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エレクトロニクス用樹脂
−低誘電率ポリマーの技術動向−



  これからの情報通信分野、情報処理分野では高速化が益々重要となる。特に、IC設計におけるデザインルールが0.18μm以下の微細配線においてはε=2.0以下の低誘電率材料が求められている。
  本調査レポートではこれらの要求に応える材料として注目されている低誘電率ポリマーの最新技術動向を明らかにしている。

●フッ素化ポリマー類、熱硬化性PPE樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、炭化水素系樹脂、ナノフォーム類、有機SOG、フッ素化カーボンなど最先端の低誘電率ポリマーの技術開発動向を記載。
●エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂をはじめ多くのエンジニアリングプラスチックスの誘電特性を明らかにし、低誘電率ポリマーの現状とその展開を概観できるようにした。
●過去5年間の日本公開特許の中から低誘電率を目的としたもの129件を抽出し、そのポイントを記載。


   □体裁 A4判 275ページ
   □価格 本体68,000円+消費税
   □送料 弊社負担
   □発行 1999年9月

章 目 次

第1章 21世紀のエレクトロニクスが求めるポリマー材料
第2章 最近のエレクトロニクスを支えている樹脂
第3章 高耐熱性エレクトロニクス用樹脂の最新動向
第4章 低誘電率・低誘電正接を有する樹脂の最新動向
第5章 耐熱性と低誘電性を兼ね備えた最近のエレクトロニクス用樹脂
第6章 薄膜形成に有用なエレクトロニクス樹脂の最新動向
第7章 特許から学ぶ最近のエレクトロニクス用樹脂技術

 

第1章 21世紀のエレクトロニクスが求めるポリマー材料
 
1.1 なぜ低誘電率のポリマー材料が求められるのか 1
1.2 ポリマー材料の誘電特性と解決すべき課題 2
1.3 ポリマーにおける誘電率の最小値、最大値を探る 3
1.4 最小の屈折率をもつポリマーを探る 4
引用文献  

第2章 最近のエレクトロニクスを支えている樹脂
 
2.1 エポキシ樹脂の技術動向 9
 2.1.1 エレクトロニクス分野における需要 9
  (1) 配線板およびパッケージ基板の用途 9
  (2) 半導体用封止材の用途 10
 2.1.2 エポキシ樹脂がエレクトロニクス分野で多用される理由 10
  (1) 構造と製造方法の観点から 10
  (2) 電気特性・機械特性の観点から 11
 2.1.3 積層板用エポキシ樹脂の現状と課題 11
  (1) 積層板用樹脂に要求される特性 11
  (2) エポキシ積層板の特性と今後の課題 12
 2.1.4 半導体封止材用エポキシ樹脂の現状と課題 13
  (1) クレゾールノボラック型封止材の特性と今後の課題 13
  (2) ビフェニール型封止材の特性と今後の課題 14
  (3) ジシクロペンタジエン型封止材の特性と今後の課題 14
 2.1.5 エポキシ樹脂における各社の技術開発動向 15
  (1) 東都化成 15
  (2) 油化シェルエポキシ 16
  (3) 住友化学工業 17
  (4) 三井化学 19
  (5) 日本化薬 21
  (6) 信越化学 22
  (7) 大日本インキ化学工業 23
  (8) 松下電工 25
2.2 熱可塑性ポリエステル樹脂の技術動向 26
 2.2.1 熱可塑性ポリエステルフィルムの誘電特性 26
 2.2.2 2軸延伸熱可塑性ポリエステルフィルム「テオネックス」(帝人) 28
 2.2.3 ポリジシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート(PCT) 31
2.3 耐電圧、高周波特性に優れるポリカーボネート(PC)樹脂 34
 2.3.1 ポリカーボネート樹脂の需要動向 34
 2.3.2 ポリカーボネート樹脂の電気特性 35
引用文献  

第3章 高耐熱性エレクトロニクス用樹脂の最新動向
 
3.1 ポリイミド(PI)樹脂の技術動向 38
 3.1.1 エレクトロニクス用ポリイミド樹脂の種類と特性 38
 3.1.2 技術開発に対する各社の取り組み 38
  (1) ポリイミドフィルム「ユーピレックス」(宇部興産) 38
  (2) 低温硬化ポリイミド樹脂「ケミタイト」(東芝ケミカル) 40
  (3) 硬化促進剤の添加による低温硬化型ポリイミド(東芝) 42
  (4) 低温硬化型ポリイミドインキ「ユピコート」(宇部興産) 43
  (5) 溶剤可溶型ポリイミド「リカコート」(新日本理化) 45
  (6) 熱可塑性ポリイミド「オーラム」(三井化学) 46
  (7) 低誘電熱可塑性樹脂「メビウス」(コスモ総研) 51
  (8) 非フッ素化系無色透明ポリイミド(東京工芸大) 54
  (9) 塩結合型とエステル結合型感光性ポリイミド 57
  (10) アルカリ現像可能なポジ型感光性ポリイミド(日東電工、住友ベークライト) 58
  (11) アルカリ現像可能なネガ型感光性ポリイミド(日立製作所) 60
  (12) 低温硬化ネガ型感光性ポリイミド(ハリマ化成) 61
  (13) シロキサン共重合型感光性ポリイミド(旭化成工業) 62
  (14) 熱可塑性ポリシロキサンポリイミド(新日鐡化学) 63
  (15) シロキサン含有ポリイミドを用いた電子部品用耐熱性接着剤(宇部興産) 66
  (16) 4,9-ジアミノジアマンタンからの低誘電率ポリイミド(National Taiwan Univ. of Sci. & Techn.) 68
  (17) 水溶性ポリイミド前駆体(東京大) 69
  (18) 層間絶縁膜としての新規なポリイミド(Istanbul Univ.) 70
3.2 耐熱性、耐水性、高周波特性に優れるポリエーテルイミド(PEI)樹脂 71
 3.2.1 ポリエーテルイミド樹脂「ウルテム」(日本ジーイープラスチックス) 71
 3.2.2 高周波用材料としてのポリエーテルイミド樹脂 73
 3.2.3 ポリエーテルイミドフィルム「スペリオ」(三菱樹脂) 75
3.3 ポリフェニレンスルフィド(PPS)樹脂の技術動向 77
 3.3.1 ポリフェニレンスルフィド樹脂の特性と用途 77
 3.3.2 各用途に対応した材料開発の状況 79
 3.3.3 他のポリマーとのアロイ化の動向 80
  (1) ポリフェニレンエーテル(PPE)とのアロイ 80
  (2) エラストマーとのアロイ 81
  (3) ポリアミド系アロイ 81
  (4) フッ素樹脂系アロイ 81
 3.3.4 技術開発に対する各社の取り組み 82
  (1) ポリフェニレンエーテルとノルボルネン系樹脂「Arton」とのアロイ(JSR) 82
  (2) ポリフェニレンエーテルの2軸延伸フィルム「トレリナ」フィルム(東レ) 85
  (3) ポリフェニレンエーテル樹脂複合材のGPS信号受信用アンテナ への応用(パイオニア) 89
3.4 耐熱性、耐水性に優れるCOPNA樹脂 90
 3.4.1 COPNA樹脂の特性と合成方法 90
 3.4.2 技術開発に対する各社の取り組み 91
  (1) 改良COPNA樹脂(SKレジン)(住友金属工業) 91
  (2) COPNA樹脂/Eガラスクロス系積層板の特徴(住友金属工業) 92
  (3) COPNA樹脂/ナイロン6ポリマーブレンド(住友金属工業) 93
3.5 最も高い耐熱性を有する熱可塑性ポリベンゾイミダゾール(PBI)樹脂 96
 3.5.1 ポリベンゾイミダゾール樹脂の構造と特性 96
 3.5.2 セラミックに匹敵する高耐熱性を実現した「セラゾール」(ヘキスト) 96
引用文献  

第4章 低誘電率・低誘電正接を有する樹脂の最新動向
 
4.1 フッ素樹脂の技術動向 101
 4.1.1 現在商品化されているフッ素樹脂 101
 4.1.2 各種フッ素樹脂の種類と特性 103
  (1) 四フッ化エチレン樹脂(PTFE) 103
  (2) 四フッ化エチレン・パーフロロアルキルビニルエーテル共重合樹脂(PFA) 103
  (3) 四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂(FEP) 103
  (4) 四フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂(ETFE) 104
  (5) フッ化ビニリデン樹脂(PVDF) 104
  (6) 三フッ化塩化エチレン樹脂(PCTFE) 104
  (7) フッ化ビニル樹脂(PVF) 104
  (8) パーフロロ環状重合体 104
 4.1.3 エレクトロニクス用途におけるフッ素樹脂の特長と課題 106
  (1) フッ素樹脂の特長 106
  (2) フッ素樹脂の課題 107
 4.1.4 優れた電気特性を有するフッ素樹脂 108
  (1) ポリマーで最高の絶縁抵抗を実現 108
  (2) 高温における高い耐電圧性が特長 108
  (3) ポリマーで最も低い誘電率を実現 108
 4.1.5 高周波特性に優れるパーフロロ環状重合体 110
  (1) パーフロロ環状重合体と他のフッ素樹脂との違い 110
  (2) 「サイトップ」(旭硝子)の高周波特性と用途 111
  (3) 「テフロン」AF1601(デュポン)の加工性 113
  (4) 「テフロン」AF1600(デュポン)の蒸着膜形成 114
 4.1.6 ゴアテックス社の高周波用低誘電率基板材料 114
 4.1.7 環状フッ素樹脂・シロキサン重合体(ソニー) 116
4.2 フッ素化ポリマーの技術動向 117
 4.2.1 フッ素化エポキシ樹脂(NTT) 117
 4.2.2 フッ素化ポリイミドへの各社の取り組み 119
  (1) 透明性ポリイミド(NTT) 119
  (2) 層間絶縁膜用フッ素化ポリイミド(デュポン) 121
  (3) ポリイミド薄膜のプラズマフッ素化(日本電気) 123
 4.2.3 フッ素化ポリ(アリーレンエーテル)への各社の取り組み 124
  (1) 「FLARE」(アライド・シグナル) 124
  (2) フッ素化ポリ(オキシアリール)(沖電気工業) 126
 4.2.4 低誘電率で加工性に優れたフッ素化アクリル系樹脂 127
 4.2.5 フッ素化トリアリルエーテル/ヒドロシロキサン樹脂への取り組み 130
  (1) Geo-CentersのHuらの研究 130
  (2) Naval Res. Lab.のBuckleyらの研究 131
 4.2.6 フッ素化ポリ(エーテルケトン)への取り組み 132
  (1) 12F-ポリ(エーテルケトン)(Southwest Texas State Univ.) 132
  (2) デカフロロベンゾフェノンから誘導されたフッ素化ポリ(エーテルケトン)(Raychem) 133
 4.2.7 フッ素化ポリ(イミドベンゾオキサゾール)(Raychem) 134
 4.2.8 ポリ(テトラフロロ-p-キシリレン)(Virginia Polytechnic Institute) 137
 4.2.9 ペンタフロロスチレンのプラズマ重合膜(Univ. of Texas at Arlington) 139
 4.2.10 パーフルオロノネニルオキシグループを含有したポリアリレート(National Cheng Kung Univ.) 140
 4.2.11 炭化水素ポリマーのプラズマフッ素化(富士通) 141
 4.2.12 Parylene-F(Rensselaer Polytechnic Institute) 142
4.3 炭化水素系ポリマーの技術動向 143
 4.3.1 非晶性ポリオレフィン樹脂の開発の経緯 143
 4.3.2 非晶性ポリオレフィン樹脂への各社の取り組み 145
  (1) 環状オレフィンポリマー(三井化学) 145
   (a) 環状オレフィンポリマー「APO」  
   (b) 環状オレフィン/エチレン共重合体「アペル」  
  (2) 非極性ポリオレフィン「ZEONEX」、「ZEONOR」(日本ゼオン) 147
  (3) 側鎖に極性基を有するノルボルネン骨格の樹脂「Arton」(JSR) 150
  (4) シクロヘキサジエン系ポリマー(旭化成工業) 152
 4.3.3 低誘電率が実現できるシンジオタクチックポリスチレン 155
  (1) メタロセン触媒を用いたS-PSの合成 155
  (2) エレクトロニクス分野におけるS-PSの特長 156
  (3) 「ザレック」のグレードと電気・電子分野への展開(出光石油化学) 158
 4.3.4 その他の炭化水素系ポリマーへの取り組み 161
  (1) ポリナフタレン(Rensselaer Polytechnic Institute) 161
  (2) ポリ(インダン)(Rensselaer Polytechnic Institute) 162
引用文献  

第5章 耐熱性と低誘電性を兼ね備えた最近のエレクトロニクス用樹脂
 
5.1 ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂の技術動向 165
 5.1.1 加工性に優れる変性ポリフェニレンエーテル(mPPE) 165
  (1) 変性ポリフェニレンエーテルの需要動向 165
  (2) 変性ポリフェニレンエーテルの開発の経緯と合成方法 166
  (3) ポリフェニレンエーテルの変性方法 167
  (4) 変性ポリフェニレンエーテルの電気特性 167
   (a) ポリスチレン系樹脂とのアロイ  
   (b) ポリアミド系樹脂とのアロイ  
 5.1.2 低誘電率を有する熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂(旭化成工業) 170
  (1) アリル化ポリフェニレンエーテルの合成と性質 170
  (2) ポリフェニレンエーテル/トリアリルイソシアヌレート(TAIC)樹脂のブレンド 172
  (3) ポリフェニレンエーテル/エポキシ樹脂のブレンド 173
  (4) 熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂銅張積層板 174
   (a) プリプレグの特性  
   (b) 銅張積層板の特性  
5.2 エレクトロニクス分野で伸びが期待される液晶ポリマー 177
 5.2.1 液晶ポリマーの特性と需要動向 177
 5.2.2 技術開発に対する取り組み 179
  (1) II型LCP「シベラス」(東レ) 179
  (2) 全芳香族LCP「ゼナイト」(デュポン) 180
5.3 次世代への期待が高いポリキノリン(PQ)樹脂 181
 5.3.1 ポリキノリン樹脂の特性と開発の経緯 181
 5.3.2 技術開発に対する取り組み 182
  (1) ポリキノリン樹脂PQ-100とPQ-600(日立化成工業) 182
  (2) ポリキノリン/ポリマレイミド組成物(日立製作所/日立化成工業) 185
5.4 耐湿性、誘電特性に優れるポリフェニルキノキサリン 186
5.5 耐マイグレーション性に優れるシアネート樹脂樹脂 188
 5.5.1 シアネート樹脂「BTレジン」(三菱ガス化学) 188
 5.5.2 フロロメチレンシアネートエステル樹脂(Naval Res. Lab.) 191
5.6 その他の高耐熱性・低誘電率樹脂の技術動向 194
 5.6.1 ポリスルホン「ユーデル」(テイジン・アモコ・エンジニアリングプラスチックス) 194
 5.6.2 ポリエーテルスルホン(PES)樹脂 197
  (1) ポリエーテルスルホン樹脂の用途と特性 197
  (2) ポリエーテルスルホンフィルムの誘電特性 199
 5.6.3 ポリエーテルエーテルケトン(PEEK) 202
 5.6.4 ポリチオエーテルスルホン「アモルボン」(大日本インキ化学工業) 203
 5.6.5 ポリアリーレンエーテルニトリル樹脂 204
  (1) ポリエーテルニトリルの合成 204
  (2) 「出光PEN」(出光マテリアル) 205
  (3) ポリアリレート「U−ポリマー」(ユニチカ) 208
 5.6.6 耐熱性カルド型ポリマー 210
  (1) 新日本製鐵の寺本らの研究 210
  (2) UMRのSillionらの研究 213
 5.6.7 全芳香族ポリエーテル(旭化成工業) 214
引用文献  

第6章 薄膜形成に有用なエレクトロニクス樹脂の最新動向
 
6.1 低誘電率化に有効なナノフォームの技術動向 216
 6.1.1 耐熱性ポリマー発泡体:ポリフェニルキノキサリンのフォーム(IBM) 216
 6.1.2 無定形で高Tgのポリイミド・ナノフォーム(IBM) 218
 6.1.3 ポリイミド・ナノフォームへの各社の取り組み 220
  (1) 無定形で相分離したトリブロック共重合体からのナノフォーム(IBM) 220
  (2) 多孔性ポリイミドフィルムの作成(豊橋技科大) 221
  (3) ポリイミド発泡体(ユニチカ) 221
 6.1.4 分子レベルの細孔を形成したポリメチルシルセスキオキサン(東芝) 221
6.2 有機シリカ膜の技術動向 222
 6.2.1 有機SOG膜への取り組み 222
  (1) 有機SOG膜「HSG-R7」(日立化成工業) 222
  (2) 低吸湿性有機SOG膜(新日本製鐡) 222
 6.2.2 有機シリカ膜への取り組み 224
  (1) 高濃度メチル基含有膜(東工大) 224
  (2) 高濃度フェニル基含有膜(東工大) 225
  (3) トリフロロメチル基を含有したシリカ膜(東工大) 225
  (4) 液相堆積法による低誘電率有機シリカ膜(東工大) 225
  (5) OHフリー有機シリカ膜の気相フッ化処理(帝京科学大) 225
 6.2.3 ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)薄膜への取り組み 226
  (1) HMDSOのプラズマ重合による薄膜形成(Inha Univ.) 226
  (2) パーフルオロデカリンとの共重合膜(松下電子工業) 227
  (3) C2F4/HMDSOを用いた膜(京都工繊大) 227
  (4) C6F6/HMDSOを用いた膜(Drexel Univ.) 228
6.3 フッ素化カーボン膜の技術動向 229
 6.3.1 アモルファスフッ素化カーボン膜への期待 229
 6.3.2 アモルファスフッ素化カーボン膜への取り組み 230
  (1) 構造研究(Sharp Microelectronics Technology) 230
  (2) 水素アニーリングの効果(日本電気) 230
  (3) C2F4ガスのプラズマCVD(京都工繊大) 230
引用文献  

第7章 特許から学ぶ最近のエレクトロニクス用樹脂技術
 
7.1 最近の特許に見られる低誘電率材料の技術動向 232
7.2 最近の特許に見られる低誘電率ポリマー材料の技術 232
  (1) ポリエーテルエーテルケトンを用いたプリント基板用不織布(日東紡績) 232
  (2) COPNA樹脂の半導体用絶縁膜(住友金属工業) 233
  (3) ビスアリルナジイミドを用いた熱硬化性樹脂組成物(住友ベークライト) 233
  (4) ポリパラバン酸樹脂を用いた絶縁材(富士通) 233
  (5) 熱硬化性樹脂に低誘電性を付与する方法(住友化学工業) 234
  (6) /ww9.80ポリイミドフィルムベースの接着性絶縁フィルム(鐘淵化学工業) 234
  (7) ビニル基含有シロキサン変性ポリイミド共重合体の組成物(新日本製鐡) 234
  (8) 液晶ポリマーフィルムを用いたマルチチップモジュール(ジャパンゴアテックス) 235
  (9) 熱可塑性ノルボルネン系樹脂を用いた材料(日本ゼオン) 235
  (10) ポリキノリン樹脂を用いた材料(日立化成工業) 236
  (11) ポリエチレンナフタレートを用いたTAB用フィルム(ダイアホイルヘキスト) 237
  (12) フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂の絶縁膜(日本電気) 238
  (13) ポリフェニレンエーテル樹脂絶縁材料(旭化成工業) 238
  (14) PPE系組成物と無機誘電体からなる高誘電率、低誘電損失誘電体(松下電工) 238
  (15) ベンゾシクロブテン系樹脂の絶縁膜(富士通) 239
  (16) ポリ尿素の層間絶縁膜(日本真空技術) 239
  (17) 比誘電率3以下の感放射線性樹脂組成物(JSR) 240
  (18) ホスファゼンを用いた絶縁膜形成組成物(川崎製鉄) 241
  (19) パリレンと環式シロキサンとの共重合体(Texas Instrument) 242
  (20) ポリアリールエーテルなどの有機低誘電率膜からなる絶縁膜(ソニー) 243
  (21) 無機有機ハイブリッドSOG膜(松下電器) 243
7.3 最近の特許に見られるフッ素含有ポリマーの技術 244
  (1) フッ素含有シリコーン樹脂を含む感光性樹脂組成物(富士通) 244
  (2) 含フッ素ポリベンゾオキサゾールを用いた層間絶縁膜(日立化成工業) 244
  (3) 含フッ素光硬化性樹脂組成物(日立製作所) 245
  (4) フッ素樹脂と液晶ポリエステルからなる組成物(住友化学工業) 245
  (5) 主鎖に環構造を有するフッ素重合体を用いた防湿コート剤(旭硝子) 245
  (6) 環状構造を有するフロロカーボンポリマーを用いた誘電体材料(ソニー) 246
  (7) フッ素化環式炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素膜(IBM) 246
  (8) 主鎖にケイ素−芳香環結合を有する有機絶縁材料(沖電気工業) 247
  (9) フッ素含有ポリシロキサン樹脂(沖電気工業) 247
  (10) フッ素含有ポリアリールエーテルの有機絶縁膜材料(沖電気工業) 247
  (11) フルオロカーボン側鎖を有するポリカルボシランの絶縁膜(富士通) 247
  (12) 含フッ素ポリイミドの技術 248
   (a) 含フッ素ポリイミド樹脂膜のパターン化(日立化成工業)  
   (b) 誘電率2.6のポリイミド膜(日立化成工業)  
   (c) 末端アリナジック酸のポリイミド樹脂(東芝ケミカル)  
   (d) 2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニルをアミン成分としたポリイミド(NTT)  
   (e) フッ素プラズマによるフッ素処理(日本電気)  
   (f) フッ素処理の制御(日本電気)  
7.4 最近の特許に見られるマレイミド樹脂の技術 250
  (1) トリアリルイソシアヌレートを用いた熱硬化性樹脂組成物(住友化学工業) 250
  (2) ポリイミド系化合物を配合した樹脂組成物(住友化学工業) 250
  (3) 離型性と接着性を改善した半導体封止用樹脂組成物(三菱化学) 250
  (4) 耐熱性および耐湿性に優れた封止用樹脂組成物(三菱油化) 251
  (5) 耐熱性に優れたマレイミド系樹脂を用いた封止用樹脂組成物(三菱化学) 251
  (6) 成型時の流動性が優れた封止用樹脂組成物(三菱化学) 251
  (7) フッ素原子を含有するマレイミド樹脂組成物(東芝) 251
  (8) N-置換マレイミドとビニル系モノマーからの電気絶縁材料(日本油脂) 252
  (9) 多官能シアネートエステル化合物を含有する樹脂組成物(住友ベークライト) 252
  (10) エポキシ化ポリブタジエンを含有する樹脂組成物(日立化成工業)/ww-1 253
7.5 最近の特許に見られるシアン酸エステル系樹脂の技術 253
  (1) シアネートエステル化合物を用いた住友ベークライトの技術 253
   (a) フェノール変性ポリブタジエンとの組成物  
   (b) フェノール変性石炭樹脂との組成物  
   (c) ポリフェニルエーテルとの組成物  
   (d) 変性シアネート樹脂とフェノール変性ポリブタジエンとの組成物  
   (e) 臭素化エポキシ樹脂が加えられた組成物  
   (f) 各種の変性樹脂を用いた組成物  
   (g) フェノール化合物と臭素化エポキシ樹脂を含む組成物  
   (h) 速硬化性封止用樹脂組成物  
   (i) 比誘電率3.2以下の熱硬化性樹脂を配合した組成物  
   (j) ビスマレイミド化合物を含む組成物  
   (k) 臭素化マレイミドオリゴマーを配合した組成物  
   (l) 接着性向上成分を含有する組成物  
   (m) 多官能マレイミド化合物を含有する組成物  
   (n) 離型性を改善した組成物  
   (o) 室温保管性を改善した組成物  
  (2) 誘電正接0.005以下が得られる積層板(鐘淵化学工業) 257
  (3) ビスフェノールAジシアネート樹脂を配合した組成物からの積層板(東芝ケミカル) 257
  (4) 耐熱性と低収縮性を満足する硬化性樹脂組成物(旭チバ) 258
  (5) 耐ハンダフロー性の良好な樹脂組成物(日立製作所) 258
7.6 最近の特許に見られるエポキシ樹脂の技術 258
  (1) 日立化成工業のエポキシ樹脂技術 258
   (a) アリールエステル付加共役ジエン系重合体を含む組成物  
   (b) アリールエステル化フェノールノボラック樹脂を硬化剤とした組成物  
  (2) 住友化学工業のエポキシ樹脂技術 259
   (a) 耐熱性に優れ、かつ低誘電率の硬化物を与える樹脂組成物  
   (b) -S-結合を含有するビスフェノール化合物から誘導されたエポキシ化合物を含む組成物  
   (c) 誘電特性の優れたエポキシ樹脂を用いた熱硬化性樹脂組成物  
   (d) 誘電率、誘電正接が改善された樹脂組成物  
  (3) 住友ベークライトのエポキシ樹脂技術 260
   (a) アルキル置換エポキシ樹脂を用いた組成物  
   (b) ナフタレン環を有するエポキシ樹脂を用いた組成物  
   (c) フェノール樹脂を配合した組成物  
  (4) 東芝のエポキシ樹脂技術 262
   (a) 変性低分子ポリオレフィンを配合した組成物  
   (b) 絶縁スペーサー用充填材を含有する組成物  
  (5) 信越化学工業のエポキシ樹脂技術 263
   (a) シクロ環を骨格とするエポキシ樹脂を用いた組成物  
   (b) ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を用いた組成物  
  (6) その他企業のエポキシ樹脂技術 263
   (a) 有機重合体フィルムー接着剤複合物(IBM)  
   (b) ノルボルネン系樹脂粒子を配合した熱硬化性樹脂組成物(日本ゼオン)  
   (c) メンタン骨格を有するフェノール樹脂を配合した組成物(東芝ケミカル)  
   (d) エピスルフィド基を有する化合物からの熱硬化性樹脂組成物(住友精化/住友化学工業)  
   (e) スチレン化ノボラック型フェノール樹脂からなる硬化剤(東都化成)  
   (f) コアーシェル形ゴム粒子を添加した樹脂組成物(日立電線)  
7.7 最近の特許に見られる発泡体・中空材料を用いた 低誘電率材料 265
  (1) 比重が増加したマイクロバルーンを用いる方法(富士通) 265
  (2) ナノスケールのエーロゲル充填材を添加する方法(IBM) 266
  (3) ベンゾシクロブテン環を有する熱硬化性樹脂の含浸(富士通) 266
  (4) PEEKフィルムをアンカー効果で一体化した積層体(潤工社) 266
  (5) フィブリル構造フッ素樹脂からなる層間絶縁膜(富士通) 267
  (6) 発泡熱硬化性樹脂組成物(イノアックコーポレーション) 267
  (7) ジャパンゴアテックスの発泡体・中空材料技術 267
   (a) 多孔質フッ素樹脂の機械的強度と寸法安定性の改善  
   (b) ポリオレフィン系樹脂誘電体層の接着性と耐熱性の改善  
   (c) フッ素樹脂多孔質体の細片を含んだ樹脂封止材  
   (d) フッ素樹脂多孔質樹脂フィルムを積層した低誘電体材料  
  (8) 接着剤内に微小空気泡を充填する方法(日本メクトロン) 269
  (9) 中空の粒子を混合して樹脂を押し出した絶縁層(フジクラ) 269
  (10) フラーレンが分散された誘電体(ソニー) 269
  (11) 中空体を分散させた樹脂からなる絶縁層(日本電気) 270
  (12) 空孔率10vol.%以上である多孔質プラスチック(松下電器) 270
  (13) 多孔質誘電体膜を製造する方法(ソニー) 270
7.8 最近の特許に見られるドライプロセス成膜技術 271
  (1) ソニーのドライプロセス成膜技術 271
   (a) 有機成分を含む酸化ケイ素膜の成膜  
   (b) フタロシアニンやナフタロシアニンを主成分とした絶縁材料  
   (c) 加熱または光照射でガスを発生する物質を含有するSOG膜  
   (d) ギャップフィルおよび平坦化に優れた絶縁膜  
   (e) アモルファスカーボン膜の成膜方法  
  (2) 富士通のドライプロセス成膜技術 273
   (a) グラッシーカーボン膜をフッ素化した膜  
   (b) カーボンリッチで架橋密度の高い耐熱性に優れたフッ素系樹脂膜  
   (c) 有機ケイ素化合物の薄膜のフッ素プラズマ処理  
  (3) SiO2とポリ尿素との複合膜(日本真空技術) 274
特許リスト 276

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