学技術研究センター |
367 |
| ロ.ダクタイル鋳鉄用CVDコーティング工具 京セラ |
368 |
| ハ.鋼切削コーティング材種『UE6010』の開発と新『MVブレーカ』 |
|
| 三菱マテリアル |
370 |
| 6.4 金型分野 |
371 |
| 6.4 1 金型へのコーティングの要件と課題 |
371 |
| 6.4.2 金型へのコーティング技術の現状 |
371 |
| (1) はじめに |
371 |
| A. プレス金型 |
372 |
| B. 鍛造金型 |
373 |
| C. プラスチック金型 |
375 |
| (2) 金型における複合処理 |
376 |
| A. 浸炭 |
377 |
| B. 窒化 |
377 |
| C. ショットピーニング |
378 |
| D. 複合処理の事例 |
379 |
| イ.絞り金型 |
379 |
| ロ.ホイル用絞り金型 |
379 |
| ハ.アルミ冷間鍛造金型 |
380 |
| ニ.樹脂射出成形金型 |
380 |
| 6.4.3 企業および研究機関の取り組み |
380 |
| (1) ダイカスト金型用の窒化クロムによる表面処理技術 東芝機械 |
380 |
| (2) ゴム・プラスチック用高品位・低コスト金型 |
|
| イオン工学センター研究所 |
381 |
| 引用文献 |
383 |
| |
|
|
|
| 資料編 |
385 |
| 1.国内公開特許に見る機能性コーティング技術 |
385 |
| 1.1 国内公開特許件数の総括と傾向 |
385 |
| 1.2 各分野における出願傾向とその技術課題および出願技術の内容 |
387 |
| 1.2.1 耐摩耗コーティング |
387 |
| 1.2.2 耐摩擦コーティング |
397 |
| 1.2.3 ダイヤモンドコーティング |
406 |
| 1.2.4 ダイヤモンドライクカーボン(DLC)コーティング |
412 |
| 1.2.5 潤滑コーティング |
413 |
| 1.2.6 導電コーティング |
418 |
| 1.2.7 耐熱コーティング |
429 |
| 1.2.8 親水コーティング |
435 |
| 1.2.9 撥水コーティング |
440 |
| 1.2.10 光触媒コーティング |
444 |
| 1.2.11 工具へのコーティング |
452 |
| 1.2.12 フラーレンコーティング |
456 |
| 1.2.13 カーボンナノチューブコーティング |
460 |
